logo
Μπλογκ

Λεπτομέρειες Blog

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Μπλογκ Created with Pixso.

Τι είναι το θραύσμα γκοφρέτας και πώς μπορεί να επιλυθεί;

Τι είναι το θραύσμα γκοφρέτας και πώς μπορεί να επιλυθεί;

2025-11-27

Τι είναι το Wafer Chipping και πώς μπορεί να λυθεί;

Το Wafer dicing είναι μια κρίσιμη διαδικασία στην κατασκευή ημιαγωγών και έχει άμεσο αντίκτυπο στην τελική ποιότητα και απόδοση του τσιπ. Στην πραγματική παραγωγή, wafer chipping—ειδικά front-side chipping και back-side chipping—είναι ένα συχνό και σοβαρό ελάττωμα που περιορίζει σημαντικά την αποδοτικότητα και την απόδοση της παραγωγής. Το Chipping δεν επηρεάζει μόνο την εμφάνιση των τσιπ, αλλά μπορεί επίσης να προκαλέσει μη αναστρέψιμη ζημιά στην ηλεκτρική τους απόδοση και τη μηχανική τους αξιοπιστία.


τα τελευταία νέα της εταιρείας για Τι είναι το θραύσμα γκοφρέτας και πώς μπορεί να επιλυθεί;  0


Ορισμός και τύποι Wafer Chipping

Το Wafer chipping αναφέρεται σε ρωγμές ή θραύση υλικού στις άκρες των τσιπ κατά τη διάρκεια της διαδικασίας dicing. Γενικά κατηγοριοποιείται σε front-side chipping και back-side chipping:

  • Front-side chipping συμβαίνει στην ενεργή επιφάνεια του τσιπ που περιέχει μοτίβα κυκλώματος. Εάν το chipping επεκταθεί στην περιοχή του κυκλώματος, μπορεί να υποβαθμίσει σοβαρά την ηλεκτρική απόδοση και την μακροπρόθεσμη αξιοπιστία.

  • Back-side chipping συμβαίνει συνήθως μετά την λέπτυνση του wafer, όπου εμφανίζονται θραύσματα στο έδαφος ή στο κατεστραμμένο στρώμα στην πίσω πλευρά.


τα τελευταία νέα της εταιρείας για Τι είναι το θραύσμα γκοφρέτας και πώς μπορεί να επιλυθεί;  1

Από δομική άποψη, το front-side chipping συχνά προκύπτει από θραύσματα στα επιταξιακά ή επιφανειακά στρώματα, ενώ το back-side chipping προέρχεται από στρώματα ζημιών που σχηματίζονται κατά τη διάρκεια της λέπτυνσης του wafer και της αφαίρεσης του υλικού υποστρώματος.

Το front-side chipping μπορεί να ταξινομηθεί περαιτέρω σε τρεις τύπους:

  1. Initial chipping – συμβαίνει συνήθως κατά το στάδιο της προ-κοπής όταν εγκαθίσταται μια νέα λεπίδα, που χαρακτηρίζεται από ακανόνιστη ζημιά στις άκρες.

  2. Periodic (cyclic) chipping – εμφανίζεται επανειλημμένα και τακτικά κατά τη διάρκεια συνεχών εργασιών κοπής.

  3. Abnormal chipping – προκαλείται από την εκτροπή της λεπίδας, την ακατάλληλη ταχύτητα τροφοδοσίας, το υπερβολικό βάθος κοπής, τη μετατόπιση ή παραμόρφωση του wafer.


