Ονομασία μάρκας: | ZMKJ |
Αριθμός μοντέλου: | Προσαρμοσμένο μέγεθος |
MOQ: | 5pcs |
τιμή: | by case |
Πληροφορίες συσκευασίας: | η ενιαία συσκευασία γκοφρετών σε 100 βαθμολογεί το καθαρίζοντας δωμάτιο |
Όροι πληρωμής: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Προσαρμοσμένο μέγεθος/Πλίνθοι 2 ιντσών/3 ιντσών/4 ιντσών/6 ιντσών 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N πλινθωμάτων SIC/Υψηλής καθαρότητας 4H-N 4 ιντσών 6 ιντσών διαμέτρου 150 mm καρβιδίου του πυριτίου μονοκρυστάλλων (sic) υποστρωμάτωνΜΙΚΡΟ/Υψηλής καθαρότητας μη ντοπαρισμένες γκοφρέτες 4H-ημιά αντίσταση>1E7 3 ιντσών 4 ιντσών 0,35mm sic γκοφρέτες
Σχετικά με το κρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου (SiC).
Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC), γνωστό και ως καρβορούνδιο, είναι ένας ημιαγωγός που περιέχει πυρίτιο και άνθρακα με χημικό τύπο SiC. Το SiC χρησιμοποιείται σε ηλεκτρονικές συσκευές ημιαγωγών που λειτουργούν σε υψηλές θερμοκρασίες ή υψηλές τάσεις ή και στα δύο. Το SiC είναι επίσης ένα από τα σημαντικά εξαρτήματα LED, είναι ένα δημοφιλές υπόστρωμα για την ανάπτυξη συσκευών GaN και χρησιμεύει επίσης ως διανομέας θερμότητας σε υψηλές LED τροφοδοσίας.
Ιδιοκτησία | 4H-SiC, Single Crystal | 6H-SiC, Single Crystal |
Παράμετροι Δικτύου | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
Ακολουθία στοίβαξης | ABCB | ABCACB |
Σκληρότητα Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Πυκνότητα | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
Θέρμη. Συντελεστής διαστολής | 4-5×10-6/Κ | 4-5×10-6/Κ |
Δείκτης διάθλασης @750nm |
όχι = 2,61 |
όχι = 2,60 |
Διηλεκτρική σταθερά | c~9,66 | c~9,66 |
Θερμική αγωγιμότητα (τύπου N, 0,02 ohm.cm) |
a~4,2 W/cm·K@298K |
|
Θερμική αγωγιμότητα (ημιμονωτική) |
a~4,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K |
Band-gap | 3,23 eV | 3,02 eV |
Βλάβη Ηλεκτρικό Πεδίο | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
Saturation Drift Velocity | 2,0×105m/s | 2,0×105m/s |
Προδιαγραφή υποστρώματος καρβιδίου πυριτίου (SiC) διαμέτρου 2 ιντσών | ||||||||||
Βαθμός | Μηδενικός βαθμός MPD | Βαθμός Παραγωγής | Βαθμός Έρευνας | Ομοίωμα Βαθμού | ||||||
Διάμετρος | 100. mm±0,38 mm | |||||||||
Πάχος | 350 μm±25μm ή 500±25um Ή άλλο προσαρμοσμένο πάχος | |||||||||
Προσανατολισμός γκοφρέτας | Στον άξονα : <0001>±0,5° για 4 ώρες-ημιχρόνια | |||||||||
Πυκνότητα μικροσωλήνων | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤10cm-2 | ≤30 cm-2 | ||||||
