 |
Niobate λίθιου γκοφρετών 2inch 3inch 4inch LNOI LiNbO3 στρώμα λεπτών ταινιών στο υπόστρωμα πυριτίου
Λεπτομέρειες:
| Τόπος καταγωγής: | Κίνα |
| Μάρκα: | ZMKJ |
| Πιστοποίηση: | ROHS |
| Αριθμό μοντέλου: | JZ-2inch 3inch 4inch ίντσα-LNOI |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
| Ποσότητα παραγγελίας min: | 1pcs |
|---|---|
| Τιμή: | by case |
| Συσκευασία λεπτομέρειες: | ενιαίο εμπορευματοκιβώτιο γκοφρετών στον καθαρισμό του δωματίου |
| Χρόνος παράδοσης: | 4 εβδομάδες |
| Όροι πληρωμής: | T/T, Western Union, Paypal |
| Δυνατότητα προσφοράς: | 10pcs/month |
|
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
| Υλικό: | LiNbO3 στρώμα στο υπόστρωμα πυριτίου | Πάχος στρώματος: | 300-1000nm |
|---|---|---|---|
| προσανατολισμός: | Χ-ΠΕΡΙΚΟΠΗ | RA: | 0.5nm |
| Στρώμα απομόνωσης: | Sio2 | Υπόστρωμα: | 525um |
| Μέγεθος: | 2inch 3inch 4inch 8inch | Όνομα προϊόντων: | LNOI |
| Υψηλό φως: | 4inch Niobate λίθιου γκοφρέτα,Niobate λίθιου λεπτών ταινιών LNOI γκοφρέτα,LiNbO3 υπόστρωμα πυριτίου |
||
Περιγραφή προϊόντων
Niobate λίθιου γκοφρετών 2inch 3inch 4inch LNOI LiNbO3 στρώμα λεπτών ταινιών στο υπόστρωμα πυριτίου
Η διαδικασία προετοιμασιών γκοφρετών LNOI παρουσιάζεται κατωτέρω, συμπεριλαμβανομένων των ακόλουθων πέντε βημάτων:
(1) ιονική εμφύτευση: Η ιονική μηχανή εμφύτευσης χρησιμοποιείται για να οδηγήσει υψηλής ενέργειας αυτός ιόντα από την ανώτερη επιφάνεια niobate λίθιου του κρυστάλλου. Όταν ιόντα με τη συγκεκριμένη ενέργεια εισάγει το κρύσταλλο, θα εμποδιστούν από τα άτομα και τα ηλεκτρόνια στο κρύσταλλο LN και να επιβραδύνουν βαθμιαία και θα μείνουν στη συγκεκριμένη θέση βάθους Α, που καταστρέφει τη δομή κρυστάλλου κοντά σε αυτήν την θέση και που χωρίζει το κρύσταλλο LN στα ανώτερα και χαμηλότερα στρώματα A/B. Και χωρίστε το Α σε ζώνες πρόκειται να είναι η λεπτή ταινία που πρέπει να κάνουμε LNOI.
(2) προετοιμασία υποστρωμάτων: Για να κάνει niobate λίθιου λεπτών ταινιών τις γκοφρέτες, δεν είναι βεβαίως δυνατό να αφεθούν οι εκατοντάδες των λεπτών ταινιών NM LN σε ένα ανασταλμένο κράτος. Τα κρμμένος κάτω από ενισχυτικά υλικά απαιτούνται. Στις κοινές γκοφρέτες SOI, το υπόστρωμα είναι ένα στρώμα των γκοφρετών πυριτίου με ένα πάχος περισσότερο από 500um, και έπειτα το διηλεκτρικό στρώμα SiO2 προετοιμάζεται στην επιφάνεια. Τέλος, η monocrystalline λεπτή ταινία πυριτίου συνδέεται στην ανώτερη επιφάνεια για να διαμορφώσει τις γκοφρέτες SOI. Όσον αφορά στις γκοφρέτες LNOI, το Si και LN είναι συνήθως χρησιμοποιημένα υποστρώματα, και έπειτα το διηλεκτρικό στρώμα SiO2 προετοιμάζεται με το θερμικό οξυγόνο ή τη διαδικασία απόθεσης PECVD. Εάν η επιφάνεια του διηλεκτρικού στρώματος είναι ανώμαλη, η χημική μηχανική διαδικασία λείανσης CMP απαιτείται για να καταστήσει την ανώτερη επιφάνεια ομαλή και ομαλή, η οποία είναι κατάλληλη για την επόμενη συνδέοντας διαδικασία.