Βασικές αιτίες του Wafer Chipping

1. Αιτίες του Initial Chipping

  • Ανεπαρκής ακρίβεια εγκατάστασης λεπίδας

  • Η λεπίδα δεν είναι σωστά ευθυγραμμισμένη σε τέλειο κυκλικό σχήμα

  • Ατελής έκθεση κόκκων διαμαντιού

Εάν η λεπίδα είναι εγκατεστημένη με ελαφρά κλίση, εμφανίζονται ανομοιόμορφες δυνάμεις κοπής. Μια νέα λεπίδα που δεν είναι επαρκώς επεξεργασμένη θα παρουσιάσει κακή συγκέντρωση, οδηγώντας σε απόκλιση της διαδρομής κοπής. Εάν οι κόκκοι διαμαντιού δεν εκτεθούν πλήρως κατά το στάδιο της προ-κοπής, οι αποτελεσματικοί χώροι τσιπ δεν σχηματίζονται, αυξάνοντας την πιθανότητα chipping.

τα τελευταία νέα της εταιρείας για Τι είναι το θραύσμα γκοφρέτας και πώς μπορεί να επιλυθεί;  22. Αιτίες του Periodic Chipping

  • Ζημιά στην επιφάνεια της λεπίδας από κρούση

  • Προεξέχοντα υπερμεγέθη σωματίδια διαμαντιού

  • Πρόσφυση ξένων σωματιδίων (ρητίνη, μεταλλικά υπολείμματα κ.λπ.)

Κατά την κοπή, μπορούν να αναπτυχθούν μικρο-εγκοπές λόγω της πρόσκρουσης των τσιπ. Μεγάλοι προεξέχοντες κόκκοι διαμαντιού συγκεντρώνουν τοπική τάση, ενώ τα υπολείμματα ή οι ξένοι ρύποι στην επιφάνεια της λεπίδας μπορούν να διαταράξουν τη σταθερότητα της κοπής.

3. Αιτίες του Abnormal Chipping

  • Εκτροπή λεπίδας από κακή δυναμική ισορροπία σε υψηλή ταχύτητα

  • Ακατάλληλη ταχύτητα τροφοδοσίας ή υπερβολικό βάθος κοπής

  • Μετατόπιση ή παραμόρφωση του wafer κατά την κοπή

Αυτοί οι παράγοντες οδηγούν σε ασταθείς δυνάμεις κοπής και απόκλιση από την προκαθορισμένη διαδρομή dicing, προκαλώντας άμεσα θραύση των άκρων.

4. Αιτίες του Back-Side Chipping

Το Back-side chipping προέρχεται κυρίως από συσσώρευση τάσης κατά τη διάρκεια της λέπτυνσης του wafer και της στρέβλωσης του wafer.

Κατά τη διάρκεια της λέπτυνσης, σχηματίζεται ένα κατεστραμμένο στρώμα στην πίσω πλευρά, διαταράσσοντας τη δομή των κρυστάλλων και δημιουργώντας εσωτερική τάση. Κατά τη διάρκεια του dicing, η απελευθέρωση της τάσης οδηγεί στην έναρξη μικρο-ρωγμών, οι οποίες σταδιακά εξαπλώνονται σε μεγάλα θραύσματα στην πίσω πλευρά. Καθώς το πάχος του wafer μειώνεται, η αντοχή του στην τάση εξασθενεί και η στρέβλωση αυξάνεται—καθιστώντας το back-side chipping πιο πιθανό.


Επιπτώσεις του Chipping στα τσιπ και Αντιμέτρα

Επιπτώσεις στην απόδοση του τσιπ

Το Chipping μειώνει σοβαρά τη μηχανική αντοχή. Ακόμη και μικροσκοπικές ρωγμές στις άκρες μπορεί να συνεχίσουν να εξαπλώνονται κατά τη διάρκεια της συσκευασίας ή της πραγματικής χρήσης, οδηγώντας τελικά σε θραύση του τσιπ και ηλεκτρική βλάβη. Εάν το front-side chipping εισβάλει σε περιοχές κυκλώματος, θέτει άμεσα σε κίνδυνο την ηλεκτρική απόδοση και τη μακροπρόθεσμη αξιοπιστία της συσκευής.


