• 3C-N τύπου Silicon Carbide Wafers 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες ή 5 * 5 10 * 10 mm Μέγεθος Προϊόντα βαθμό βαθμό Έρευνα
  • 3C-N τύπου Silicon Carbide Wafers 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες ή 5 * 5 10 * 10 mm Μέγεθος Προϊόντα βαθμό βαθμό Έρευνα
  • 3C-N τύπου Silicon Carbide Wafers 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες ή 5 * 5 10 * 10 mm Μέγεθος Προϊόντα βαθμό βαθμό Έρευνα
  • 3C-N τύπου Silicon Carbide Wafers 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες ή 5 * 5 10 * 10 mm Μέγεθος Προϊόντα βαθμό βαθμό Έρευνα
  • 3C-N τύπου Silicon Carbide Wafers 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες ή 5 * 5 10 * 10 mm Μέγεθος Προϊόντα βαθμό βαθμό Έρευνα
3C-N τύπου Silicon Carbide Wafers 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες ή 5 * 5 10 * 10 mm Μέγεθος Προϊόντα βαθμό βαθμό Έρευνα

3C-N τύπου Silicon Carbide Wafers 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες ή 5 * 5 10 * 10 mm Μέγεθος Προϊόντα βαθμό βαθμό Έρευνα

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής: Κίνα
Μάρκα: ZMSH

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Χρόνος παράδοσης: 2-4weeks
Όροι πληρωμής: Τ/Τ
Καλύτερη τιμή Επικοινωνία

Λεπτομερής ενημέρωση
Διάμετρος: 5*5mm±0.2mm & 10*10mm±0.2mm 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες Δάχος: 350 μm±25 μm
Αντίσταση 3C-N: ≤ 0,8 mΩ•cm Αρχικό επίπεδο μήκος: 150,9 mm ±1,7 mm
Δευτεροβάθμιο επίπεδο μήκος: 80,0 mm ±1,7 mm Αποκλεισμός ακρών: 3 χιλιοστά
TTV/Bow/Warp: ≤ 2,5 μm/≤ 5 μm/≤ 15 Ακατέργαστη: Πολωνική Ra≤1 nm CMP Ra≤0,2 nm
Η επιφάνεια του πυριτίου γρατζουνίζεται από το φως υψηλής έντασης: 3 γρατσουνιές σε 1 × σωρευτικό μήκος διαμέτρου πλάκας
Επισημαίνω:

4inch γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου

,

6 ιντσών Σιλικόν Καρβιδίου Wafers

,

Ερευνητικά υφάσματα καρβιδίου πυριτίου

Περιγραφή προϊόντων

Γκοφρέτες καρβιδίου πυριτίου τύπου 3C-N 2 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών ή 5 * 5 & 10 * 10 χιλιοστά μέγεθος, βαθμός παραγωγής, βαθμός έρευνας

 

 

Σλιπ 3C-N Type Silicon Carbide Wafers

 

3C-N τύπου Silicon Carbide Wafers 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες ή 5 * 5 10 * 10 mm Μέγεθος Προϊόντα βαθμό βαθμό Έρευνα 0

 

Γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου (SiC) τύπου 3C-Nείναι μια συγκεκριμένη παραλλαγή πλακών SiC που χρησιμοποιούν τον κυβικό πολυτύπο 3C. Γνωστές για τις εξαιρετικές θερμικές, ηλεκτρικές και μηχανικές τους ιδιότητες, αυτές οι γκοφρέτες έχουν σχεδιαστεί για να ικανοποιούν τις αυστηρές απαιτήσεις προηγμένων τεχνολογιών στα ηλεκτρονικά, την οπτοηλεκτρονική και τις συσκευές ισχύος.

