Καθώς πλησιάζουμε στο τέλος του 2025, η αγορά καρβιδίου του πυριτίου (SiC) βρίσκεται εν μέσω σημαντικών αλλαγών, με αισθητή απόκλιση στις τάσεις των τιμών και στον ρόλο του υλικού σε διάφορες βιομηχανίες. Ενώ οι τιμές του χύδην SiC αυξάνονται λόγω του αυξημένου κόστους των πρώτων υλών, οι δίσκοι SiC 6 ιντσών βιώνουν επιθετικές μειώσεις τιμών που προκαλούνται από την υπερπροσφορά. Ωστόσο, οι ιδιότητες θερμικής διαχείρισης του υλικού το ωθούν σε νέες εφαρμογές υψηλής αξίας, ιδιαίτερα στην τεχνητή νοημοσύνη (AI) και στις υπολογιστικές επιδόσεις υψηλών επιδόσεων (HPC).
Τις τελευταίες εβδομάδες, η τιμή των υλικών χύδην SiC, όπως οι πράσινες και μαύρες σκόνες SiC, αυξάνεται σταθερά. Σύμφωνα με πηγές της βιομηχανίας, η τιμή του SiC έφτασε πρόσφατα τα 6.271 CNY ανά μετρικό τόνο, αντανακλώντας μια μικρή αύξηση 0,21% από την προηγούμενη εβδομάδα. Αυτή η αύξηση των τιμών οφείλεται σε διάφορους παράγοντες, όπως η σύσφιξη των προμηθειών πρώτων υλών, η υψηλότερη ζήτηση κατάντη και οι περιορισμοί στην παραγωγή που προκαλούνται από περιβαλλοντικούς κανονισμούς.
Αυτοί οι παράγοντες ασκούν ανοδική πίεση στο κόστος του ακατέργαστου SiC, το οποίο μεταφέρεται κατά μήκος της αλυσίδας εφοδιασμού, επηρεάζοντας τα πάντα, από τους διανομείς έως τους τελικούς χρήστες. Αντίθετα, ενώ τα βασικά υλικά SiC αντιμετωπίζουν αυξανόμενες τιμές, η τάση των τιμών για τους δίσκους SiC 6 ιντσών είναι εντελώς αντίθετη.
Η υπερπροσφορά υποστρωμάτων SiC 6 ιντσών έχει δημιουργήσει μια ανταγωνιστική αγορά όπου οι τιμές έχουν μειωθεί δραστικά. Με τους μεγάλους κατασκευαστές να αυξάνουν την παραγωγή, η υπερπροσφορά έχει οδηγήσει σε σημαντική μείωση των τιμών των υποστρωμάτων. Στα τέλη του 2025, η τιμή των δίσκων SiC 6 ιντσών έχει πέσει κάτω από τα 500 USD ανά μονάδα, σημειώνοντας μείωση τιμής 20% από τα μέσα του 2024. Σε ορισμένες περιπτώσεις, οι προμηθευτές προσφέρουν αυτούς τους δίσκους σε τιμές κοντά στο κόστος, σε μια προσπάθεια να διατηρήσουν το μερίδιο αγοράς.
![]()
Αυτή η τάση εντείνει τον ανταγωνισμό και θα μπορούσε ενδεχομένως να αναδιαμορφώσει την παγκόσμια αγορά υποστρωμάτων SiC, καθώς μικρότεροι προμηθευτές αγωνίζονται να επιβιώσουν σε μια κορεσμένη αγορά. Με τις τιμές των δίσκων να συνεχίζουν να πέφτουν, φαίνεται αναπόφευκτη περαιτέρω ενοποίηση της αγοράς.
Ενώ η αγορά SiC αντιμετωπίζει πίεση στο μέτωπο των τιμών, η εφαρμογή του στην AI και την HPC αναδεικνύεται ως η κινητήρια δύναμη πίσω από τη συνεχή ανάπτυξη του υλικού. Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα του SiC, η οποία μπορεί να φτάσει έως και 500 W/m·K, το καθιστά ιδανικό υποψήφιο για τη διαχείριση της ακραίας θερμότητας που παράγεται από τους επεξεργαστές AI επόμενης γενιάς. Οι παραδοσιακές λύσεις ψύξης δεν επαρκούν πλέον, δημιουργώντας μια επείγουσα ανάγκη για προηγμένα υλικά όπως το SiC.