Αποτελεσματικές λύσεις για το Wafer Chipping

1. Βελτιστοποίηση παραμέτρων διεργασίας

Η ταχύτητα κοπής, η ταχύτητα τροφοδοσίας και το βάθος κοπής θα πρέπει να ρυθμίζονται δυναμικά με βάση την περιοχή του wafer, τον τύπο υλικού, το πάχος και την πρόοδο της κοπής για την ελαχιστοποίηση της συγκέντρωσης τάσης.
Με την ενσωμάτωση όρασης μηχανής και παρακολούθησης βάσει AI, η κατάσταση της λεπίδας σε πραγματικό χρόνο και η συμπεριφορά του chipping μπορούν να ανιχνευθούν και οι παράμετροι της διεργασίας να ρυθμιστούν αυτόματα για ακριβή έλεγχο.

2. Συντήρηση και διαχείριση εξοπλισμού

Η τακτική συντήρηση της μηχανής dicing είναι απαραίτητη για να διασφαλιστεί:

  • Ακρίβεια ατράκτου

  • Σταθερότητα συστήματος μετάδοσης

  • Αποτελεσματικότητα συστήματος ψύξης

Θα πρέπει να εφαρμοστεί ένα σύστημα παρακολούθησης της διάρκειας ζωής της λεπίδας για να διασφαλιστεί ότι οι σοβαρά φθαρμένες λεπίδες αντικαθίστανται πριν οι μειώσεις απόδοσης προκαλέσουν chipping.

3. Επιλογή και βελτιστοποίηση λεπίδας

Οι ιδιότητες της λεπίδας όπως το μέγεθος των κόκκων διαμαντιού, η σκληρότητα του συνδετικού και η πυκνότητα των κόκκων έχουν ισχυρή επιρροή στη συμπεριφορά του chipping:

  • Μεγαλύτεροι κόκκοι διαμαντιού αυξάνουν το front-side chipping.

  • Μικρότεροι κόκκοι μειώνουν το chipping αλλά μειώνουν την απόδοση κοπής.

  • Η χαμηλότερη πυκνότητα κόκκων μειώνει το chipping αλλά μειώνει τη διάρκεια ζωής του εργαλείου.

  • Τα μαλακότερα υλικά συνδετικού μειώνουν το chipping αλλά επιταχύνουν τη φθορά.

Για συσκευές με βάση το πυρίτιο, το μέγεθος των κόκκων διαμαντιού είναι ο πιο κρίσιμος παράγοντας. Η επιλογή λεπίδων υψηλής ποιότητας με ελάχιστη περιεκτικότητα σε μεγάλους κόκκους και αυστηρό έλεγχο του μεγέθους των κόκκων καταστέλλει αποτελεσματικά το front-side chipping διατηρώντας παράλληλα το κόστος υπό έλεγχο.

4. Μέτρα ελέγχου Back-Side Chipping

Οι βασικές στρατηγικές περιλαμβάνουν:

  • Βελτιστοποίηση της ταχύτητας ατράκτου

  • Επιλογή λειαντικών διαμαντιών λεπτής υφής

  • Χρήση μαλακών υλικών συνδετικού και χαμηλής συγκέντρωσης λειαντικών

  • Διασφάλιση ακριβούς εγκατάστασης λεπίδας και σταθερής δόνησης ατράκτου

Οι υπερβολικά υψηλές ή χαμηλές ταχύτητες περιστροφής αυξάνουν τον κίνδυνο θραύσης στην πίσω πλευρά. Η κλίση της λεπίδας ή η δόνηση της ατράκτου μπορεί να προκαλέσουν chipping μεγάλης περιοχής στην πίσω πλευρά. Για εξαιρετικά λεπτά wafers, μετα-επεξεργασίες όπως CMP (Chemical Mechanical Polishing), dry etching και wet chemical etching βοηθούν στην αφαίρεση των υπολειμματικών στρωμάτων ζημιών, στην απελευθέρωση της εσωτερικής τάσης, στη μείωση της στρέβλωσης και στην σημαντική ενίσχυση της αντοχής του τσιπ.

