Καρβίδιο του Πυριτίου (SiC) 10×10 mm Υπόστρωμα / Μικρό Τετράγωνο Chip

συζήτηση Μας ελάτε σε επαφή με

Καρβίδιο του Πυριτίου (SiC) 10×10 mm Υπόστρωμα / Μικρό Τετράγωνο Chip – SiC Υψηλής Απόδοσης

Άλλα βίντεο

August 27, 2025

Σύνδεση Κατηγορίας: Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου

συζήτηση Μας ελάτε σε επαφή με

Ετικέτες:

#υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου #γκοφρέτα SIC #γκοφρέτες πυριτίου στο σάπφειρο

Σύντομο: Discover the high-performance Silicon Carbide (SiC) 10×10 mm Substrate / Small Square Chip, designed for modern power electronics and optoelectronic devices. With exceptional heat dissipation, wide electronic bandgap, and chemical robustness, this SiC chip is ideal for extreme conditions like high temperature, high voltage, and high switching frequency environments. Perfect for R&D labs, prototype development, and specialized device manufacturing.

Σχετικά Χαρακτηριστικά Προϊόντος:

Προηγμένο βασικό υλικό μονοκρυστάλλων ημιαγωγών για ηλεκτρονικά συστήματα ισχύος και οπτοηλεκτρονικές συσκευές.
Exceptional heat dissipation capability and wide electronic bandgap for reliable operation in extreme conditions.
Precisely cut to 10×10mm, widely used in R&D labs and prototype development.
Manufactured using Physical Vapor Transport (PVT) or sublimation crystal growth technologies.
Available in 4H-SiC and 6H-SiC crystal structures for high-voltage power electronics and RF applications.
High thermal conductivity (3.0-4.9 W/cm*K) and mechanical strength (9.2 Mohs).
Customizable dimensions, doping profiles, and surface treatments to meet specific needs.
Ideal for power electronics, high-frequency devices, optoelectronics, aerospace, and academic research.

FAQS:

Why choose SiC substrates over traditional silicon?

SiC offers higher breakdown strength, superior thermal performance, and significantly lower switching losses, enabling greater efficiency and reliability.
Can these substrates be provided with epitaxial layers?

Yes, epi-ready and custom epitaxy options are available for high-power, RF, or optoelectronic device requirements.
How do SiC substrates perform under extreme operating conditions?

They maintain structural integrity and electrical stability at temperatures exceeding 600°C and in radiation-prone environments, making them indispensable in aerospace, defense, and high-power industrial sectors.