Μερικές αξιοσημείωτες εξελίξεις περιλαμβάνουν:
Η NVIDIA ενσωματώνει το SiC στην πλατφόρμα Rubin: Η NVIDIA σχεδιάζει να ενσωματώσει υποστρώματα SiC στην πλατφόρμα Rubin του 2025, αντικαθιστώντας το παραδοσιακό πυρίτιο με διασυνδέσεις SiC. Αυτή η αλλαγή είναι ζωτικής σημασίας για τη διαχείριση των θερμικών φορτίων που παράγονται από τους επιταχυντές AI, επιτρέποντας υψηλότερη απόδοση και απόδοση στα τσιπ AI επόμενης γενιάς.
Η εστίαση της TSMC στο SiC 12 ιντσών για HPC: Η TSMC επιδιώκει επιθετικά την ανάπτυξη SiC 12 ιντσών μονόκρυστα ως φορέα θερμότητας υψηλής απόδοσης. Αυτοί οι δίσκοι μεγάλης διαμέτρου πρόκειται να αντικαταστήσουν τα συμβατικά κεραμικά υποστρώματα σε συστήματα HPC, τα οποία απαιτούν εξαιρετικά αποτελεσματική διαχείριση θερμότητας.
Συσκευές ισχύος SiC σε κέντρα δεδομένων: Καθώς περισσότερα κέντρα δεδομένων υιοθετούν συστήματα ισχύος 800V HVDC, οι συσκευές ισχύος SiC γίνονται ένα απαραίτητο συστατικό. Η ικανότητα του SiC να χειρίζεται υψηλές τάσεις και θερμότητα είναι ιδιαίτερα πολύτιμη για την τροφοδοσία της αυξανόμενης υποδομής που απαιτείται για εφαρμογές AI και cloud computing.
SiC σε προηγμένα οπτικά συστήματα: Με δείκτη διάθλασης 2,6–2,7, το SiC είναι σε καλή θέση για να καλύψει τις απαιτήσεις των συσκευών επαυξημένης πραγματικότητας (AR) και μικτής πραγματικότητας (MR) επόμενης γενιάς. Οι οπτικές του ιδιότητες το καθιστούν πιθανό υποψήφιο για χρήση σε ελαφριά, υψηλής απόδοσης οπτικά στοιχεία σε ακουστικά AR/MR.
Παρά τις τρέχουσες διακυμάνσεις των τιμών σε ορισμένα τμήματα της αγοράς SiC, οι μακροπρόθεσμες προοπτικές για το SiC είναι εξαιρετικά θετικές. Οι εξαιρετικές του ιδιότητες τόσο στους θερμικούς όσο και στους οπτικούς τομείς το καθιστούν όλο και πιο απαραίτητο σε εφαρμογές αιχμής όπως η AI, η HPC και οι προηγμένες οπτικές συσκευές. Καθώς η ζήτηση για AI επιταχύνεται και τα κέντρα δεδομένων συνεχίζουν να εξελίσσονται, το SiC θα διαδραματίσει καθοριστικό ρόλο στη διαμόρφωση του μέλλοντος της τεχνολογίας υψηλών επιδόσεων.
Εν κατακλείδι, ενώ η αγορά SiC αντιμετωπίζει προκλήσεις που σχετίζονται με τις τιμές των πρώτων υλών και τον ανταγωνισμό των υποστρωμάτων, οι αναδυόμενες εφαρμογές της στην AI και την HPC εξασφαλίζουν ένα πολλά υποσχόμενο μέλλον. Με τις τεχνολογικές εξελίξεις να ανοίγουν το δρόμο για πιο ποικίλες χρήσεις, το SiC είναι έτοιμο να γίνει ένα βασικό υλικό στην επόμενη γενιά λύσεων υψηλής τεχνολογίας.