5. Προηγμένες τεχνολογίες κοπής

Οι αναδυόμενες μέθοδοι κοπής χωρίς επαφή και χαμηλής τάσης προσφέρουν περαιτέρω βελτίωση:

  • Το Laser dicing ελαχιστοποιεί τη μηχανική επαφή και μειώνει το chipping μέσω επεξεργασίας υψηλής ενεργειακής πυκνότητας.

  • Το Water-jet dicing χρησιμοποιεί νερό υψηλής πίεσης αναμεμειγμένο με μικρο-λειαντικά, μειώνοντας σημαντικά τη θερμική και μηχανική τάση.


Ενίσχυση του ποιοτικού ελέγχου και της επιθεώρησης

Ένα αυστηρό σύστημα ποιοτικού ελέγχου θα πρέπει να καθιερωθεί σε ολόκληρη την αλυσίδα παραγωγής—από την επιθεώρηση των πρώτων υλών έως την επαλήθευση του τελικού προϊόντος. Εξοπλισμός επιθεώρησης υψηλής ακρίβειας όπως οπτικά μικροσκόπια και μικροσκόπια σάρωσης ηλεκτρονίων (SEM) θα πρέπει να χρησιμοποιούνται για την ενδελεχή εξέταση των wafers μετά το dicing, επιτρέποντας την έγκαιρη ανίχνευση και διόρθωση των ελαττωμάτων chipping.


Συμπέρασμα

Το Wafer chipping είναι ένα πολύπλοκο ελάττωμα πολλαπλών παραγόντων που περιλαμβάνει παραμέτρους διεργασίας, κατάσταση εξοπλισμού, ιδιότητες λεπίδας, τάση wafer και διαχείριση ποιότητας. Μόνο μέσω συστηματικής βελτιστοποίησης σε όλους αυτούς τους τομείς μπορεί να ελεγχθεί αποτελεσματικά το chipping—βελτιώνοντας έτσι την απόδοση παραγωγής, την αξιοπιστία των τσιπ και τη συνολική απόδοση της συσκευής.

Σφραγίδα
Λεπτομέρειες Blog
Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Μπλογκ Created with Pixso.

Τι είναι το θραύσμα γκοφρέτας και πώς μπορεί να επιλυθεί;

Τι είναι το θραύσμα γκοφρέτας και πώς μπορεί να επιλυθεί;

2025-11-27

Τι είναι το Wafer Chipping και πώς μπορεί να λυθεί;

Το Wafer dicing είναι μια κρίσιμη διαδικασία στην κατασκευή ημιαγωγών και έχει άμεσο αντίκτυπο στην τελική ποιότητα και απόδοση του τσιπ. Στην πραγματική παραγωγή, wafer chipping—ειδικά front-side chipping και back-side chipping—είναι ένα συχνό και σοβαρό ελάττωμα που περιορίζει σημαντικά την αποδοτικότητα και την απόδοση της παραγωγής. Το Chipping δεν επηρεάζει μόνο την εμφάνιση των τσιπ, αλλά μπορεί επίσης να προκαλέσει μη αναστρέψιμη ζημιά στην ηλεκτρική τους απόδοση και τη μηχανική τους αξιοπιστία.


τα τελευταία νέα της εταιρείας για Τι είναι το θραύσμα γκοφρέτας και πώς μπορεί να επιλυθεί;  0


Ορισμός και τύποι Wafer Chipping

Το Wafer chipping αναφέρεται σε ρωγμές ή θραύση υλικού στις άκρες των τσιπ κατά τη διάρκεια της διαδικασίας dicing. Γενικά κατηγοριοποιείται σε front-side chipping και back-side chipping:

  • Front-side chipping συμβαίνει στην ενεργή επιφάνεια του τσιπ που περιέχει μοτίβα κυκλώματος. Εάν το chipping επεκταθεί στην περιοχή του κυκλώματος, μπορεί να υποβαθμίσει σοβαρά την ηλεκτρική απόδοση και την μακροπρόθεσμη αξιοπιστία.

