Παγκόσμιος χάρτης πορείας βιομηχανικής αλυσίδας και τεχνολογίας νιτρικού γαλλίου (GaN)

Εγώ.- Δεν ξέρω.Νιτρίδιο του γαλίου (GaN)- Δεν ξέρω.
Το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) είναι μια ανόργανη χημική ένωση με τον τύπο ΓΚΑΝ , αποτελείται από γαλλίο (Ga) και άζωτο (N).υλικό ημιαγωγών τρίτης γενιάς Οι βασικές ιδιότητες του υλικού περιλαμβάνουν:

• - Δεν ξέρω.Διαρθρωτική σταθερότητα σε ακραίες συνθήκες
• - Δεν ξέρω.Υψηλό σημείο τήξης.(≥ 1700°C)
• - Δεν ξέρω.Αντίσταση υψηλής τάσης.(πεδίο διάσπασης ~ 3,3 MV/cm)
• - Δεν ξέρω.Ανεκτικότητα σε ακτινοβολία(αποτελεσματική για το διάστημα και το πυρηνικό περιβάλλον)

Αυτός ο ημιαγωγός ευρείας ζώνης εμφανίζει ανώτερη απόδοση σε σκληρά περιβάλλοντα λειτουργίας σε σύγκριση με τα παραδοσιακά υλικά με βάση το πυρίτιο, καθιστώντας τον κρίσιμο για εφαρμογές στην ηλεκτρονική ισχύος,συστήματα ραδιοσυχνοτήτων (RF) και οπτοηλεκτρονικά.

ΙΙ. Μέγεθος της αγοράς και τάσεις ανάπτυξης
Με τη συνεχή επέκταση της τεχνολογίας νιτρικού γαλλίου (GaN) από τα καταναλωτικά ηλεκτρονικά προϊόντα σε εφαρμογές υψηλής ισχύος, όπως τα ηλεκτρικά οχήματα (EV), η αποθήκευση φωτοβολταϊκής ενέργειας και τα κέντρα δεδομένων,Η παγκόσμια αγορά συσκευών ισχύος GaN παρουσιάζει επιταχυνόμενη ανάπτυξη:
- Δεν ξέρω.Δεδομένα αγοράς - Επενδύσεις

• Το 2022, το μέγεθος της αγοράς έφτασε τα 180 εκατ. δολάρια ΗΠΑ και προβλέπεται να φτάσει τα 1,33 δισεκατομμύρια δολάρια ΗΠΑ έως το 2026, με συνδυασμένο ετήσιο ρυθμό ανάπτυξης (CAGR) 65%.
• Η ηλεκτρονική κατανάλωση παραμένει το κυρίαρχο τμήμα της αγοράς, που αντιπροσωπεύει περίπου 146 εκατ. δολάρια το 2022 και αναμένεται να αυξηθεί σε 1,307 δισεκατ. δολάρια έως το 2028 (Yole Développement).

- Δεν ξέρω.Επέκταση εφαρμογής - Επενδύσεις

Το πεδίο εφαρμογής έχει επεκταθεί από την παραδοσιακή ταχεία φόρτιση των smartphones και τους προσαρμογείς ισχύος σε σενάρια μεσαίας έως υψηλής ισχύος, συμπεριλαμβανομένων των φορτιστών ενσωματωμένων σε οχήματα νέας ενέργειας (OBC),σταθμοί βάσης τηλεπικοινωνιών, φωτοβολταϊκοί μετατροπείς, διακομιστές κέντρων δεδομένων, βιομηχανικές πηγές ενέργειας και συστήματα αποθήκευσης ενέργειας.

ΙΙΙ. Τεχνικές τάσεις ανάπτυξης και εξέλιξη των εφαρμογών

- Δεν ξέρω.1. Τεχνικές τάσεις- Δεν ξέρω.

• - Δεν ξέρω.Υψηλή ολοκλήρωση : Συνδυασμός οδηγών με συσκευές ισχύος GaN για τη μείωση των περιφερειακών εξαρτημάτων
• - Δεν ξέρω.Υψηλή αξιοπιστία : Αύξηση της σκληρότητας της ακτινοβολίας και της ανθεκτικότητας σε υπερήλξεις
• - Δεν ξέρω.Υψηλή αποδοτικότητα.: Χαμηλή αντίσταση, υψηλή συχνότητα διακόπτη, βελτιωμένη πυκνότητα ισχύος και αποτελεσματικότητα μετατροπής συστήματος

- Δεν ξέρω.- Δεν ξέρω.2. Σενάρια επέκτασης της εφαρμογής - Δεν ξέρω.

IV. Περίληψη και προοπτικές
Το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), ως ο βασικός αντιπρόσωπος των ημιαγωγών τρίτης γενιάς, επιταχύνει την διείσδυση του σε βασικούς τομείς όπως η μετατροπή ισχύος, η γρήγορη φόρτιση,και ηλεκτρικά συστήματα ελέγχου αυτοκινήτων, αξιοποιώντας τα πλεονεκτήματα της υψηλής συχνότητας, της υψηλής απόδοσης και της υψηλής ολοκλήρωσης.

- Δεν ξέρω.Προβλέψεις για τα επόμενα πέντε έτη - Επενδύσεις

1. Η κλίμακα της αγοράς θα συνεχίσει να διπλασιάζεται σε μέγεθος.Θα εισχωρήσουν σταδιακά σε σενάρια υψηλής αξίας, συμπεριλαμβανομένων των συστημάτων κινητήρων αυτοκινήτων, διακομιστές τεχνητής νοημοσύνης, και φωτοβολταϊκούς μετατροπείς.
2. Το τεχνολογικό οικοσύστημα θα περάσει από το "εξοπλισμό" στο "σύστημα".και της βελτιστοποίησης ειδικών εφαρμογών θα γίνουν τα βασικά ανταγωνιστικά διαφοροποιητικά.