 
|
Ημιμονωτικές πλάκες SiC 3 ιντσών 76,2 mm 4H τύπου SiC για ημιαγωγούς
Λεπτομέρειες:
| Τόπος καταγωγής: | Κίνα |
| Μάρκα: | ZMSH |
| Αριθμό μοντέλου: | Μισομονωτικές πλάκες SiC 3 ιντσών |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
| Ποσότητα παραγγελίας min: | 1 |
|---|---|
| Χρόνος παράδοσης: | 2-4 εβδομάδες |
| Όροι πληρωμής: | Τ/Τ |
|
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
| Μέγεθος: | 3 ίντσες 76,2 χιλιοστά | Δομή κρυστάλλου: | Εξαγωνική |
|---|---|---|---|
| Ενεργειακό κενό: π.χ.: | 3.26 | Κινητικότητα ηλεκτρονίων: μ, ((cm^2 /Vs): | 900 |
| Κινητικότητα τρύπας: up ((cm ^ 2): | 100 | Το πεδίο διάσπασης: E ((V/cm) X10^6: | 3 |
| Θερμική αγωγιμότητα ((W/cm): | 4.9 | Σχετική διηλεκτρική σταθερά: es: | 9.7 |
| Υψηλό φως: | Ημιαγωγοί SiC Wafers,Ημιμονωτικές πλάκες SiC,3 ιντσών Σίλικον Καρμίδιο Wafer |
||
Περιγραφή προϊόντων
Σύνοψη
Το 4-HΗμιαμονωτικά SiCΤο υποστρώμα είναι ένα υλικό ημιαγωγών υψηλών επιδόσεων με ευρύ φάσμα εφαρμογών.Αυτό το υπόστρωμα παρουσιάζει εξαιρετικά ηλεκτρικά χαρακτηριστικά, συμπεριλαμβανομένης της υψηλής αντίστασης και της χαμηλής συγκέντρωσης φορέα, καθιστώντας την ιδανική επιλογή για συσκευές ραδιοσυχνοτήτων (RF), μικροκυμάτων και ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος.
Βασικά χαρακτηριστικά του 4-HΗμιμονωτικό SiCΤο υπόστρωμα έχει εξαιρετικά ομοιόμορφες ηλεκτρικές ιδιότητες, χαμηλή συγκέντρωση προσμείξεων και εξαιρετική θερμική σταθερότητα.Αυτές οι ιδιότητες το καθιστούν κατάλληλο για την κατασκευή συσκευών υψηλής συχνότητας RF, ηλεκτρονικούς αισθητήρες υψηλής θερμοκρασίας και ηλεκτρονικό εξοπλισμό μικροκυμάτων.Η υψηλή αντοχή του πεδίου διάσπασης και η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα το τοποθετούν επίσης ως το προτιμώμενο υπόστρωμα για συσκευές υψηλής ισχύος.
Επιπλέον, το 4-HΗμιαμονωτικά SiCΤο υπόστρωμα παρουσιάζει εξαιρετική χημική σταθερότητα, επιτρέποντάς του να λειτουργεί σε διαβρωτικά περιβάλλοντα και διευρύνοντας το εύρος των εφαρμογών του.Διαδραματίζει κρίσιμο ρόλο σε βιομηχανίες όπως η κατασκευή ημιαγωγών, τηλεπικοινωνιών, άμυνας, και υψηλής ενέργειας πειράματα φυσικής.
Συνοπτικά, το 4-HΗμιμονωτικό SiCυποστρώμα, με τις εξαιρετικές ηλεκτρικές και θερμικές του ιδιότητες,έχει σημαντικές υποσχέσεις στον τομέα των ημιαγωγών και παρέχει αξιόπιστη βάση για την παραγωγή ηλεκτρονικών συσκευών υψηλών επιδόσεων.
Ιδιότητες
Ηλεκτρικές ιδιότητες:
- Υψηλή αντοχή:4H Ημιαμονωτικά SiCέχει πολύ υψηλή αντίσταση, καθιστώντας το εξαιρετικό υλικό για ημιμονωτικές εφαρμογές όπου επιθυμείται χαμηλή ηλεκτρική αγωγιμότητα.
- Εξαιτίας του μεγάλου εύρους ζώνης,4H ημιμόνωση SiCέχει υψηλή τάση διακοπής, καθιστώντας το κατάλληλο για εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής τάσης.
