Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου

Άλλα βίντεο
April 08, 2025
Σύντομο: Discover the High Purity Semi-Insulating HPSI SiC Powder, a 99.9999% purity material essential for power electronics, optoelectronic devices, and high-temperature applications. Learn how this advanced silicon carbide powder drives next-generation semiconductor crystal growth.
Σχετικά Χαρακτηριστικά Προϊόντος:
  • Exceptional purity of ≥ 99.9999% (6N) for high-performance applications.
  • Particle size ranges from 0.5 µm to 10 µm for uniform processing.
  • High resistivity between 10⁵ - 10⁷ Ω*cm for semi-insulating properties.
  • Superior thermal conductivity of ~490 W/m*K for efficient heat dissipation.
  • Ευρύ χάσμα ζώνης ~3.26 eV, ιδανικό για συσκευές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.
  • Extreme hardness with a Mohs rating of 9.5 for durability.
  • Used in Physical Vapor Transport (PVT) for SiC single crystal growth.
  • Customizable particle size, purity, and doping for specific needs.
FAQS:
  • What is HPSI silicon carbide (SiC) powder used for?
    HPSI SiC powder is used in sandblasting injectors, automotive water pump seals, bearings, pump components, and extrusion dies, leveraging its high hardness, abrasion resistance, and corrosion resistance.
  • Τι είναι η σκόνη HPSI Silicon Carbide (SiC);
    Η σκόνη HPSI (High Purity Sintered) Silicon Carbide είναι υλικό SiC υψηλής καθαρότητας και υψηλής πυκνότητας που παράγεται μέσω προηγμένων διαδικασιών συντρίψεως.ιδανικό για ημιαγωγούς και εφαρμογές υψηλών επιδόσεων.
  • Can HPSI SiC powder be customized for specific applications?
    Yes, HPSI SiC powder can be tailored in terms of particle size, purity level, and doping concentration to meet specific industrial or research requirements.
  • How does HPSI SiC powder directly impact semiconductor wafer quality?
    Its purity, particle size, and crystal phase directly determine the quality and performance of semiconductor wafers, ensuring high efficiency and reliability in electronic devices.
Σχετικά βίντεο

Σαμπάνια Μοϊσανίτη

Άλλα βίντεο
December 16, 2024