  • Back-side chipping συμβαίνει συνήθως μετά την λέπτυνση του wafer, όπου εμφανίζονται θραύσματα στο έδαφος ή στο κατεστραμμένο στρώμα στην πίσω πλευρά.


τα τελευταία νέα της εταιρείας για Τι είναι το θραύσμα γκοφρέτας και πώς μπορεί να επιλυθεί;  1

Από δομική άποψη, το front-side chipping συχνά προκύπτει από θραύσματα στα επιταξιακά ή επιφανειακά στρώματα, ενώ το back-side chipping προέρχεται από στρώματα ζημιών που σχηματίζονται κατά τη διάρκεια της λέπτυνσης του wafer και της αφαίρεσης του υλικού υποστρώματος.

Το front-side chipping μπορεί να ταξινομηθεί περαιτέρω σε τρεις τύπους:

  1. Initial chipping – συμβαίνει συνήθως κατά το στάδιο της προ-κοπής όταν εγκαθίσταται μια νέα λεπίδα, που χαρακτηρίζεται από ακανόνιστη ζημιά στις άκρες.

  2. Periodic (cyclic) chipping – εμφανίζεται επανειλημμένα και τακτικά κατά τη διάρκεια συνεχών εργασιών κοπής.

  3. Abnormal chipping – προκαλείται από την εκτροπή της λεπίδας, την ακατάλληλη ταχύτητα τροφοδοσίας, το υπερβολικό βάθος κοπής, τη μετατόπιση ή παραμόρφωση του wafer.


Βασικές αιτίες του Wafer Chipping

1. Αιτίες του Initial Chipping

  • Ανεπαρκής ακρίβεια εγκατάστασης λεπίδας

  • Η λεπίδα δεν είναι σωστά ευθυγραμμισμένη σε τέλειο κυκλικό σχήμα

  • Ατελής έκθεση κόκκων διαμαντιού

Εάν η λεπίδα είναι εγκατεστημένη με ελαφρά κλίση, εμφανίζονται ανομοιόμορφες δυνάμεις κοπής. Μια νέα λεπίδα που δεν είναι επαρκώς επεξεργασμένη θα παρουσιάσει κακή συγκέντρωση, οδηγώντας σε απόκλιση της διαδρομής κοπής. Εάν οι κόκκοι διαμαντιού δεν εκτεθούν πλήρως κατά το στάδιο της προ-κοπής, οι αποτελεσματικοί χώροι τσιπ δεν σχηματίζονται, αυξάνοντας την πιθανότητα chipping.

τα τελευταία νέα της εταιρείας για Τι είναι το θραύσμα γκοφρέτας και πώς μπορεί να επιλυθεί;  22. Αιτίες του Periodic Chipping

  • Ζημιά στην επιφάνεια της λεπίδας από κρούση

  • Προεξέχοντα υπερμεγέθη σωματίδια διαμαντιού

  • Πρόσφυση ξένων σωματιδίων (ρητίνη, μεταλλικά υπολείμματα κ.λπ.)

Κατά την κοπή, μπορούν να αναπτυχθούν μικρο-εγκοπές λόγω της πρόσκρουσης των τσιπ. Μεγάλοι προεξέχοντες κόκκοι διαμαντιού συγκεντρώνουν τοπική τάση, ενώ τα υπολείμματα ή οι ξένοι ρύποι στην επιφάνεια της λεπίδας μπορούν να διαταράξουν τη σταθερότητα της κοπής.

3. Αιτίες του Abnormal Chipping

  • Εκτροπή λεπίδας από κακή δυναμική ισορροπία σε υψηλή ταχύτητα

  • Ακατάλληλη ταχύτητα τροφοδοσίας ή υπερβολικό βάθος κοπής

  • Μετατόπιση ή παραμόρφωση του wafer κατά την κοπή

Αυτοί οι παράγοντες οδηγούν σε ασταθείς δυνάμεις κοπής και απόκλιση από την προκαθορισμένη διαδρομή dicing, προκαλώντας άμεσα θραύση των άκρων.

