 |
GaP Wafer Gallium Phosphide Single Crystal Orientation (111)A 0°±0.2 Ηλιακά κύτταρα
Λεπτομέρειες:
| Τόπος καταγωγής: | China |
| Μάρκα: | ZMSH |
| Αριθμό μοντέλου: | GaP wafer |
|
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
| Δάχος: | Min:175 Max:225 | Dopant: | S |
|---|---|---|---|
| Επιφάνεια Φινίρισμα πίσω: | Χωρισμένα | αρίθμηση μορίων: | Α/Χ |
| Στρογγυλοποίηση άκρων: | 0.250mmR | IF Τοποθεσία/Μέρος: | ΕΔ[0-1-1]/ 7±1 mm |
| Τύπος συμπεριφοράς: | S-C-N | Επι- έτοιμος: | - Ναι, ναι. |
| Υψηλό φως: | Υποστρώμα ημιαγωγών GaP Wafer,Φωσφογόνο γαλλίου με μονοκρυσταλλικό προσανατολισμό,Φωσφογόνο γαλλίου GaP Wafer |
||
Περιγραφή προϊόντων
GaP Wafer, Gallium Phosphide μονοκρυσταλλικός προσανατολισμός (111)A 0°±0.2 Ηλιακά κύτταρα
Περιγραφή του προϊόντος:
Το Φωσφορίδιο Γαλλίου GaP, ένας σημαντικός ημιαγωγός με μοναδικές ηλεκτρικές ιδιότητες όπως και άλλα σύνθετα υλικά III-V, κρυσταλλώνεται στη θερμοδυναμικά σταθερή κυβική δομή ZB,είναι ένα πορτοκαλί-κίτρινο ημιδιαφανές κρυσταλλικό υλικό με έμμεσο κενό ζώνης 2.26 eV (300K), το οποίο συντίθεται από 6N 7N γαλλίου υψηλής καθαρότητας και φωσφόρου και αναπτύσσεται σε ενιαίο κρύσταλλο με τη μέθοδο Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Κρυστάλλιο φωσφοριούχου γαλλίου είναι τοποθετημένο σε θείο ή τελούριο για να αποκτήσει ημιαγωγό τύπου n, και ψευδαργύρου με ντόπιση ως αγωγιμότητα τύπου p για περαιτέρω κατασκευή σε επιθυμητή πλάκα, η οποία έχει εφαρμογές σε οπτικά συστήματα, ηλεκτρονικές και άλλες συσκευές οπτοηλεκτρονικής.Το Single Crystal GaP Wafer μπορεί να ετοιμαστεί Epi-Ready για το LPEΥψηλής ποιότητας μονοκρυστάλλιο φωσφορικού γαλλίου GaP πλακίδας p-τύπου,Η αγωγιμότητα τύπου n ή χωρίς ντόπινγκ στην Western Minmetals (SC) Corporation μπορεί να προσφέρεται σε μέγεθος 2 ′′ και 3 ′′ (50mm), διαμέτρου 75 mm), προσανατολισμός < 100>, < 111> με επιφανειακή επιφάνεια από κόψιμο, γυαλισμό ή προετοιμασία για επίδειξη.
Χαρακτηριστικά:
- Ευρύ εύρος ζώνης κατάλληλο για την εκπομπή συγκεκριμένων μήκων κύματος φωτός.
- GaP Wafer Εξαιρετικές οπτικές ιδιότητες που επιτρέπουν την παραγωγή LED σε διάφορα χρώματα.
- Υψηλή απόδοση στην παραγωγή κόκκινων, κίτρινων και πράσινων φωτισμών για LED.
- Ανώτερη ικανότητα απορρόφησης φωτός σε συγκεκριμένα μήκη κύματος.
- Καλή ηλεκτρική αγωγιμότητα που διευκολύνει τις ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής συχνότητας.
- GaP Wafer Κατάλληλη θερμική σταθερότητα για αξιόπιστη απόδοση.
- Χημική σταθερότητα κατάλληλη για διεργασίες κατασκευής ημιαγωγών.
- GaP Wafer Ευνοϊκές παράμετροι πλέγματος για επιτακτική ανάπτυξη πρόσθετων στρωμάτων.
- Ικανότητα να χρησιμεύει ως υπόστρωμα για την εναπόθεση ημιαγωγών.
- Υλικό με υψηλή θερμική αγωγιμότητα.
- Εξαιρετικές οπτοηλεκτρονικές δυνατότητες για φωτοανιχνευτές.
- Πολυδιάστατη στο σχεδιασμό οπτικών συσκευών για συγκεκριμένα εύρους μήκους κύματος.
- Πιθανή εφαρμογή σε ηλιακά κύτταρα για προσαρμοσμένη απορρόφηση φωτός.
