 |
GaAs γκοφρετών αρσενίδιων γαλλίου 2INCH 3INCH 4Inch Undoped ημι μονώνοντας υπόστρωμα για τις οδηγήσεις
Λεπτομέρειες:
| Τόπος καταγωγής: | Κίνα |
| Μάρκα: | zmkj |
| Αριθμό μοντέλου: | 4inch ΗΜΙ |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
| Ποσότητα παραγγελίας min: | 5pcs |
|---|---|
| Τιμή: | by case |
| Συσκευασία λεπτομέρειες: | ενιαία γκοφρέτα που συσκευάζεται " πλαστικό πλαίσιο σε 6 κάτω από το Ν2 |
| Χρόνος παράδοσης: | 2-4 εβδομάδες |
| Όροι πληρωμής: | Μ / Τ, Western Union, MoneyGram |
| Δυνατότητα προσφοράς: | 500pcs ανά μήνα |
|
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
| Υλικό: | GaAs ενιαίο κρύσταλλο | Μέγεθος: | 4inch |
|---|---|---|---|
| Πάχος: | 625um ή | ΑΠΟ τον τύπο: | ΑΠΟ το επίπεδο |
| Προσανατολισμός: | (100) 2°off | Επιφάνεια: | DSP |
| μέθοδος αύξησης: | vFG | ||
| Υψηλό φως: | υπόστρωμα γκοφρετών,γκοφρέτα ημιαγωγών |
||
Περιγραφή προϊόντων
2inch/3inch GaAs αρσενίδιων γαλλίου του /Si-doped ημι-μόνωσης τύπων του /4inch το /6inch s-γ-ν γκοφρέτα
Περιγραφή προϊόντων
2 μας " “σε 6” “ημιαγωγικές & ημιμονωτικές GaAs κρύσταλλο & γκοφρέτα χρησιμοποιούνται άγρια ημιαγωγών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων εφαρμογή εφαρμογής & στη γενική φωτισμού των οδηγήσεων.
| Χαρακτηριστικό γνώρισμα | Τομέας εφαρμογής |
|---|---|
| Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων | Εκπέμπουσες φως δίοδοι |
| Υψηλή συχνότητα | Δίοδοι λέιζερ |
| Υψηλή αποδοτικότητα μετατροπής | Φωτοβολταϊκές συσκευές |
| Χαμηλής ισχύος κατανάλωση | Υψηλή κρυσταλλολυχνία κινητικότητας ηλεκτρονίων |
| Άμεσο χάσμα ζωνών | Διπολική κρυσταλλολυχνία ετεροεπαφής |
Προδιαγραφές της ημιαγωγικής GaAs γκοφρέτας
Μέθοδος αύξησης | VGF | |||
Υλικό πρόσμιξης | π-τύπος: ZN | ν-τύπος: Si | ||
Μορφή γκοφρετών | Κύκλος (dia: 2», 3», 4», 6») | |||
Προσανατολισμός επιφάνειας * | (100) ±0.5° | |||
* Άλλοι προσανατολισμοί ίσως διαθέσιμοι κατόπιν αιτήματος | ||||
Υλικό πρόσμιξης | Si (ν-τύπος) | ZN (π-τύπος) | ||
Συγκέντρωση μεταφορέων (εκατ.-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
Κινητικότητα (cm2/V.S.) | (1-2.5) × 103 | 50-120 | ||
Χαράξτε την πυκνότητα πισσών (τ.εκ.) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
Διάμετρος γκοφρετών (χιλ.) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
Πάχος (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
ΣΤΡΕΒΛΩΣΗ (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
(Χιλ.) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
/ΕΑΝ (χιλ.) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | |
Προδιαγραφές της ημιμονωτικής GaAs γκοφρέτας
Μέθοδος αύξησης | VGF | |||
Υλικό πρόσμιξης | Τύπος Si: Άνθρακας | |||
Μορφή γκοφρετών | Κύκλος (DIA: 2», 3», 4», 6») | |||
Προσανατολισμός επιφάνειας * | (100) ±0.5° | |||
* Άλλοι προσανατολισμοί ίσως διαθέσιμοι κατόπιν αιτήματος | ||||
Ειδική αντίσταση (Ω.cm) | ≥ 1 × 107 | ≥ 1 × 108 | ||
Κινητικότητα (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 | ||
Χαράξτε την πυκνότητα πισσών (τ.εκ.) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
Διάμετρος γκοφρετών (χιλ.) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
Πάχος (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
ΣΤΡΕΒΛΩΣΗ (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
(Χιλ.) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ΕΓΚΟΠΗ |
/ΕΑΝ (χιλ.) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | ΑΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΤΟΣ |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | E/E, |
FAQ –
Q: Αυτό που μπορείτε να παρέχετε τις διοικητικές μέριμνες και το κόστος;
(1) δεχόμαστε DHL, τη Fedex, TNT, το UPS, το EMS, SF και το κ.λπ.
(2) εάν έχετε το σαφή αριθμό σας, είναι μεγάλος.
Εάν όχι, θα μπορούσαμε να σας βοηθήσουμε για να παραδώσουμε. Freight=USD25.0 (το πρώτο βάρος) + USD12.0/kg
Q: Πώς να πληρώσει;
T/T, Paypal, δυτική ένωση, MoneyGram, ασφαλής διαβεβαίωση πληρωμής και εμπορίου σε Alibaba και κ.λπ….
Q: Ποιο είναι το MOQ;
(1) για τον κατάλογο, το MOQ είναι 5pcs.
(2) για τα προσαρμοσμένα προϊόντα, το MOQ είναι 5pcs-20pcs.
Εξαρτάται από την ποσότητα και τις τεχνικές
Q: Έχετε την έκθεση επιθεώρησης για το υλικό;
Μπορούμε να παρέχουμε την έκθεση λεπτομέρειας για τα προϊόντα μας.
Συσκευασία – Logistcs
αφοράμε κάθε ένας απαριθμούμε της συσκευασίας, που καθαρίζει, αντιστατικός, επεξεργασία κλονισμού. Σύμφωνα με την ποσότητα και τη μορφή του προϊόντος,
θα πάρουμε μια διαφορετική διαδικασία συσκευασίας!