4. Αιτίες του Back-Side Chipping

Το Back-side chipping προέρχεται κυρίως από συσσώρευση τάσης κατά τη διάρκεια της λέπτυνσης του wafer και της στρέβλωσης του wafer.

Κατά τη διάρκεια της λέπτυνσης, σχηματίζεται ένα κατεστραμμένο στρώμα στην πίσω πλευρά, διαταράσσοντας τη δομή των κρυστάλλων και δημιουργώντας εσωτερική τάση. Κατά τη διάρκεια του dicing, η απελευθέρωση της τάσης οδηγεί στην έναρξη μικρο-ρωγμών, οι οποίες σταδιακά εξαπλώνονται σε μεγάλα θραύσματα στην πίσω πλευρά. Καθώς το πάχος του wafer μειώνεται, η αντοχή του στην τάση εξασθενεί και η στρέβλωση αυξάνεται—καθιστώντας το back-side chipping πιο πιθανό.


Επιπτώσεις του Chipping στα τσιπ και Αντιμέτρα

Επιπτώσεις στην απόδοση του τσιπ

Το Chipping μειώνει σοβαρά τη μηχανική αντοχή. Ακόμη και μικροσκοπικές ρωγμές στις άκρες μπορεί να συνεχίσουν να εξαπλώνονται κατά τη διάρκεια της συσκευασίας ή της πραγματικής χρήσης, οδηγώντας τελικά σε θραύση του τσιπ και ηλεκτρική βλάβη. Εάν το front-side chipping εισβάλει σε περιοχές κυκλώματος, θέτει άμεσα σε κίνδυνο την ηλεκτρική απόδοση και τη μακροπρόθεσμη αξιοπιστία της συσκευής.


Αποτελεσματικές λύσεις για το Wafer Chipping

1. Βελτιστοποίηση παραμέτρων διεργασίας

Η ταχύτητα κοπής, η ταχύτητα τροφοδοσίας και το βάθος κοπής θα πρέπει να ρυθμίζονται δυναμικά με βάση την περιοχή του wafer, τον τύπο υλικού, το πάχος και την πρόοδο της κοπής για την ελαχιστοποίηση της συγκέντρωσης τάσης.
Με την ενσωμάτωση όρασης μηχανής και παρακολούθησης βάσει AI, η κατάσταση της λεπίδας σε πραγματικό χρόνο και η συμπεριφορά του chipping μπορούν να ανιχνευθούν και οι παράμετροι της διεργασίας να ρυθμιστούν αυτόματα για ακριβή έλεγχο.

2. Συντήρηση και διαχείριση εξοπλισμού

Η τακτική συντήρηση της μηχανής dicing είναι απαραίτητη για να διασφαλιστεί:

  • Ακρίβεια ατράκτου

  • Σταθερότητα συστήματος μετάδοσης

  • Αποτελεσματικότητα συστήματος ψύξης

Θα πρέπει να εφαρμοστεί ένα σύστημα παρακολούθησης της διάρκειας ζωής της λεπίδας για να διασφαλιστεί ότι οι σοβαρά φθαρμένες λεπίδες αντικαθίστανται πριν οι μειώσεις απόδοσης προκαλέσουν chipping.

3. Επιλογή και βελτιστοποίηση λεπίδας

Οι ιδιότητες της λεπίδας όπως το μέγεθος των κόκκων διαμαντιού, η σκληρότητα του συνδετικού και η πυκνότητα των κόκκων έχουν ισχυρή επιρροή στη συμπεριφορά του chipping:

  • Μεγαλύτεροι κόκκοι διαμαντιού αυξάνουν το front-side chipping.

  • Μικρότεροι κόκκοι μειώνουν το chipping αλλά μειώνουν την απόδοση κοπής.

  • Η χαμηλότερη πυκνότητα κόκκων μειώνει το chipping αλλά μειώνει τη διάρκεια ζωής του εργαλείου.

