SIC τετραγωνικό υπόστρωμα 5×5 10×10 350um εκτός άξονα: 2,0°-4,0° προς το βαθμό παραγωγής
Λεπτομέρειες:
Μάρκα: | ZMSH |
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
Επισημαίνω: | Προς το επίπεδο παραγωγής SIC τετραγωνικό υπόστρωμα,10×10 SIC τετραγωνικό υπόστρωμα,350um SIC τετραγωνικό υπόστρωμα |
---|
Περιγραφή προϊόντων
SIC τετραγωνικό υπόστρωμα 5×5 10×10 350um Από τον άξονα: 2.0°-4.0° προς τα εμπρός Κατηγορία παραγωγής
Η περίληψη του τετραγωνικού υποστρώματος SIC
Τα τετράγωνα υποστρώματα του καρβιδίου του πυριτίου (SiC) είναι κρίσιμα υλικά σε προηγμένες συσκευές ημιαγωγών, ιδιαίτερα σε εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.υψηλή τάση διακοπής, και ευρύ εύρος ζώνης το καθιστούν ιδανική επιλογή για την επόμενη γενιά ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος, ειδικά σε σκληρά περιβάλλοντα.Το τετράγωνο σχήμα αυτών των υποστρωμάτων διευκολύνει την αποτελεσματική χρήση στην κατασκευή συσκευών και εξασφαλίζει τη συμβατότητα με διάφορους εξοπλισμούς επεξεργασίας.Επιπλέον, τα υποστρώματα SiC με γωνίες εκτός άξονα που κυμαίνονται από 2,0° έως 4,0° χρησιμοποιούνται ευρέως για τη βελτίωση της ποιότητας της επιταξιακής στρώσης με τη μείωση ελαττωμάτων όπως μικροσωλήνες και εκτοπίσεις.Τα υποστρώματα αυτά διαδραματίζουν επίσης κεντρικό ρόλο στην ανάπτυξη διόδων υψηλών επιδόσεων, τα τρανζίστορα και άλλα ηλεκτρονικά εξαρτήματα όπου η υψηλή απόδοση και η αξιοπιστία είναι πρωταρχικής σημασίας.Τα τετραγωνικά υπόστρωμα SiC προσφέρουν υποσχόμενες λύσεις σε τομείς όπως τα ηλεκτρικά οχήματαΗ τρέχουσα έρευνα επικεντρώνεται στη βελτιστοποίηση της παραγωγής των υπόστρωτων SiC για τη μείωση του κόστους και τη βελτίωση της απόδοσης του υλικού.Αυτή η περίληψη περιγράφει τη σημασία των τετραγωνικών υπόστρωτων SiC και τονίζει το ρόλο τους στην προώθηση των σύγχρονων τεχνολογιών ημιαγωγών.
Ιδιότητες του τετραγωνικού υποστρώματος SIC
Οι ιδιότητες ενός τετραγωνικού υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) είναι κρίσιμες για την απόδοσή του σε εφαρμογές ημιαγωγών.
-
Ευρύ εύρος ζώνης (3,26 eV): Το SiC έχει πολύ ευρύτερο εύρος από το πυρίτιο, επιτρέποντάς του να λειτουργεί σε υψηλότερες θερμοκρασίες, τάσεις και συχνότητες χωρίς να υποβαθμίζει τις επιδόσεις.
-
Υψηλή θερμική αγωγιμότητα (3,7 W/cm·K): Η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα του SiC επιτρέπει την αποτελεσματική διάχυση της θερμότητας, καθιστώντας το ιδανικό για εφαρμογές υψηλής ισχύος.
-
Ηλεκτρικό πεδίο υψηλής διάσπασης (3 MV/cm): Το SiC μπορεί να αντέξει υψηλότερα ηλεκτρικά πεδία από το πυρίτιο, το οποίο είναι κρίσιμο για συσκευές υψηλής τάσης, μειώνοντας τον κίνδυνο βλάβης και βελτιώνοντας την απόδοση.
-
Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (950 cm2/V·s): Αν και ελαφρώς χαμηλότερο από το πυρίτιο, το SiC εξακολουθεί να προσφέρει καλή κινητικότητα ηλεκτρονίων, επιτρέποντας ταχύτερες ταχύτητες διασύνδεσης σε ηλεκτρονικές συσκευές.
-
Μηχανική σκληρότητα: Το SiC είναι ένα εξαιρετικά σκληρό υλικό με σκληρότητα Mohs περίπου 9.5, καθιστώντας το εξαιρετικά ανθεκτικό στην φθορά και ικανό να διατηρεί τη δομική ακεραιότητα σε ακραίες συνθήκες.
