 |
Γυαλισμένο DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35mm 4h-ημι γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου SIC
Λεπτομέρειες:
| Τόπος καταγωγής: | ΚΙΝΑ |
| Μάρκα: | ZMKJ |
| Αριθμό μοντέλου: | Προσαρμοσμένο μέγεθος |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
| Ποσότητα παραγγελίας min: | 5pcs |
|---|---|
| Τιμή: | by case |
| Συσκευασία λεπτομέρειες: | η ενιαία συσκευασία γκοφρετών σε 100 βαθμολογεί το καθαρίζοντας δωμάτιο |
| Χρόνος παράδοσης: | 1-6weeks |
| Όροι πληρωμής: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Δυνατότητα προσφοράς: | 1-50pcs/month |
|
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
| Υλικό: | Ενιαίο κρύσταλλο SIC 4h-ημι | Βαθμός: | δοκιμή βαθμός |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.35mm ή 0.5mm | Suraface: | γυαλισμένο DSP |
| Εφαρμογή: | κρυσταλλικός | Διάμετρος: | 3inch |
| Χρώμα: | Διαφανής | MPD: | <10cm-2> |
| Τύπος: | un-doped υψηλή αγνότητα | Αντίσταση: | >1E7 O.hm |
| Υψηλό φως: | γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου 0.35mm,4 γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου ίντσας,Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου SIC |
||
Περιγραφή προϊόντων
6h-n/4h-ΗΜΙ 4h-ν SIC πλινθώματα Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch/dia υψηλής αγνότητας 4h-ν 4inch 6inch 150mm un-doped 4H-ημι resistivity>1E7 3inch 4inch 0.35mm SIC υποστρωμάτων wafersS/ενιαίου κρυστάλλου καρβιδίου του πυριτίου (SIC) γκοφρέτες υψηλής αγνότητας
Περίπου κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου (SIC)
Το καρβίδιο του πυριτίου (SIC), επίσης γνωστό ως carborundum, είναι ένας ημιαγωγός περιέχοντας το πυρίτιο και τον άνθρακα με το χημικό τύπο SIC. Το SIC χρησιμοποιείται στις συσκευές ηλεκτρονικής ημιαγωγών που λειτουργούν στις υψηλές θερμοκρασίες ή τις υψηλές τάσεις, ή both.SiC είναι επίσης ένα από τα τμήματα των σημαντικών οδηγήσεων, είναι ένα δημοφιλές υπόστρωμα για την ανάπτυξη των συσκευών GaN, και χρησιμεύει επίσης ως ένας διαστολέας θερμότητας σε υψηλής ισχύος LEDs.
| Ιδιοκτησία | 4H-SIC, ενιαίο κρύσταλλο | 6H-SIC, ενιαίο κρύσταλλο |
| Παράμετροι δικτυωτού πλέγματος | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Συσσώρευση της ακολουθίας | ABCB | ABCACB |
| Σκληρότητα Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Πυκνότητα | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm. Συντελεστής επέκτασης | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Δείκτης @750nm διάθλασης |
κανένας = 2,61 |
κανένας = 2,60 |
| Διηλεκτρική σταθερά | c~9.66 | c~9.66 |
| Θερμική αγωγιμότητα (ν-τύπος, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·Το K@298K |
|
| Θερμική αγωγιμότητα (ημιμονωτική) |
a~4.9 W/cm·Το K@298K |
a~4.6 W/cm·Το K@298K |
| Ταινία-Gap | 3.23 eV | 3.02 eV |
| Ηλεκτρικός τομέας βλάβης | 35×106V/cm | 35×106V/cm |
| Ταχύτητα κλίσης κορεσμού | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Προδιαγραφή υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου διαμέτρων 4h-ν 4inch (SIC)
| 2inch προδιαγραφή υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου διαμέτρων (SIC) | ||||||||||