  • Τα μαλακότερα υλικά συνδετικού μειώνουν το chipping αλλά επιταχύνουν τη φθορά.

Για συσκευές με βάση το πυρίτιο, το μέγεθος των κόκκων διαμαντιού είναι ο πιο κρίσιμος παράγοντας. Η επιλογή λεπίδων υψηλής ποιότητας με ελάχιστη περιεκτικότητα σε μεγάλους κόκκους και αυστηρό έλεγχο του μεγέθους των κόκκων καταστέλλει αποτελεσματικά το front-side chipping διατηρώντας παράλληλα το κόστος υπό έλεγχο.

4. Μέτρα ελέγχου Back-Side Chipping

Οι βασικές στρατηγικές περιλαμβάνουν:

  • Βελτιστοποίηση της ταχύτητας ατράκτου

  • Επιλογή λειαντικών διαμαντιών λεπτής υφής

  • Χρήση μαλακών υλικών συνδετικού και χαμηλής συγκέντρωσης λειαντικών

  • Διασφάλιση ακριβούς εγκατάστασης λεπίδας και σταθερής δόνησης ατράκτου

Οι υπερβολικά υψηλές ή χαμηλές ταχύτητες περιστροφής αυξάνουν τον κίνδυνο θραύσης στην πίσω πλευρά. Η κλίση της λεπίδας ή η δόνηση της ατράκτου μπορεί να προκαλέσουν chipping μεγάλης περιοχής στην πίσω πλευρά. Για εξαιρετικά λεπτά wafers, μετα-επεξεργασίες όπως CMP (Chemical Mechanical Polishing), dry etching και wet chemical etching βοηθούν στην αφαίρεση των υπολειμματικών στρωμάτων ζημιών, στην απελευθέρωση της εσωτερικής τάσης, στη μείωση της στρέβλωσης και στην σημαντική ενίσχυση της αντοχής του τσιπ.

5. Προηγμένες τεχνολογίες κοπής

Οι αναδυόμενες μέθοδοι κοπής χωρίς επαφή και χαμηλής τάσης προσφέρουν περαιτέρω βελτίωση:

  • Το Laser dicing ελαχιστοποιεί τη μηχανική επαφή και μειώνει το chipping μέσω επεξεργασίας υψηλής ενεργειακής πυκνότητας.

  • Το Water-jet dicing χρησιμοποιεί νερό υψηλής πίεσης αναμεμειγμένο με μικρο-λειαντικά, μειώνοντας σημαντικά τη θερμική και μηχανική τάση.


Ενίσχυση του ποιοτικού ελέγχου και της επιθεώρησης

Ένα αυστηρό σύστημα ποιοτικού ελέγχου θα πρέπει να καθιερωθεί σε ολόκληρη την αλυσίδα παραγωγής—από την επιθεώρηση των πρώτων υλών έως την επαλήθευση του τελικού προϊόντος. Εξοπλισμός επιθεώρησης υψηλής ακρίβειας όπως οπτικά μικροσκόπια και μικροσκόπια σάρωσης ηλεκτρονίων (SEM) θα πρέπει να χρησιμοποιούνται για την ενδελεχή εξέταση των wafers μετά το dicing, επιτρέποντας την έγκαιρη ανίχνευση και διόρθωση των ελαττωμάτων chipping.


Συμπέρασμα

Το Wafer chipping είναι ένα πολύπλοκο ελάττωμα πολλαπλών παραγόντων που περιλαμβάνει παραμέτρους διεργασίας, κατάσταση εξοπλισμού, ιδιότητες λεπίδας, τάση wafer και διαχείριση ποιότητας. Μόνο μέσω συστηματικής βελτιστοποίησης σε όλους αυτούς τους τομείς μπορεί να ελεγχθεί αποτελεσματικά το chipping—βελτιώνοντας έτσι την απόδοση παραγωγής, την αξιοπιστία των τσιπ και τη συνολική απόδοση της συσκευής.