Καθώς πλησιάζουμε στο τέλος του 2025, η αγορά καρβιδίου του πυριτίου (SiC) βρίσκεται εν μέσω σημαντικών αλλαγών, με αισθητή απόκλιση στις τάσεις των τιμών και στον ρόλο του υλικού σε διάφορες βιομηχανίες. Ενώ οι τιμές του χύδην SiC αυξάνονται λόγω του αυξημένου κόστους των πρώτων υλών, οι δίσκοι SiC 6 ιντσών βιώνουν επιθετικές μειώσεις τιμών που προκαλούνται από την υπερπροσφορά. Ωστόσο, οι ιδιότητες θερμικής διαχείρισης του υλικού το ωθούν σε νέες εφαρμογές υψηλής αξίας, ιδιαίτερα στην τεχνητή νοημοσύνη (AI) και στις υπολογιστικές επιδόσεις υψηλών επιδόσεων (HPC).
Τις τελευταίες εβδομάδες, η τιμή των υλικών χύδην SiC, όπως οι πράσινες και μαύρες σκόνες SiC, αυξάνεται σταθερά. Σύμφωνα με πηγές της βιομηχανίας, η τιμή του SiC έφτασε πρόσφατα τα 6.271 CNY ανά μετρικό τόνο, αντανακλώντας μια μικρή αύξηση 0,21% από την προηγούμενη εβδομάδα. Αυτή η αύξηση των τιμών οφείλεται σε διάφορους παράγοντες, όπως η σύσφιξη των προμηθειών πρώτων υλών, η υψηλότερη ζήτηση κατάντη και οι περιορισμοί στην παραγωγή που προκαλούνται από περιβαλλοντικούς κανονισμούς.
Αυτοί οι παράγοντες ασκούν ανοδική πίεση στο κόστος του ακατέργαστου SiC, το οποίο μεταφέρεται κατά μήκος της αλυσίδας εφοδιασμού, επηρεάζοντας τα πάντα, από τους διανομείς έως τους τελικούς χρήστες. Αντίθετα, ενώ τα βασικά υλικά SiC αντιμετωπίζουν αυξανόμενες τιμές, η τάση των τιμών για τους δίσκους SiC 6 ιντσών είναι εντελώς αντίθετη.
Η υπερπροσφορά υποστρωμάτων SiC 6 ιντσών έχει δημιουργήσει μια ανταγωνιστική αγορά όπου οι τιμές έχουν μειωθεί δραστικά. Με τους μεγάλους κατασκευαστές να αυξάνουν την παραγωγή, η υπερπροσφορά έχει οδηγήσει σε σημαντική μείωση των τιμών των υποστρωμάτων. Στα τέλη του 2025, η τιμή των δίσκων SiC 6 ιντσών έχει πέσει κάτω από τα 500 USD ανά μονάδα, σημειώνοντας μείωση τιμής 20% από τα μέσα του 2024. Σε ορισμένες περιπτώσεις, οι προμηθευτές προσφέρουν αυτούς τους δίσκους σε τιμές κοντά στο κόστος, σε μια προσπάθεια να διατηρήσουν το μερίδιο αγοράς.
![]()
Αυτή η τάση εντείνει τον ανταγωνισμό και θα μπορούσε ενδεχομένως να αναδιαμορφώσει την παγκόσμια αγορά υποστρωμάτων SiC, καθώς μικρότεροι προμηθευτές αγωνίζονται να επιβιώσουν σε μια κορεσμένη αγορά. Με τις τιμές των δίσκων να συνεχίζουν να πέφτουν, φαίνεται αναπόφευκτη περαιτέρω ενοποίηση της αγοράς.
Ενώ η αγορά SiC αντιμετωπίζει πίεση στο μέτωπο των τιμών, η εφαρμογή του στην AI και την HPC αναδεικνύεται ως η κινητήρια δύναμη πίσω από τη συνεχή ανάπτυξη του υλικού. Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα του SiC, η οποία μπορεί να φτάσει έως και 500 W/m·K, το καθιστά ιδανικό υποψήφιο για τη διαχείριση της ακραίας θερμότητας που παράγεται από τους επεξεργαστές AI επόμενης γενιάς. Οι παραδοσιακές λύσεις ψύξης δεν επαρκούν πλέον, δημιουργώντας μια επείγουσα ανάγκη για προηγμένα υλικά όπως το SiC.