-
Χημική σταθερότητα: Το SiC είναι χημικά αδρανές, ανθεκτικό στην οξείδωση και τη διάβρωση, καθιστώντας το κατάλληλο για σκληρές χημικές και περιβαλλοντικές συνθήκες.
-
Γωνία εκτός άξονα: Πολλά υποστρώματα SiC έχουν απόκοψη εκτός άξονα (π.χ. 2,0°-4,0°) για τη βελτίωση της ανάπτυξης της επιταξιακής στρώσης, μειώνοντας ελαττώματα όπως μικροσωλήνες και εκτοπίσεις στη κρυσταλλική δομή.
-
Χαμηλή πυκνότητα ελαττωμάτων: Τα υποστρώματα SiC υψηλής ποιότητας έχουν χαμηλή πυκνότητα κρυσταλλικών ελαττωμάτων, βελτιώνοντας την απόδοση και την αξιοπιστία των ηλεκτρονικών συσκευών.
Αυτές οι ιδιότητες καθιστούν τα τετράγωνα υπόστρωμα SiC ιδανικά για εφαρμογές σε ηλεκτρονικά συστήματα ισχύος, ηλεκτρικά οχήματα, τηλεπικοινωνίες και συστήματα ανανεώσιμης ενέργειας,όπου η υψηλή απόδοση και η αντοχή είναι απαραίτητες.
Οι κύριες παράμετροι επιδόσεων | |
Ονομασία του προϊόντος
|
Υποστρώμα καρβιδίου του πυριτίου, πλάκα καρβιδίου του πυριτίου, πλάκα SiC, υπόστρωμα SiC
|
Μέθοδος ανάπτυξης
|
MOCVD
|
Κρυστάλλινη δομή
|
6H, 4H
|
Παράμετροι πλέγματος
|
6H ((a=3,073 Å c=15,117 Å),
4H ((a=3,076 Å c=10,053 Å) |
Αλληλουχία στοιβάσματος
|
6H: ABCACB,
4H: ABCB |
Αξία
|
Κατηγορία παραγωγής, Κατηγορία έρευνας, Κατηγορία εικονικών
|
Τύπος αγωγιμότητας
|
Τύπος N ή ημιμόνωση |
Τραπεζικό κενό
|
3.23 eV
|
Σκληρότητα
|
9.2 (σπυράκια)
|
Θερμική αγωγιμότητα @ 300K
|
30,2-4,9 W/cm.K
|
Ηλεκτρικές σταθερές
|
E(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
|
Αντίσταση
|
4H-SiC-N: 0,015 έως 0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0,02 έως 0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: > 1E7 Ω·cm |
Συσκευή
|
Καθαρή τσάντα κατηγορίας 100, στο καθαρό δωμάτιο κατηγορίας 1000
|
Αληθινές φωτογραφίες του τετραγωνικού υποστρώματος SIC
Πραγματικές εφαρμογές του τετραγωνικού υποστρώματος SIC
Τα τετραγωνικά υπόστρωμα του καρβιδίου του πυριτίου (SiC) έχουν βρει εφαρμογές στον πραγματικό κόσμο σε διάφορες βιομηχανίες υψηλής τεχνολογίας, κυρίως λόγω των εξαιρετικών θερμικών, ηλεκτρικών και μηχανικών ιδιοτήτων τους.Ορισμένες από τις βασικές εφαρμογές περιλαμβάνουν::
1.Ηλεκτρονική ενέργεια:
- Συσκευές υψηλής ισχύος:Τα τετραγωνικά υποστρώματα SiC χρησιμοποιούνται στην κατασκευή συσκευών υψηλής ισχύος όπως MOSFET, IGBT και διόδους Schottky.Ιδιαίτερα σε περιοχές όπου η υψηλή αποδοτικότητα, η αξιοπιστία και η απόδοση είναι κρίσιμες, όπως στις βιομηχανικές πηγές ενέργειας και τους ηλιακούς μετατροπείς.
- Ηλεκτρικά οχήματα:Η ηλεκτρονική ισχύος με βάση το SiC υιοθετείται όλο και περισσότερο στα συστήματα κίνησης ηλεκτρικών οχημάτων (EV), συμπεριλαμβανομένων των ενσωματωμένων φορτιστών, μετατροπών και των εξαρτημάτων του συστήματος κίνησης.Η βελτιωμένη απόδοση και η μειωμένη παραγωγή θερμότητας επιτρέπουν ελαφρύτερο, πιο συμπαγή συστήματα με καλύτερη χρήση ενέργειας.