- Σχετικά ταιριαστές δομές πλέγματος για την ανάπτυξη ποιοτικών ημιαγωγών.
- Βασικός ρόλος στην κατασκευή LED, διόδων λέιζερ και φωτοανιχνευτών λόγω των οπτικών και ηλεκτρικών ιδιοτήτων του.
Τεχνικές παραμέτρους:
| Παράμετρος | Αξία |
|---|---|
| Μέθοδος ανάπτυξης | ΔΕΣ |
| ΠΟΥ | Μαξ:10 |
| Διάμετρος | 500,6 ± 0,3 mm |
| Αριθμός σωματιδίων | Α/Χ |
| Γωνία προσανατολισμού | Α/Χ |
| TTV/TIR | Μαξ:10 |
| Δοπτικό | S |
| Σημείωση με λέιζερ | Α/Χ |
| Προσανατολισμός | (111) Α 0°±0.2 |
| Η κινητικότητα | Μίνι:100 |
| Υλικό ημιαγωγών | Υποστρώμα ημιαγωγών |
| Οξείδωση της επιφάνειας | Υπερ-πλούσια πλάκα οξειδίου του πυριτίου |
Εφαρμογές:
- Κατασκευή GaP Wafer LED για την παραγωγή κόκκινων, κίτρινων και πράσινων φώτων.
- Κατασκευή διόδων GaP Wafer Laser για διάφορες οπτικές εφαρμογές.
- Ανάπτυξη φωτοανιχνευτών Wafer GaP για συγκεκριμένα εύρους μήκους κύματος.
- Χρήση GaP Wafer σε οπτοηλεκτρονικούς αισθητήρες και αισθητήρες φωτός.
- Εναρμόνιση ηλιακών κυψελών για προσαρμοσμένη απορρόφηση φάσματος φωτός.
- GaP Wafer Παραγωγή οθονών οθόνης και προβολέων.
- GaP Wafer Συνεισφορά σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής συχνότητας.
- Φόρμανση GaP Wafer οπτικών συσκευών για διαφορετικά εύρη μήκους κύματος.
- GaP Wafer Χρήση σε τηλεπικοινωνίες και οπτικά συστήματα επικοινωνίας.
- GaP Wafer Ανάπτυξη φωτονικών συσκευών επεξεργασίας σήματος.
- Ενσωμάτωση Wafer GaP σε αισθητήρες υπέρυθρου (IR) και υπεριώδους (UV).
- Εφαρμογή GaP Wafer σε βιοϊατρικές και περιβαλλοντικές συσκευές αισθητήρα.
- Εφαρμογή GaP Wafer σε στρατιωτικά και αεροδιαστημικά οπτικά συστήματα.
- Ενσωμάτωση GaP Wafer σε φασματοσκοπία και αναλυτικά όργανα.
- GaP Wafer Χρήση σε έρευνα και ανάπτυξη για αναδυόμενες τεχνολογίες.
Προσαρμογή:
Ετικέτα: ZMSH
Αριθμός μοντέλου: GaP wafer
Χώρος προέλευσης: Κίνα
TTV/TIR: Μέγιστο:10
Μαξ.10
Η θέση/μήκος: EJ[0-1-1]/ 16±1mm
Κινητικότητα: Min:100
Αντίσταση: Min:0.01 Μαξ:0.5 Ω.cm
Χαρακτηριστικά:
• Χρησιμοποιώντας τεχνολογία λεπτής ταινίας
• Πλάκα οξειδίου του πυριτίου
• Ηλεκτροοξείδωση
• Προσαρμοσμένη υπηρεσία
Υποστήριξη και υπηρεσίες:
Παρέχουμε ένα ευρύ φάσμα τεχνικής υποστήριξης και υπηρεσιών για τα προϊόντα υποστρώματος ημιαγωγών.
Είτε χρειάζεστε συμβουλές σχετικά με την επιλογή του προϊόντος, την εγκατάσταση, τις δοκιμές ή οποιοδήποτε άλλο τεχνικό ζήτημα, είμαστε εδώ για να σας βοηθήσουμε.
- Επιλογή και αξιολόγηση προϊόντων
- Εγκατάσταση και δοκιμές
- Ανάλυση προβλημάτων και επίλυση προβλημάτων
- Βελτιστοποίηση των επιδόσεων
- Εκπαίδευση και κατάρτιση για προϊόντα
Η ομάδα μας από έμπειρους μηχανικούς και τεχνικούς είναι διαθέσιμη για να απαντήσει σε οποιαδήποτε από τις ερωτήσεις σας και να παρέχει την καλύτερη τεχνική συμβουλή και υποστήριξη.Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα και αφήστε μας να σας βοηθήσουμε να βρείτε την καλύτερη λύση για τις ανάγκες σας.