Μερικές αξιοσημείωτες εξελίξεις περιλαμβάνουν:
Η NVIDIA ενσωματώνει το SiC στην πλατφόρμα Rubin: Η NVIDIA σχεδιάζει να ενσωματώσει υποστρώματα SiC στην πλατφόρμα Rubin του 2025, αντικαθιστώντας το παραδοσιακό πυρίτιο με διασυνδέσεις SiC. Αυτή η αλλαγή είναι ζωτικής σημασίας για τη διαχείριση των θερμικών φορτίων που παράγονται από τους επιταχυντές AI, επιτρέποντας υψηλότερη απόδοση και απόδοση στα τσιπ AI επόμενης γενιάς.
Η εστίαση της TSMC στο SiC 12 ιντσών για HPC: Η TSMC επιδιώκει επιθετικά την ανάπτυξη SiC 12 ιντσών μονόκρυστα ως φορέα θερμότητας υψηλής απόδοσης. Αυτοί οι δίσκοι μεγάλης διαμέτρου πρόκειται να αντικαταστήσουν τα συμβατικά κεραμικά υποστρώματα σε συστήματα HPC, τα οποία απαιτούν εξαιρετικά αποτελεσματική διαχείριση θερμότητας.
Συσκευές ισχύος SiC σε κέντρα δεδομένων: Καθώς περισσότερα κέντρα δεδομένων υιοθετούν συστήματα ισχύος 800V HVDC, οι συσκευές ισχύος SiC γίνονται ένα απαραίτητο συστατικό. Η ικανότητα του SiC να χειρίζεται υψηλές τάσεις και θερμότητα είναι ιδιαίτερα πολύτιμη για την τροφοδοσία της αυξανόμενης υποδομής που απαιτείται για εφαρμογές AI και cloud computing.
SiC σε προηγμένα οπτικά συστήματα: Με δείκτη διάθλασης 2,6–2,7, το SiC είναι σε καλή θέση για να καλύψει τις απαιτήσεις των συσκευών επαυξημένης πραγματικότητας (AR) και μικτής πραγματικότητας (MR) επόμενης γενιάς. Οι οπτικές του ιδιότητες το καθιστούν πιθανό υποψήφιο για χρήση σε ελαφριά, υψηλής απόδοσης οπτικά στοιχεία σε ακουστικά AR/MR.
Παρά τις τρέχουσες διακυμάνσεις των τιμών σε ορισμένα τμήματα της αγοράς SiC, οι μακροπρόθεσμες προοπτικές για το SiC είναι εξαιρετικά θετικές. Οι εξαιρετικές του ιδιότητες τόσο στους θερμικούς όσο και στους οπτικούς τομείς το καθιστούν όλο και πιο απαραίτητο σε εφαρμογές αιχμής όπως η AI, η HPC και οι προηγμένες οπτικές συσκευές. Καθώς η ζήτηση για AI επιταχύνεται και τα κέντρα δεδομένων συνεχίζουν να εξελίσσονται, το SiC θα διαδραματίσει καθοριστικό ρόλο στη διαμόρφωση του μέλλοντος της τεχνολογίας υψηλών επιδόσεων.
Εν κατακλείδι, ενώ η αγορά SiC αντιμετωπίζει προκλήσεις που σχετίζονται με τις τιμές των πρώτων υλών και τον ανταγωνισμό των υποστρωμάτων, οι αναδυόμενες εφαρμογές της στην AI και την HPC εξασφαλίζουν ένα πολλά υποσχόμενο μέλλον. Με τις τεχνολογικές εξελίξεις να ανοίγουν το δρόμο για πιο ποικίλες χρήσεις, το SiC είναι έτοιμο να γίνει ένα βασικό υλικό στην επόμενη γενιά λύσεων υψηλής τεχνολογίας.