2.Ανανεώσιμη ενέργεια:
- Ηλιακοί μετατροπείς:Τα υποστρώματα SiC βελτιώνουν τις επιδόσεις των ηλιακών μετατροπών ενεργείας, επιτρέποντας πιο αποτελεσματική μετατροπή ενέργειας από συνεχές ρεύμα σε εναλλασσόμενο ρεύμα, γεγονός που είναι ζωτικής σημασίας για τη βελτιστοποίηση της παραγωγής των συστημάτων ηλιακής ενέργειας.
- Αιολικές ανεμογεννήτριες:Οι μονάδες ισχύος με βάση το SiC χρησιμοποιούνται στις ανεμογεννήτριες για τη διαχείριση της μετατροπής ισχύος, εξασφαλίζοντας αποτελεσματική και αξιόπιστη λειτουργία ακόμη και υπό συνθήκες υψηλού στρες.
3.Τηλεπικοινωνίες:
- Υποδομή 5G:Τα υποστρώματα SiC χρησιμοποιούνται σε συσκευές ραδιοσυχνοτήτων υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος που υποστηρίζουν την ανάπτυξη δικτύων 5G.Η ικανότητά τους να χειρίζονται υψηλές συχνότητες χωρίς σημαντικές απώλειες τους καθιστά ιδανικούς για την επόμενη γενιά συστημάτων επικοινωνίας.
4.Αεροδιαστημική και Άμυνα:
- Συστήματα ραντάρ:Τα υποστρώματα SiC χρησιμοποιούνται σε προηγμένα συστήματα ραντάρ, όπου η λειτουργία υψηλής συχνότητας και οι δυνατότητες διαχείρισης της ισχύος είναι κρίσιμες.Η ανθεκτικότητα του υλικού εξασφαλίζει επίσης την απόδοση σε ακραίες θερμοκρασίες και σκληρά περιβάλλοντα.
- Εφαρμογές δορυφόρων και διαστήματος:Η θερμική σταθερότητα και η αντοχή του SiC στην ακτινοβολία το καθιστούν κατάλληλο για δορυφόρους και άλλες διαστημικές εφαρμογές, όπου τα υλικά υπόκεινται σε ακραίες συνθήκες.
5.Βιομηχανικές εφαρμογές:
- Μηχανές κίνησης:Τα υποστρώματα SiC ενσωματώνονται σε κινητήρες για βιομηχανικά μηχανήματα, βελτιώνοντας την αποτελεσματικότητα και μειώνοντας την κατανάλωση ενέργειας, ιδιαίτερα σε εφαρμογές υψηλής ζήτησης όπως η ρομποτική και ο αυτοματισμός.
- Συστήματα HVAC:Η ηλεκτρονική ισχύος με βάση το SiC χρησιμοποιείται επίσης σε συστήματα HVAC για την αύξηση της ενεργειακής απόδοσης και τη μείωση των λειτουργικών δαπανών.
6.Ιατρικός εξοπλισμός:
- Εργαλεία απεικόνισης και διάγνωσης:Τα υποστρώματα SiC συμβάλλουν στις ανάγκες υψηλών επιδόσεων των προηγμένων ιατρικών εξοπλισμών απεικόνισης, όπως οι μηχανές μαγνητικής τομογραφίας και οι σαρωτές ΤΤ, επιτρέποντας ακριβή και αποτελεσματική διαχείριση ενέργειας.
7.Σιδηροδρομικές μεταφορές:
- Ηλεκτρικά τρένα:Η τεχνολογία SiC χρησιμοποιείται στα συστήματα έλξης των ηλεκτρικών τρένων, όπου η ανάγκη για συμπαγή, αποδοτικά συστήματα ισχύος που μπορούν να χειριστούν υψηλά φορτία είναι κρίσιμη.Οι μετατροπείς και οι μετατροπείς με βάση το SiC συμβάλλουν σε πιο ενεργειακά αποδοτικά και ταχύτερα τρένα.
Οι εφαρμογές αυτές αποδεικνύουν την ευελιξία και την επίδραση των τετραγωνικών υπόστρωτων SiC στην παροχή λύσεων υψηλής απόδοσης και ενεργειακής απόδοσης σε διάφορες βιομηχανίες.
Ερωτήσεις και απαντήσεις
Ε: Τι είναι τα υπόστρωμα SiC;
Α:Τα πλακάκια και τα υποστρώματα του καρβιδίου του πυριτίου (SiC)ειδικά υλικά που χρησιμοποιούνται στην τεχνολογία ημιαγωγών από καρβίδιο του πυριτίου, μια ένωση γνωστή για την υψηλή θερμική της αγωγιμότητα, την εξαιρετική μηχανική αντοχή και το ευρύ εύρος.