6H Υποστρώματα τετραγωνικά από καρβίδιο του πυριτίου (SiC) για ισχύ και υψηλές συχνότητες

Διάμετρο Wafer 6H-SiC υψηλής απόδοσης για εφαρμογές ισχύος και υψηλής συχνότητας

1Γενική εικόνα του προϊόντος

Η6H Καρβιδίου Σίλικου (SiC) τετραγωνικό υπόστρωμαείναι κατασκευασμένο από υψηλής καθαρότητας6H-SiC μονοκρυσταλλικό υλικόΤο υλικό αυτό χρησιμοποιείται κυρίως για την κατασκευή ηλεκτρονικών συσκευών.Ηλεκτρικές συσκευές για την κατασκευή ηλεκτρικών κυψελών, 6H-SiC προσφέρει εξαιρετικές επιδόσεις κάτω απόυψηλής θερμοκρασίας, υψηλής τάσης, υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύοςσυνθήκες εργασίας.

Με εξαιρετικόθερμική αγωγιμότητα, μηχανική αντοχή, χημική σταθερότητα και ηλεκτρικές ιδιότητεςΤα τετραγωνικά υποστρώματα SiC 6H χρησιμοποιούνται ευρέως στηνσυσκευές ισχύος, συσκευές ραδιοσυχνοτήτων, οπτοηλεκτρονικά, συστήματα λέιζερ και εργαστήρια Ε&ΑΤα υποστρώματα μπορούν να προμηθευτούνται σεΜε περιεκτικότητα σε βενζίνη κατά βάρος που δεν υπερβαίνει το 50%συνθήκες επιφάνειας μεπροσαρμοσμένα μεγέθη και πάχους.

2Πλεονεκτήματα υλικών του 6H-SiC

• Υπερ-υψηλή σκληρότητα (καρύδα Μοχ ≈ 9,2)

• Υψηλή θερμική αγωγιμότητα (~490 W/m·K) για αποτελεσματική διάχυση της θερμότητας

• Ευρύ εύρος ζώνης (3,0 eV), κατάλληλο για ακραία περιβάλλοντα

• Υψηλή ένταση ηλεκτρικού πεδίου διάσπασης

• Εξαιρετική χημική αντοχή και αντοχή στην οξείδωση

• Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων για υψηλής συχνότητας απόδοση

• Σταθερή κρυστάλλινη δομή και μακρά διάρκεια ζωής

3Τυπικές προδιαγραφές (προσαρμόσιμες)

4. Διαδικασία κατασκευής

1. PVT (Physical Vapor Transport) αύξηση μονοκρυστάλλων

2. Προσανατολισμός και τετραγωνική κοπή

3. Στρίψιμο υψηλής ακρίβειας και έλεγχος πάχους

4. Άλλες συσκευές για την επεξεργασία του χάλυβα

5. Υπερήχθης καθαρισμός και συσκευασία καθαρών χώρων

Η διαδικασία αυτή εξασφαλίζειυψηλή επίπεδεια, χαμηλά ελαττώματα επιφάνειας και εξαιρετική ηλεκτρική σταθερότητα.

5Βασικές εφαρμογές

• Συσκευές ημιαγωγών ισχύος (MOSFET, SBD, IGBT)

• Ηλεκτρονικές συσκευές ραδιοκυμάτων και μικροκυμάτων

• Ηλεκτρονικά εξαρτήματα υψηλής θερμοκρασίας

• Διοειδείς λέιζερ και οπτικοί ανιχνευτές

• Έρευνα σε τσιπ και ανάπτυξη πρωτοτύπων

• Πανεπιστημιακά εργαστήρια και ερευνητικά ιδρύματα ημιαγωγών

• Μικροκατασκευή και επεξεργασία MEMS

6. Πλεονεκτήματα του προϊόντος

• Πραγματικό υλικό μονοκρυστάλλων 6H-SiC

• Τετράγωνο σχήμα για εύκολο χειρισμό και κατασκευή συσκευής

• Υψηλή ποιότητα επιφάνειας με χαμηλή πυκνότητα ελαττωμάτων

• Ευρύ φάσμα προσαρμογής για το μέγεθος, το πάχος και την αντίσταση

• Σταθερή απόδοση σε ακραία περιβάλλοντα

• Υποστήριξη της κατασκευής πρωτοτύπων μικρών παρτίδων και της μαζικής παραγωγής

• 100% επιθεώρηση πριν από την παράδοση

8Συχνές ερωτήσεις (FAQ)

Ε1: Ποια είναι η διαφορά μεταξύ 6H-SiC και 4H-SiC;
Απάντηση: Το 4H-SiC χρησιμοποιείται πιο συχνά στις εμπορικές συσκευές ισχύος σήμερα λόγω της υψηλότερης κινητικότητας των ηλεκτρονίων, ενώ το 6H-SiC προτιμάται σε ορισμένες εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων, μικροκυμάτων και ειδικών οπτοηλεκτρονικών.

Ε2: Μπορείτε να προμηθεύσετε ακατέργαστα τετράγωνα υποστρώματα 6H-SiC;
Απ: Ναι, προσφέρουμε γυαλισμένες, λανσαρισμένες και μη γυαλισμένες επιφάνειες με βάση τις απαιτήσεις των πελατών.

Ε3: Υποστηρίζετε τετραγωνικά υποστρώματα μικρού μεγέθους;
Α: Ναι, μπορούν να προσαρμοστούν τετραγωνικά μεγέθη μέχρι 2×2 mm.

ΕΡ4: Διατίθενται οι εκθέσεις επιθεώρησης και δοκιμής;
Α: Ναι, μπορούμε να παρέχουμε αναφορές διαστασιακής επιθεώρησης, δεδομένα δοκιμής αντοχής και αναφορές τραχύτητας επιφάνειας.

Συγγενικά προϊόντα

12 ιντσών SiC Wafer 300mm Silicon Carbide Wafer Conductive Dummy Grade N-Type Ερευνητικό βαθμό

4H/6H P-Type Sic Wafer 4inch 6inch Z Grade P Grade D Grade Off Axis 2.0°-4.0° Προς το P-type Doping