| Βαθμός | Μηδέν βαθμός MPD | Βαθμός παραγωγής | Ερευνητικός βαθμός | Πλαστός βαθμός | ||||||
| Διάμετρος | 100. mm±0.38mm | |||||||||
| Πάχος | 350 μm±25μm ή 500±25um ή άλλο προσαρμοσμένο πάχος | |||||||||
| Προσανατολισμός γκοφρετών | Στον άξονα: <0001> ±0.5° για 4h-ημι | |||||||||
| Πυκνότητα Micropipe | ≤1 τ.εκ. | ≤5 τ.εκ. | ≤10cm-2 | ≤30 τ.εκ. | ||||||
| Ειδική αντίσταση | 4h-ν | 0.015~0.028 Ω•εκατ. | ||||||||
| 6h-ν | 0.02~0.1 Ω•εκατ. | |||||||||
| 4h-ημι | ≥1E7 Ω·εκατ. | |||||||||
| Αρχικό επίπεδο | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| Αρχικό επίπεδο μήκος | 18.5 mm±2.0 χιλ. | |||||||||
| Δευτεροβάθμιο επίπεδο μήκος | 10.0mm±2.0 χιλ. | |||||||||
| Δευτεροβάθμιος επίπεδος προσανατολισμός | Πρόσωπο πυριτίου - επάνω: 90° CW. από πρωταρχικό επίπεδο ±5.0° | |||||||||
| Αποκλεισμός ακρών | 1 χιλ. | |||||||||
| TTV/Bow το /Warp | ≤10μm/≤15μm/≤30μm | |||||||||
| Τραχύτητα | Πολωνικό Ra≤1 NM | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 NM | ||||||||||
| Ρωγμές από το φως υψηλής έντασης | Κανένας | 1 επιτρεμμένος, ≤2 χιλ. | Συσσωρευτικό μήκος ≤ 10mm, ενιαίο length≤2mm | |||||||
| Πιάτα δεκαεξαδικού από το φως υψηλής έντασης | Συσσωρευτική περιοχή ≤1% | Συσσωρευτική περιοχή ≤1% | Συσσωρευτική περιοχή ≤3% | |||||||
| Περιοχές Polytype από το φως υψηλής έντασης | Κανένας | Συσσωρευτική περιοχή ≤2% | Συσσωρευτική περιοχή ≤5% | |||||||
| Γρατσουνιές από το φως υψηλής έντασης | 3 γρατσουνιές στο συσσωρευτικό μήκος διαμέτρων 1×wafer | 5 γρατσουνιές στο συσσωρευτικό μήκος διαμέτρων 1×wafer | 5 γρατσουνιές στο συσσωρευτικό μήκος διαμέτρων 1×wafer | |||||||
| τσιπ ακρών | Κανένας | 3 επιτρεμμένος, ≤0.5 χιλ. κάθε ένα | 5 επιτρεμμένος, ≤1 χιλ. κάθε ένα | |||||||
Εφαρμογές:
1) IIIV απόθεση νιτριδίων
2) Οπτικοηλεκτρονικές συσκευές
3) Υψηλής ισχύος συσκευές
4) Υψηλής θερμοκρασίας συσκευές
5) Υψηλής συχνότητας συσκευές δύναμης
Η επίδειξη παραγωγής παρουσιάζει
|
4h-ν τύπος/γκοφρέτα/πλινθώματα υψηλής αγνότητας SIC
2 γκοφρέτα/πλινθώματα ν-τύπων SIC ίντσας 4H
3 γκοφρέτα ν-τύπων SIC ίντσας 4H 4 γκοφρέτα/πλινθώματα ν-τύπων SIC ίντσας 4H 6 γκοφρέτα/πλινθώματα ν-τύπων SIC ίντσας 4H |
4H γκοφρέτα ημιμονωτικής/υψηλής αγνότητας SIC 2 ημιμονωτική SIC γκοφρέτα ίντσας 4H
3 ημιμονωτική SIC γκοφρέτα ίντσας 4H 4 ημιμονωτική SIC γκοφρέτα ίντσας 4H 6 ημιμονωτική SIC γκοφρέτα ίντσας 4H |
|
γκοφρέτα ν-τύπων SIC 6H
2 γκοφρέτα/πλίνθωμα ν-τύπων SIC ίντσας 6H |
Μέγεθος Customzied για 2-6inch
|
Εφαρμογές SIC
Τομείς εφαρμογής
- 1 δίοδοι Schottky ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής συχνότητας και υψηλής δύναμης, JFET, BJT, καρφίτσα,
- δίοδοι, IGBT, MOSFET
- 2 οπτικοηλεκτρονικές συσκευές: κυρίως χρησιμοποιημένος στις υλικές (GaN/SIC) οδηγήσεις υποστρωμάτων των μπλε οδηγήσεων GaN/SIC
>Συσκευασία – Logistcs
αφοράμε κάθε ένας απαριθμούμε της συσκευασίας, που καθαρίζει, αντιστατικός, επεξεργασία κλονισμού.
Σύμφωνα με την ποσότητα και τη μορφή του προϊόντος, θα πάρουμε μια διαφορετική διαδικασία συσκευασίας! Σχεδόν από την ενιαία γκοφρέτα η κασέτα κασετών ή 25pcs σε 100 βαθμολογεί το καθαρίζοντας δωμάτιο.