Ο3C πολυτύποςδιαθέτει κυβική κρυσταλλική δομή, προσφέροντας πολλά πλεονεκτήματα έναντι των εξαγωνικών πολυτύπων όπως το 4H-SiC και το 6H-SiC. Ένα βασικό πλεονέκτημα του 3C-SiC είναιυψηλότερη κινητικότητα ηλεκτρονίων, γεγονός που το καθιστά ιδανικό για εφαρμογές υψηλής συχνότητας και ηλεκτρονικά ισχύος όπου η γρήγορη εναλλαγή και η χαμηλή απώλεια ενέργειας είναι κρίσιμες. Επιπλέον, οι γκοφρέτες 3C-N SiC έχουν αχαμηλότερο διάκενο ζώνης(περίπου 2,36 eV), το οποίο εξακολουθεί να τους επιτρέπει να χειρίζονται αποτελεσματικά υψηλή ισχύ και τάση.

 

Αυτές οι γκοφρέτες είναι διαθέσιμες σε τυπικά μεγέθη όπως π.χ5x5mmκαι10x10mm, με απάχος 350 μm ± 25 μm, εξασφαλίζοντας ακριβή συμβατότητα για διάφορες διαδικασίες κατασκευής συσκευών. Είναι κατάλληλα για χρήση σευψηλής ισχύοςκαισυσκευές υψηλής συχνότητας, όπως MOSFET, δίοδοι Schottky και άλλα εξαρτήματα ημιαγωγών, που προσφέρουν αξιόπιστη απόδοση κάτω από ακραίες συνθήκες.

Οθερμική αγωγιμότητατων πλακών SiC 3C-N επιτρέπει την αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας, ένα κρίσιμο χαρακτηριστικό για συσκευές που λειτουργούν σε υψηλές πυκνότητες ισχύος. Επιπλέον, η μηχανική αντοχή και η αντοχή τους σε θερμικές και χημικές καταπονήσεις τα καθιστούν ανθεκτικά σε δύσκολα περιβάλλοντα, ενισχύοντας περαιτέρω την εφαρμογή τους σεηλεκτρονικά ισχύος,Τεχνολογίες AR, καιαισθητήρες υψηλής θερμοκρασίας.

Συνοπτικά, οι γκοφρέτες τύπου SiC 3C-N συνδυάζουν ανώτερα ηλεκτρονικά, θερμικά και μηχανικά χαρακτηριστικά, καθιστώντας τα απαραίτητα για ηλεκτρονικές συσκευές επόμενης γενιάς και εφαρμογές υψηλής απόδοσης.

 

 

Φωτογραφίες 3C-N Type Silicon Carbide Wafers

 

3C-N τύπου Silicon Carbide Wafers 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες ή 5 * 5 10 * 10 mm Μέγεθος Προϊόντα βαθμό βαθμό Έρευνα 13C-N τύπου Silicon Carbide Wafers 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες ή 5 * 5 10 * 10 mm Μέγεθος Προϊόντα βαθμό βαθμό Έρευνα 2

3C-N τύπου Silicon Carbide Wafers 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες ή 5 * 5 10 * 10 mm Μέγεθος Προϊόντα βαθμό βαθμό Έρευνα 33C-N τύπου Silicon Carbide Wafers 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες ή 5 * 5 10 * 10 mm Μέγεθος Προϊόντα βαθμό βαθμό Έρευνα 4

 

 

Ιδιότητες γκοφρέτας καρβιδίου πυριτίου τύπου 3C-N

 

Κρυσταλλική δομή:

Κυβική (3C) πολυτυπική δομή, που προσφέρει υψηλότερη κινητικότητα ηλεκτρονίων σε σύγκριση με τους εξαγωνικούς πολυτύπους SiC όπως 4H-SiC και 6H-SiC, καθιστώντας το κατάλληλο για εφαρμογές υψηλής συχνότητας.

 

Επιλογές μεγέθους:

Διατίθεται σε διαστάσεις 5x5mm και 10x10mm, παρέχοντας ευελιξία για διάφορες εφαρμογές.

 

Πάχος:

Ελεγχόμενο με ακρίβεια πάχος 350 μm ± 25 μm, εξασφαλίζοντας μηχανική σταθερότητα και συμβατότητα με ένα ευρύ φάσμα διαδικασιών κατασκευής.

 

Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων:

Η κυβική κρυσταλλική δομή έχει ως αποτέλεσμα βελτιωμένη μεταφορά ηλεκτρονίων, καθιστώντας την πλεονεκτική για εφαρμογές υψηλής ταχύτητας και χαμηλών απωλειών ενέργειας σε ηλεκτρονικά ισχύος και συσκευές RF.

 

Θερμική αγωγιμότητα:

Η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα επιτρέπει την αποτελεσματική απαγωγή θερμότητας, ζωτικής σημασίας για συσκευές που λειτουργούν σε υψηλές πυκνότητες ισχύος, συμβάλλοντας στην αποφυγή υπερθέρμανσης και αυξάνοντας τη μακροζωία της συσκευής.

 

Bandgap:

Χαμηλότερο διάκενο ζώνης περίπου 2,36 eV, κατάλληλο για εφαρμογές υψηλής τάσης και υψηλής ισχύος, διατηρώντας παράλληλα αποτελεσματική λειτουργία σε ακραία περιβάλλοντα.

 

Μηχανική αντοχή:

Οι γκοφρέτες 3C-N SiC παρουσιάζουν υψηλή μηχανική αντοχή, προσφέροντας αντοχή στη φθορά και την παραμόρφωση, εξασφαλίζοντας μακροπρόθεσμη αξιοπιστία σε δύσκολες συνθήκες.

 

Οπτική διαφάνεια:

Καλές οπτικές ιδιότητες, ιδιαίτερα για οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές όπως LED και φωτοανιχνευτές, χάρη στη διαφάνειά του σε ορισμένα μήκη κύματος.

 

Χημική και θερμική σταθερότητα:

Εξαιρετικά ανθεκτικό στη θερμική και χημική καταπόνηση, καθιστώντας το κατάλληλο για χρήση σε ακραία περιβάλλοντα όπως ηλεκτρονικά και αισθητήρες υψηλής θερμοκρασίας.

 

Αυτές οι ιδιότητες καθιστούν τις γκοφρέτες 3C-N SiC ιδανικές για ένα ευρύ φάσμα προηγμένων εφαρμογών, συμπεριλαμβανομένων των ηλεκτρονικών ισχύος, των συσκευών υψηλής συχνότητας, της οπτοηλεκτρονικής και των αισθητήρων.

 

 

 

Πίνακας δεδομένων 3C-N Type Silicon Carbide Wafers

 

晶格领域 2 英寸 Ούτω 晶片产品标准

2 διάμετρος ίντσας πυρίτιοΥπόστρωμα καρβιδίου (SiC). Προσδιορισμός

 

-)

 

 

 

 

等级 Βαθμός

工业级

Βαθμός Παραγωγής

(Π βαθμός)

研究级

Βαθμός Έρευνας

(Βαθμός R)

试片级

Ομοίωμα Βαθμού

(Δ τάξη)
直径 Διάμετρος 50,8mm±0,38mm
厚度 Πάχος 350 μm±25 μm
晶片方向 Προσανατολισμός γκοφρέτας Εκτός άξονα: 2,0°-4,0° προς [112 0] ± 0,5° για 4H/6H-P, Στον άξονα:〈111〉± 0,5° για 3C-N
微管密度 Πυκνότητα μικροσωλήνων 0 cm-2
电阻率 ※Ειδική αντίσταση 4Η/6Η-Ρ ≤0,1 Ω.εκ
3C-N ≤0,8 mΩ•cm
主定位边方向 Πρωτεύων Επίπεδος Προσανατολισμός 4Η/6Η-Ρ {10-10} ±5,0°
3C-N {1-10} ±5,0°
主定位边长度 Πρωτεύον επίπεδο μήκος 15,9 mm ±1,7 mm
次定位边长度 Δευτερεύον επίπεδο μήκος 8,0 mm ±1,7 mm
次定位边方向 Δευτερεύων επίπεδος προσανατολισμός Πρόσοψη πυριτίου προς τα επάνω: 90° CW. από Prime flat ±5,0°
边缘去除 Εξαίρεση άκρων 3 χλστ 3 χλστ
总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Τόξο/Στημόνι ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm
表面粗糙度※ Τραχύτητα Πολωνικά Ra≤1 nm
CMP Ra≤0,2 nm
边缘裂纹(强光灯观测) Ρωγμές άκρων από φως υψηλής έντασης Κανένας 1 επιτρέπεται, ≤1 mm
六方空洞(强光灯观测) ※ Εξαγωνικές πλάκες από φως υψηλής έντασης Σωρευτική περιοχή≤1 % Σωρευτική περιοχή≤3 %
多型(强光灯观测) ※ Πολυτυπικές περιοχές από φως υψηλής έντασης Κανένας Σωρευτική περιοχή≤2 % Σωρευτική περιοχή≤5%

Si 面划痕(强光灯观测)#

Επιφανειακές γρατσουνιές πυριτίου από φως υψηλής έντασης

3 γρατσουνιές έως 1×γκοφρέτα

διάμετρο σωρευτικό μήκος

5 γρατσουνιές έως 1×γκοφρέτα

διάμετρο σωρευτικό μήκος

 8 γρατσουνιές έως αθροιστικό μήκος διαμέτρου γκοφρέτας 1×
崩边(强光灯观测) Edge Chips High By Intensity Light φως Κανένας Επιτρέπονται 3, ≤0,5 mm το καθένα Επιτρέπονται 5, ≤1 mm το καθένα

硅面污染物(强光灯观测)

Μόλυνση επιφάνειας πυριτίου από υψηλή ένταση

 Κανένας
包装 Συσκευασία Κασέτα πολλαπλών γκοφρετών ή δοχείο μονής γκοφρέτας

 

 

 

Σημειώσεις:

 

 

 

※ Τα όρια ελαττωμάτων ισχύουν για ολόκληρη την επιφάνεια πλακέτας εκτός από την περιοχή αποκλεισμού άκρων. # Οι γρατσουνιές πρέπει να ελέγχονται μόνο στο πρόσωπο Si.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Εφαρμογές 3C-N Type Silicon Carbide Wafers

 

 

 

 

 

 

 

Εφαρμογές καρβιδίου πυριτίου τύπου 3C-N (SiC) στη βιομηχανία ημιαγωγών και μικροηλεκτρονικών

 

 

 

Οι γκοφρέτες καρβιδίου πυριτίου τύπου 3C-N διαδραματίζουν κρίσιμο ρόλο στη βιομηχανία ημιαγωγών και μικροηλεκτρονικών, προσφέροντας μοναδικές ιδιότητες που ενισχύουν την απόδοση και την αποδοτικότητα διαφόρων συσκευών.

 

 

 

 

 

 

 

Ηλεκτρονικά Ισχύος:

 

 

 

Στα ηλεκτρονικά ισχύος, οι γκοφρέτες 3C-N SiC χρησιμοποιούνται ευρέως σε συσκευές υψηλής ισχύος, όπως π.χMOSFET,Δίοδοι Schottky, καιτρανζίστορ ισχύος. Η υψηλή θερμική τους αγωγιμότητα και η κινητικότητα των ηλεκτρονίων επιτρέπουν σε αυτές τις συσκευές να λειτουργούν αποτελεσματικά σε υψηλές τάσεις και θερμοκρασίες, ενώ ελαχιστοποιούν τις απώλειες ενέργειας. Αυτό καθιστά το 3C-N SiC ιδανικό για χρήσησυστήματα μετατροπής ισχύος,ηλεκτρικά οχήματα (EV), καισυστήματα ανανεώσιμων πηγών ενέργειας, όπου η αποτελεσματική διαχείριση ενέργειας είναι ζωτικής σημασίας.

 

 

 

 

 

 

 

Συσκευές Υψηλής Συχνότητας:

 

 

 

Η εξαιρετική κινητικότητα ηλεκτρονίων των γκοφρετών 3C-N SiC τα καθιστά κατάλληλα γιαραδιοσυχνότητα (RF)καιεφαρμογές μικροκυμάτων, όπωςενισχυτές,ταλαντωτές, καιφίλτρα. Αυτές οι γκοφρέτες επιτρέπουν στις συσκευές να λειτουργούν σε υψηλότερες συχνότητες με χαμηλότερη απώλεια σήματος, βελτιώνοντας την απόδοση των συστημάτων ασύρματης επικοινωνίας, της δορυφορικής τεχνολογίας και των συστημάτων ραντάρ.

 

 

 

 

 

 

 

Ηλεκτρονικά Υψηλής Θερμοκρασίας:

 

 

 

Οι γκοφρέτες 3C-N SiC χρησιμοποιούνται επίσης σε συσκευές ημιαγωγών που λειτουργούν σε ακραία περιβάλλοντα, όπως π.χ.αισθητήρες υψηλής θερμοκρασίαςκαιενεργοποιητές. Η μηχανική αντοχή, η χημική σταθερότητα και η θερμική αντοχή του υλικού επιτρέπουν σε αυτές τις συσκευές να αποδίδουν αξιόπιστα σε βιομηχανίες όπως η αεροδιαστημική, η αυτοκινητοβιομηχανία και το πετρέλαιο και το φυσικό αέριο, όπου οι συσκευές πρέπει να αντέχουν σε σκληρές συνθήκες λειτουργίας.

 

 

 

 

 

 

 

Μικροηλεκτρομηχανικά Συστήματα (MEMS):

 

 

 

Στη βιομηχανία μικροηλεκτρονικών, χρησιμοποιούνται γκοφρέτες 3C-N SiCΣυσκευές MEMS, τα οποία απαιτούν υλικά με υψηλή μηχανική αντοχή και θερμική σταθερότητα. Αυτές οι συσκευές περιλαμβάνουναισθητήρες πίεσης,επιταχυνσιόμετρα, καιγυροσκόπια, τα οποία επωφελούνται από την ανθεκτικότητα και την απόδοση του SiC κάτω από ποικίλες θερμοκρασίες και μηχανικές καταπονήσεις.

 

 

 

 

 

 

 

Οπτοηλεκτρονική:

 

 

 

Οι γκοφρέτες 3C-N SiC χρησιμοποιούνται επίσης σεLED,φωτοανιχνευτέςκαι άλλες οπτοηλεκτρονικές συσκευές λόγω της οπτικής τους διαφάνειας και της ικανότητάς τους να χειρίζονται υψηλή ισχύ, παρέχοντας αποτελεσματικές δυνατότητες εκπομπής φωτός και ανίχνευσης.

 

 

 

 

 

 

 

Συνοπτικά, οι γκοφρέτες SiC τύπου 3C-N είναι απαραίτητες στις βιομηχανίες ημιαγωγών και μικροηλεκτρονικών, ιδιαίτερα σε εφαρμογές που απαιτούν υψηλή απόδοση, ανθεκτικότητα και απόδοση σε ακραίες συνθήκες.

 

 

 

 

 

 

 

 

ετικέτα:

υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου

γκοφρέτα SIC

γκοφρέτες πυριτίου στο σάπφειρο

Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν
Ik ben geïnteresseerd 3C-N τύπου Silicon Carbide Wafers 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες ή 5 * 5 10 * 10 mm Μέγεθος Προϊόντα βαθμό βαθμό Έρευνα θα μπορούσατε να μου στείλετε περισσότερες λεπτομέρειες όπως τύπος, μέγεθος, ποσότητα, υλικό κ.λπ.
Ευχαριστώ!
Wachten op je antwoord.