Θερμικές ιδιότητες:
- Υψηλή θερμική αγωγιμότητα:SiCΓενικά έχει υψηλή θερμική αγωγιμότητα και αυτή η ιδιότητα επεκτείνεται σε 4-H ημιμονωτικόSiCΕπίσης, βοηθά στην αποτελεσματική διάχυση της θερμότητας.
- Θερμική σταθερότητα: Αυτό το υλικό διατηρεί τις ιδιότητές του και τις επιδόσεις του ακόμη και σε υψηλές θερμοκρασίες, καθιστώντας το κατάλληλο για χρήση σε σκληρά θερμικά περιβάλλοντα.
Μηχανικές και φυσικές ιδιότητες:
- Σκληρότητα: Όπως και άλλες μορφέςSiC, το4-H ημιμόνωσηΗ παραλλαγή είναι επίσης πολύ σκληρή και ανθεκτική στην τριβή.
- Χημική αδρανότητα: Είναι χημικά αδρανής και ανθεκτικός στα περισσότερα οξέα και αλκαλικά, εξασφαλίζοντας σταθερότητα και μακροζωία σε σκληρά χημικά περιβάλλοντα.
| Πολυτύπος | Μοναδικός κρύσταλλος 4H | ||
| Παράμετροι πλέγματος | α=3,076 Α C=10.053 Α |
||
| Αλληλουχία στοιβάσματος | ABCB | ||
| Τραπεζικό κενό | 3.26 eV | ||
| Σφιχτότητα | 3.21 10^3 kg/m^3 | ||
| Θερμικός συντελεστής διαστολής | 4-5x10^-6/K | ||
| Δείκτης διάθλασης | όχι = 2.719 ne = 2.777 |
||
| Διορθωτική σταθερά | 9.6 | ||
| Θερμική αγωγιμότητα | 490 W/mK | ||
| Ηλεκτρικό πεδίο κατάρρευσης | 2-4 108 V/m | ||
| Ταχύτητα άτρησης κορεσμού | 2.0 105 m/s | ||
| Κινητικότητα ηλεκτρονίων | 800 cm^2NS | ||
| Τρύπα Κινητικότητα | 115 cm^2N·S | ||
| Σκληρότητα Mohs | 9 |
Οπτικές ιδιότητες:
- Διαφάνεια σε υπέρυθρα:4H ημιμονωτικό SiCείναι διαφανές στο υπέρυθρο φως, το οποίο μπορεί να είναι ευεργετικό σε ορισμένες οπτικές εφαρμογές.
Πλεονεκτήματα για ειδικές εφαρμογές:
- Ηλεκτρονικά: Ιδανικό για συσκευές υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος λόγω της υψηλής τάσης διάσπασης και της θερμικής αγωγιμότητας.
- Οπτοηλεκτρονική: Κατάλληλη για οπτοηλεκτρονικές συσκευές που λειτουργούν στην περιοχή του υπέρυθρου.
- Συσκευές ισχύος: Χρησιμοποιούνται στην κατασκευή συσκευών ισχύος όπως διόδους Schottky, MOSFET και IGBT.
4H ημιμονωτικό SiCείναι ένα ευέλικτο υλικό που χρησιμοποιείται σε διάφορες εφαρμογές υψηλών επιδόσεων λόγω των εξαιρετικών ηλεκτρικών, θερμικών και φυσικών του ιδιοτήτων.
Για την εταιρεία μας
πώληση και εξυπηρέτηση πελατών
Αγορά υλικών
Το τμήμα αγοράς υλικών είναι υπεύθυνο για τη συλλογή όλων των πρώτων υλών που απαιτούνται για την παραγωγή του προϊόντος σας.συμπεριλαμβανομένων των χημικών και φυσικών αναλύσεων είναι πάντα διαθέσιμα.
Ποιότητα
Κατά τη διάρκεια και μετά την κατασκευή ή την επεξεργασία των προϊόντων σας, το τμήμα ελέγχου ποιότητας συμμετέχει στο να βεβαιωθεί ότι όλα τα υλικά και οι ανοχές πληρούν ή υπερβαίνουν τις προδιαγραφές σας.
Υπηρεσία
Είμαστε περήφανοι που έχουμε προσωπικό μηχανικών πωλήσεων με πάνω από 5 χρόνια εμπειρίας στη βιομηχανία ημιαγωγών.Είναι εκπαιδευμένοι να απαντούν σε τεχνικές ερωτήσεις και να παρέχουν έγκαιρα προσφορές για τις ανάγκες σας.
Είμαστε στο πλευρό σας οποτεδήποτε έχετε πρόβλημα και το λύνουμε σε 10 ώρες.