(3) ταινία που συνδέει: Χρησιμοποιώντας μια συνδέοντας συσκευή γκοφρετών, το εμφυτευμένο ιόν κρύσταλλο LN αντιστρέφεται 180 βαθμούς και συνδέεται με το υπόστρωμα. Για την παραγωγή επιπέδων γκοφρετών, οι συνδέοντας επιφάνειες και των υποστρωμάτων και LN λειαίνονται, συνήθως με την άμεση σύνδεση χωρίς την ανάγκη για τα ενδιάμεσα υλικά συνδέσμων. Για τη επιστημονική έρευνα, BCB (benzocyclobutene) μπορεί επίσης να χρησιμοποιηθεί ως ενδιάμεσο υλικό συνδέσμων στρώματος για να επιτύχει τον κύβο για να πεθάνει συνδέοντας. Ο συνδέοντας τρόπος BCB έχει μια χαμηλή απαίτηση στην ομαλότητα της συνδέοντας επιφάνειας, η οποία είναι πολύ κατάλληλη για τα πειράματα επιστημονικής έρευνας. Εντούτοις, BCBS δεν έχουν τη μακροπρόθεσμη σταθερότητα, έτσι η σύνδεση BCB δεν χρησιμοποιείται συνήθως στην παραγωγή γκοφρετών
(4) ανοπτώντας και γδύνοντας: Αφότου συνδέονται οι δύο επιφάνειες κρυστάλλου και εξωθούνται, η υψηλής θερμοκρασίας διαδικασία ανόπτησης και γδυσίματος απαιτείται. Αφότου εγκαθίσταται η επιφάνεια των δύο κρυστάλλων, διατηρεί αρχικά ότι το Α ορισμένος χρόνος σε μια συγκεκριμένη θερμοκρασία να ενισχυθεί η συνδέοντας δύναμη διεπαφών, και κάνει την εγχθμένη ιονική φυσαλίδα στρώματος, έτσι ώστε οι ταινίες Α και Β είναι βαθμιαία χωρισμένες. Τέλος, ο μηχανικός εξοπλισμός χρησιμοποιείται για να ξεφλουδίσει τις δύο ταινίες χώρια, και έπειτα βαθμιαία να μειώσει τη θερμοκρασία στη θερμοκρασία δωματίου για να ολοκληρώσει την ολόκληρη διαδικασία ανόπτησης και γδυσίματος.
(5) CMP που ισιώνει: Μετά από να ανοπτήσει, η επιφάνεια της γκοφρέτας LNOI είναι τραχιά και ανώμαλη. Η περαιτέρω εξομάλυνση CMP απαιτείται για να καταστήσει την ταινία στην επιφάνεια γκοφρετών επίπεδη και να μειώσει την τραχύτητα επιφάνειας.
Χαρακτηριστική προδιαγραφή
| Niobate λίθιου 300-900 NM λεπτές ταινίες (LNOI) | ||||
| Τοπ λειτουργικό στρώμα | ||||
| Διάμετρος | 3, 4, (6) ίντσα | Προσανατολισμός | Χ, Ζ, Υ Κ.ΛΠ. | |
| Υλικό | LiNbO3 | Πάχος | 300-900 NM | |
| Ναρκωμένος (προαιρετικός) | MgO | |||
| Στρώμα απομόνωσης | ||||
| Υλικό | SiO2 | Πάχος | 1000-4000 NM | |
| Υπόστρωμα | ||||
| Υλικό | Si, LN, χαλαζίας, λιωμένο πυρίτιο κ.λπ. | |||
| Πάχος | 400-500 μm | |||
| Προαιρετικό στρώμα ηλεκτροδίων | ||||
| Υλικό | PT, Au, χρώμιο | Πάχος | 100-400 NM | |
| Δομή | Επάνω από ή κάτω από το στρώμα απομόνωσης SiO2 | |||
Εφαρμογή του LN--πυριτίου
1, επικοινωνία οπτικής ίνας, όπως ο διαμορφωτής κυματοδηγού, κ.λπ. Έναντι των παραδοσιακών προϊόντων, ο όγκος των συσκευών που παράγονται με τη χρησιμοποίηση αυτού του υλικού λεπτών ταινιών μπορεί να μειωθεί από περισσότερους του ενός εκατομμύρισσες φορές, η ολοκλήρωση βελτιώνεται πολύ, το εύρος ζώνης απάντησης είναι ευρύ, η κατανάλωση ισχύος είναι μικρή, η απόδοση είναι σταθερότερη, και το κόστος παραγωγής μειώνεται.
2, ηλεκτρονικές συσκευές, όπως υψηλός - τα ποιοτικά φίλτρα, καθυστερούν τις γραμμές, κ.λπ.
3, η αποθήκευση πληροφοριών, και μπορούν να πραγματοποιήσουν την αποθήκευση πληροφοριών υψηλής πυκνότητας, μια μεγάλη χωρητικότητα πληροφοριών ταινιών 3 ίντσας 70 τ (CD 100000)
Επίδειξη Niobate λίθιου του στρώματος λεπτών ταινιών γκοφρετών στο υπόστρωμα πυριτίου