Αντίσταση | 4Η-Ν | 0,015~0,028 Ω•εκ | ||||||||
6Η-Ν | 0,02~0,1 Ω•εκ | |||||||||
4h-ημι | ≥1E7 Ω·cm | |||||||||
Πρωτοβάθμιο Διαμέρισμα | {10-10}±5,0° | |||||||||
Πρωτεύον επίπεδο μήκος | 18,5 mm±2,0 mm | |||||||||
Δευτερεύον Επίπεδο Μήκος | 10,0 mm±2,0 mm | |||||||||
Δευτερεύων Επίπεδος Προσανατολισμός | Πρόσοψη πυριτίου προς τα επάνω: 90° CW. από Prime flat ±5,0° | |||||||||
Εξαίρεση άκρων | 1 mm | |||||||||
TTV / Τόξο / Warp | ≤10μm /≤15μm /≤30μm | |||||||||
Τραχύτητα | Πολωνικά Ra≤1 nm | |||||||||
CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
Ρωγμές από φως υψηλής έντασης | Κανένας | 1 επιτρέπεται, ≤2 mm | Σωρευτικό μήκος ≤ 10mm, μονό μήκος≤2mm | |||||||
Εξάγωνες πλάκες από φως υψηλής έντασης | Σωρευτική περιοχή ≤1% | Σωρευτική περιοχή ≤1% | Σωρευτική περιοχή ≤3% | |||||||
Πολυτυπικές περιοχές από φως υψηλής έντασης | Κανένας | Σωρευτική περιοχή ≤2% | Σωρευτική περιοχή ≤5% | |||||||
Γδαρσίματα από φως υψηλής έντασης | 3 γρατσουνιές έως αθροιστικό μήκος διαμέτρου γκοφρέτας 1× | 5 γρατσουνιές έως αθροιστικό μήκος διαμέτρου γκοφρέτας 1× | 5 γρατσουνιές έως αθροιστικό μήκος διαμέτρου γκοφρέτας 1× | |||||||
τσιπ άκρη | Κανένας | Επιτρέπονται 3, ≤0,5 mm το καθένα | Επιτρέπονται 5, ≤1 mm το καθένα | |||||||
Εφαρμογές:
1) Εναπόθεση νιτριδίου III-V
2)Οπτοηλεκτρονικές Συσκευές
3)Συσκευές υψηλής ισχύος
4)Συσκευές Υψηλής Θερμοκρασίας
5)Συσκευές Ισχύος Υψηλής Συχνότητας
Ηλεκτρονικά Ισχύος:
Συσκευές ραδιοσυχνοτήτων και μικροκυμάτων:
LED και οπτοηλεκτρονικές συσκευές:
Εφαρμογές σε υψηλές θερμοκρασίες:
Ερευνα και αξιοποίηση:
Εμφάνιση παρουσίασης παραγωγής
4H-N Τύπος / Υψηλής καθαρότητας SiC γκοφρέτα/ πλινθώματα
Γκοφρέτα/λαχνίδια SiC 4H N-Type 2 ιντσών
Γκοφρέτα SiC 4H N-Type 3 ιντσών 4 ιντσών 4H N-Type SiC γκοφρέ / πλινθώματα 6 ιντσών 4H N-Type SiC γκοφρέ / πλινθώματα |
4H Ημιμονωτική / Υψηλής Καθαρότητας Γκοφρέτα SiC Ημιμονωτική γκοφρέτα SiC 2 ιντσών 4H
Ημιμονωτική γκοφρέτα SiC 3 ιντσών 4H Ημιμονωτική γκοφρέτα SiC 4 ιντσών 4H Ημιμονωτική γκοφρέτα SiC 6 ιντσών 4H |
Γκοφρέτα SiC 6H N-Type
2 ιντσών 6H N-Type SiC γκοφρέτα/πλίνθου |
Προσαρμοσμένο μέγεθος για 2-6 ίντσες
|
Εφαρμογές SiC
Τομείς εφαρμογής
>Συσκευασία – Logistcs
Αφορά κάθε λεπτομέρεια της συσκευασίας, καθαρισμός, αντιστατική, θεραπεία κραδασμών.
Ανάλογα με την ποσότητα και το σχήμα του προϊόντος, θα ακολουθήσουμε διαφορετική διαδικασία συσκευασίας! Σχεδόν με κασέτες μονής γκοφρέτας ή κασέτα 25 τμχ σε δωμάτιο καθαρισμού 100 βαθμών.