Συσκευές Dia 50.8mm BAW γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου AlN 1 ίντσας
Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: | Κίνα |
Μάρκα: | ZMKJ |
Αριθμό μοντέλου: | UTI-AlN-1inch ενιαίο κρύσταλλο |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: | 1PCS |
---|---|
Τιμή: | by case |
Συσκευασία λεπτομέρειες: | ενιαίο εμπορευματοκιβώτιο γκοφρετών στον καθαρισμό του δωματίου |
Χρόνος παράδοσης: | σε 30days |
Όροι πληρωμής: | T/T, Western Union, Paypal |
Δυνατότητα προσφοράς: | 10PCS/Month |
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
υλικό: | Κρύσταλλο AlN | πάχος: | 400um |
---|---|---|---|
Προσανατολισμός: | 0001 | εφαρμογή: | ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής δύναμης/υψηλής συχνότητας |
εφαρμογή 2: | συσκευές 5G saw/BAW | RA: | 0.5nm |
επιφάνεια που γυαλίζεται: | Πρόσωπο Al cmp, βουλευτής ν-προσώπου | τύπος κρυστάλλου: | 2H |
Υψηλό φως: | Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου AlN,γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου 50.8mm,Γκοφρέτα AlN συσκευών BAW |
Περιγραφή προϊόντων
γκοφρέτες ενιαίου κρυστάλλου υποστρωμάτων/AlN dia50.8mm 2inch 1inch AlN
10x10mm ή διάμετρος 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, γκοφρέτες ενιαίου κρυστάλλου AlN υποστρωμάτων dia50.8mm AlN
Εφαρμογές Πρότυπο AlN
έχουμε αναπτύξει παρουσιάσεις σε συνέχειες των ιδιόκτητων διαδικασιών και των τεχνολογιών για να κατασκευάσουμε
υψηλής ποιότητας πρότυπα AlN. Αυτή τη στιγμή, ο cOem μας είναι η μόνη επιχείρηση παγκοσμίως ποιος μπορεί να παραγάγει 2-6 την ίντσα AlN
πρότυπα στη μεγάλης κλίμακας ικανότητα βιομηχανικής παραγωγής με την ικανότητα 300.000 κομματιών να συναντηθεί το 2020 η εκρηκτική ύλη
ζήτηση στην αγορά από την uvc-ΟΔΗΓΗΜΕΝΗ, ασύρματη επικοινωνία 5G, UV ανιχνευτές και αισθητήρες κ.λπ.
Παρέχουμε αυτήν την περίοδο στους πελάτες τυποποιημένο 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm υψηλό - ποιοτικό άζωτο
Τα προϊόντα υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου αργιλίου, και μπορούν επίσης να παρέχουν στους πελάτες 1020mm μη πολικό
Το μ-επίπεδο υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου νιτριδίων αργιλίου, ή προσαρμόζει μεταβλητά 5mm50.8mm στους πελάτες
Γυαλισμένο υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου νιτριδίων αργιλίου. Αυτό το προϊόν χρησιμοποιείται ευρέως ως υλικό υποστρωμάτων υψηλών σημείων
Χρησιμοποιημένος στα uvc-ΟΔΗΓΗΜΕΝΑ τσιπ, τους UV ανιχνευτές, τα UV λέιζερ, και τη διάφορη υψηλή δύναμη
θερμοκρασία του /High/τομέας ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής συχνότητας.
Τα προϊόντα υποστρωμάτων ενιαίου κρυστάλλου αργιλίου, και μπορούν επίσης να παρέχουν στους πελάτες 1020mm μη πολικό
Το μ-επίπεδο υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου νιτριδίων αργιλίου, ή προσαρμόζει μεταβλητά 5mm50.8mm στους πελάτες
Γυαλισμένο υπόστρωμα ενιαίου κρυστάλλου νιτριδίων αργιλίου. Αυτό το προϊόν χρησιμοποιείται ευρέως ως υλικό υποστρωμάτων υψηλών σημείων
Χρησιμοποιημένος στα uvc-ΟΔΗΓΗΜΕΝΑ τσιπ, τους UV ανιχνευτές, τα UV λέιζερ, και τη διάφορη υψηλή δύναμη
θερμοκρασία του /High/τομέας ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής συχνότητας.
Χαρακτηριστική προδιαγραφή
- Πρότυπο UTI-AlN-10x10B-ενιαίος κρύσταλλο
- Διάμετρος 10x10±0.5mm ή dia10mm, dia25.4mm, ή dia30mm, ή dia45mm
- Πάχος υποστρωμάτων (µm) 400 ± 50
- Προσανατολισμός Γ-άξονας [0001] +/- 0.5°
Ποιοτικός βαθμός S-βαθμός (έξοχος) Π-βαθμός (παραγωγή) Ρ-βαθμός (έρευνα)
- Ρωγμές Κανένας Κανένας <3mm>
- FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
- FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
- Τραχύτητα επιφάνειας [5×5µm] (NM) Al-πρόσωπο CMP<0>
- Χρησιμοποιήσιμη περιοχή 90%
- Απορροφητικότητα<50>
- 1$ος του προσανατολισμού μήκους {10-10} ±5°
- TTV (µm) ≤30
- Τόξο (µm) ≤30
- Στρέβλωση (µm) -30~30
- Σημείωση: Αυτά τα αποτελέσματα χαρακτηρισμού μπορούν να ποικίλουν ελαφρώς ανάλογα με τους εξοπλισμούς ή/και το λογισμικό που χρησιμοποιούνται
στοιχείο ακαθαρσιών Φε Tj Si Β NA W. Σελ. S Γ Ο
PPMW 27 90 5,4 0,92 0,23 <0>
Δομή κρυστάλλου |
Wurtzite |
Σταθερά δικτυωτού πλέγματος (Å) | a=3.112, c=4.982 |
Τύπος ζωνών διεξαγωγής | Άμεσο bandgap |
Πυκνότητα (g/cm3) | 3.23 |
Microhardness επιφάνειας (δοκιμή Knoop) | 800 |
Σημείο τήξης (℃) | 2750 (φραγμός 10-100 στο Ν2) |
Θερμική αγωγιμότητα (W/m·Κ) | 320 |
Ενέργεια χάσματος ζωνών (eV) | 6.28 |
Κινητικότητα ηλεκτρονίων (Β·s/cm2) | 1100 |
Ηλεκτρικός τομέας διακοπής (MV/cm) | 11.7 |
Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν