Επισκόπηση Προϊόντος Ημιαπομονωτικών Δίσκων SiC

Ημιαπομονωτικοί Δίσκοι SiC Υψηλής Καθαρότητας έχουν σχεδιαστεί για ηλεκτρονικά ισχύος επόμενης γενιάς, συσκευές RF/microwave και οπτοηλεκτρονική. Οι δίσκοι μας κατασκευάζονται από μονοκρυστάλλους 4H- ή 6H-SiC χρησιμοποιώντας μια βελτιστοποιημένη διαδικασία ανάπτυξης Physical Vapor Transport (PVT) σε συνδυασμό με ανόπτηση αντιστάθμισης βαθιάς στάθμης. Το αποτέλεσμα είναι ένας δίσκος με:

• Εξαιρετικά Υψηλή Αντίσταση: ≥1×10¹² Ω·cm, για την καταστολή των ρευμάτων διαρροής σε διατάξεις μεταγωγής υψηλής τάσης

• Μεγάλο Bandgap (~3.2 eV): Διατηρεί ανώτερη ηλεκτρική απόδοση σε συνθήκες υψηλής θερμοκρασίας, υψηλού πεδίου και υψηλής ακτινοβολίας

• Εξαιρετική Θερμική Αγωγιμότητα: >4.9 W/cm·K, για ταχεία απομάκρυνση θερμότητας σε μονάδες υψηλής ισχύος

• Εξαιρετική Μηχανική Αντοχή: Σκληρότητα Mohs 9.0 (μόνο δεύτερη μετά το διαμάντι), χαμηλή θερμική διαστολή και εξαιρετική χημική σταθερότητα

• Ατομικά Λεία Επιφάνεια: Ra < 0.4 nm με πυκνότητα ελαττωμάτων < 1/cm², ιδανικό για επιταξία MOCVD/HVPE και μικρο-νανο κατασκευή

Διαθέσιμα Μεγέθη: 50, 75, 100, 150, 200 mm (2″–8″) standard; προσαρμοσμένες διάμετροι έως 250 mm κατόπιν αιτήματος.
Εύρος Πάχους: 200–1 000 μm με ανοχή ±5 μm.

Αρχές Κατασκευής & Ροή Διεργασίας των Ημιαπομονωτικών Δίσκων SiC

Προετοιμασία Σκόνης SiC Υψηλής Καθαρότητας

• Αρχικό υλικό: Σκόνη SiC βαθμού 6N– καθαρισμένη μέσω πολυσταδιακής εξάχνωσης κενού και θερμικής επεξεργασίας για τη μείωση των μεταλλικών ρύπων (Fe, Cr, Ni < 10 ppb) και την εξάλειψη των πολυκρυσταλλικών εγκλεισμάτων.

Τροποποιημένη Ανάπτυξη Μονοκρυστάλλων PVT

• Περιβάλλον: 10⁻³–10⁻² Torr σχεδόν κενό

• Θερμοκρασία: Γραφιτούχο χωνευτήριο θερμαίνεται στους ~2 500 °C; ελεγχόμενη θερμική κλίση ΔT ≈ 10–20 °C/cm

• Ροή Αερίου & Σχεδιασμός Χωνευτηρίου: Πορώδεις διαχωριστές γραφίτη και προσαρμοσμένη γεωμετρία χωνευτηρίου εξασφαλίζουν ομοιόμορφη κατανομή ατμών και αναστέλλουν την ανεπιθύμητη πυρήνωση

• Δυναμική Τροφοδοσία & Περιστροφή: Περιοδική αναπλήρωση σκόνης SiC και περιστροφή ράβδου κρυστάλλου αποδίδουν χαμηλές πυκνότητες μετατόπισης (< 3 000 cm⁻²) και σταθερό προσανατολισμό 4H/6H

​

Ανόπτηση Αντιστάθμισης Βαθιάς Στάθμης

• Ανόπτηση Υδρογόνου: 600–1 400 °C σε ατμόσφαιρα H₂ για αρκετές ώρες για την ενεργοποίηση παγίδων βαθιάς στάθμης και την αντιστάθμιση των εγγενών φορέων

• N/Al Co-Doping (Προαιρετικό): Ακριβής ενσωμάτωση Al (αποδέκτης) και N (δότης) προσμείξεων κατά την ανάπτυξη ή την επεξεργασία CVD μετά την ανάπτυξη για τη δημιουργία σταθερών ζευγών δότη-αποδέκτη, οδηγώντας σε αιχμές αντίστασης

​

Κοπή Ακριβείας & Πολυσταδιακή Λείανση

• Πριόνισμα με Διαμαντόσυρμα: Κόβει δίσκους σε πάχος 200–1 000 μm με ελάχιστη στρώση ζημιάς; ανοχή πάχους ±5 μm

• Χονδροειδής έως Λεπτή Λείανση: Διαδοχική χρήση λειαντικών διαμαντιών για την αφαίρεση της ζημιάς από το πριόνισμα και την προετοιμασία για στίλβωση

Χημική Μηχανική Στίλβωση (CMP)

• Μέσα Στίλβωσης: Κολλοειδές νανο-οξειδίου (SiO₂ ή CeO₂) σε ήπιο αλκαλικό εναιώρημα

• Έλεγχος Διεργασίας: Οι παράμετροι στίλβωσης χαμηλής καταπόνησης παρέχουν τραχύτητα RMS 0.2–0.4 nm και εξαλείφουν τις μικρο-γρατσουνιές

​

Τελικός Καθαρισμός & Συσκευασία Class-100

• Πολυσταδιακός Υπερηχητικός Καθαρισμός: Οργανικός διαλύτης → επεξεργασίες οξέος/βάσης → ξέπλυμα με απιονισμένο νερό, όλα εκτελούνται σε καθαρό δωμάτιο Class-100

• Στέγνωμα & Σφράγιση: Στέγνωμα με καθαρισμό αζώτου, σφραγισμένο σε προστατευτικές σακούλες γεμάτες άζωτο και στεγασμένο σε αντιστατικά, εξωτερικά κουτιά απόσβεσης κραδασμών

Προδιαγραφές Ημιαπομονωτικών Δίσκων SiC

Βασικοί Τομείς Εφαρμογών των Ημιαπομονωτικών Δίσκων SiC

• Ηλεκτρονικά Υψηλής Ισχύος

  • Τα SiC MOSFET, οι δίοδοι Schottky, οι μετατροπείς υψηλής τάσης και οι μονάδες ισχύος EV γρήγορης φόρτισης αξιοποιούν τη χαμηλή αντίσταση και το υψηλό πεδίο θραύσης του SiC.

• Συστήματα RF & Microwave

  • Οι ενισχυτές ισχύος σταθμών βάσης 5G/6G, οι μονάδες ραντάρ χιλιοστομετρικών κυμάτων και τα μπροστινά άκρα επικοινωνίας δορυφόρων απαιτούν την απόδοση υψηλής συχνότητας και την ανθεκτικότητα στην ακτινοβολία του SiC.

• Οπτοηλεκτρονική & Φωτονική

  • Τα UV-LED, οι δίοδοι μπλε λέιζερ και οι φωτοανιχνευτές ευρέος bandgap επωφελούνται από ένα ατομικά λείο και χωρίς ελαττώματα υπόστρωμα για ομοιόμορφη επιταξία.

• Αισθητήρες Ακραίου Περιβάλλοντος

  • Οι αισθητήρες πίεσης/θερμοκρασίας υψηλής θερμοκρασίας, τα στοιχεία παρακολούθησης αεριοστροβίλων και οι ανιχνευτές πυρηνικής ποιότητας εκμεταλλεύονται τη σταθερότητα του SiC πάνω από 600 °C και υπό υψηλή ροή ακτινοβολίας.

• Αεροδιαστημική & Άμυνα

  • Τα ηλεκτρονικά ισχύος δορυφόρων, τα ραντάρ που μεταφέρονται σε πυραύλους και τα αεροηλεκτρονικά συστήματα απαιτούν την ανθεκτικότητα του SiC σε κενό, θερμοκρασιακούς κύκλους και περιβάλλοντα υψηλής G.

• Προηγμένη Έρευνα & Προσαρμοσμένες Λύσεις

  • Υποστρώματα απομόνωσης κβαντικών υπολογιστών, οπτικά μικρο-κοιλότητας και ειδικά σχήματα παραθύρων (σφαιρικά, V-groove, πολυγωνικά) για έρευνα και ανάπτυξη αιχμής.

Συχνές Ερωτήσεις (FAQ) των Ημιαπομονωτικών Δίσκων SiC

1. Γιατί να επιλέξετε ημιαπομονωτικό SiC έναντι αγώγιμου SiC;
   Το ημιαπομονωτικό SiC παρουσιάζει εξαιρετικά υψηλή αντίσταση μέσω αντιστάθμισης βαθιάς στάθμης, μειώνοντας σημαντικά τα ρεύματα διαρροής σε συσκευές υψηλής τάσης και υψηλής συχνότητας, ενώ το αγώγιμο SiC είναι κατάλληλο για εφαρμογές καναλιών MOSFET χαμηλότερης τάσης ή ισχύος.

2. Μπορούν αυτοί οι δίσκοι να πάνε κατευθείαν σε επιταξιακή ανάπτυξη;
   Ναι. Προσφέρουμε ημιαπομονωτικούς δίσκους “έτοιμους για επιταξία” βελτιστοποιημένους για MOCVD, HVPE ή MBE, πλήρεις με επιφανειακή επεξεργασία και έλεγχο ελαττωμάτων για να εξασφαλίσουμε εξαιρετική ποιότητα επιταξιακής στρώσης.

3. Πώς εξασφαλίζεται η καθαριότητα των δίσκων;
   Μια διαδικασία καθαρού δωματίου Class-100, πολυσταδιακός υπερηχητικός και χημικός καθαρισμός, καθώς και συσκευασία σφραγισμένη με άζωτο εξασφαλίζουν σχεδόν μηδενικά σωματίδια, οργανικά υπολείμματα ή μικρο-γρατσουνιές.

4. Ποιος είναι ο τυπικός χρόνος παράδοσης και η ελάχιστη παραγγελία;
   Τα δείγματα (έως 5 τεμάχια) αποστέλλονται εντός 7–10 εργάσιμων ημερών. Οι παραγγελίες παραγωγής (MOQ = 5 δίσκοι) παραδίδονται σε 4–6 εβδομάδες, ανάλογα με το μέγεθος και τα προσαρμοσμένα χαρακτηριστικά.

5. Προσφέρετε προσαρμοσμένα σχήματα ή υποστρώματα;
   Ναι. Εκτός από τους τυπικούς κυκλικούς δίσκους, κατασκευάζουμε επίπεδα παράθυρα, εξαρτήματα V-groove, σφαιρικούς φακούς και άλλες ειδικές γεωμετρίες.

Σχετικά με εμάς

Η ZMSH ειδικεύεται στην ανάπτυξη, παραγωγή και πώληση ειδικού οπτικού γυαλιού και νέων κρυσταλλικών υλικών. Τα προϊόντα μας εξυπηρετούν την οπτική ηλεκτρονική, την καταναλωτική ηλεκτρονική και τον στρατό. Προσφέρουμε οπτικά εξαρτήματα Sapphire, καλύμματα φακών κινητών τηλεφώνων, Κεραμικά, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz και δίσκους κρυστάλλων ημιαγωγών. Με εξειδικευμένη τεχνογνωσία και εξοπλισμό αιχμής, διαπρέπουμε στην επεξεργασία μη τυπικών προϊόντων, με στόχο να είμαστε μια κορυφαία επιχείρηση υψηλής τεχνολογίας οπτοηλεκτρονικών υλικών.