2 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών Βιομηχανική χρήση Σίλικον Καρβιδίου Wafer με επιφανειακή τραχύτητα ≤ 0,2nm

2 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών Βιομηχανική χρήση Σίλικον Καρβιδίου Wafer με επιφανειακή τραχύτητα ≤ 0,2nm

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής: China
Μάρκα: ZMSH
Πιστοποίηση: ROHS
Αριθμό μοντέλου: Silicon Carbide

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min: 5
Χρόνος παράδοσης: 2-4 εβδομάδες
Όροι πληρωμής: 100%T/T
Δυνατότητα προσφοράς: 100000
Καλύτερη τιμή Επικοινωνία

Λεπτομερής ενημέρωση

Η επιφάνεια τελειώνει: Ενιαία/διπλή πλευρά που γυαλίζεται Τραχύτητα επιφάνειας: ≤0.2nm
Αγωγιμότητα: Υψηλή/Χαμηλή αγωγιμότητα Μόριο: Ελεύθερο/χαμηλό μόριο
Βαθμός: Ερευνητικό ομοίωμα παραγωγής ακαθαρσία: Ελεύθερη/χαμηλή ακαθαρσία
ναρκωμένος: Πυρίτιο doped/Un-doped/Zn που ναρκώνεται Τύπος: 4H-N/ 6H-ημι-προσβολή 4H-ημι-προσβολής 6h-ν
Υψηλό φως:

Δύο πλευρές γυαλισμένο υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου

,

Βιομηχανική χρήση Wafer από καρβίδιο του πυριτίου

,

Κάρμπυδο Σιλικόνης 8 ιντσών

Περιγραφή προϊόντων

Περιγραφή προϊόντος:

Η ZMSH έχει γίνει ο κορυφαίος κατασκευαστής και προμηθευτής πλακών υποστρώματος SiC (καρβίδιο πυριτίου).Για πελάτες που αναζητούν εξαιρετική αξία, η ZMSH προσφέρει την καλύτερη τρέχουσα τιμή στην αγορά για γκοφρέτες υποστρώματος SiC 2 ιντσών και 3 ιντσών Research grade.

Οι γκοφρέτες υποστρώματος SiC έχουν μια ποικιλία εφαρμογών στο σχεδιασμό ηλεκτρονικών συσκευών, ειδικά για προϊόντα που περιλαμβάνουν υψηλή ισχύ και υψηλή συχνότητα.

Επιπλέον, η τεχνολογία LED είναι ένας σημαντικός καταναλωτής γκοφρετών υποστρώματος SiC.Το LED σημαίνει Light Emitting Diode, που είναι ένας τύπος ημιαγωγού που συνδυάζει ηλεκτρόνια και οπές για να δημιουργήσει μια ενεργειακά αποδοτική πηγή ψυχρού φωτός.

 

Χαρακτηριστικά:

Το μονοκρύσταλλο καρβιδίου του πυριτίου (SiC) έχει πολλές εξαιρετικές ιδιότητες, όπως εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα, υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων κορεσμού και αντοχή σε διάσπαση υψηλής τάσης.Αυτές οι ιδιότητες το καθιστούν το τέλειο υλικό για την προετοιμασία ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής συχνότητας, υψηλής ισχύος, υψηλής θερμοκρασίας και ανθεκτικότητας στην ακτινοβολία.

Επιπλέον, το μονοκρύσταλλο SiC έχει εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και ισχυρές ιδιότητες διάσπασης τάσης.Αντέχει εύκολα σε υψηλές θερμοκρασίες και επίπεδα ακτινοβολίας χωρίς να αλλοιώνεται, καθιστώντας το την ιδανική επιλογή για ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής τεχνολογίας.

Επιπλέον, η υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων του μονοκρυστάλλου SiC παρέχει μεγαλύτερη απόδοση σε σύγκριση με άλλα υλικά, επιτρέποντάς του να λειτουργεί περισσότερο με λιγότερες διακοπές.Έτσι, είναι το τέλειο υλικό για τη δημιουργία υψηλής απόδοσης, αξιόπιστων ηλεκτρονικών.

 

Τεχνικές παράμετροι:

Όνομα προϊόντος: Υπόστρωμα καρβιδίου πυριτίου, γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου, γκοφρέτα SiC, υπόστρωμα SiC

Μέθοδος ανάπτυξης: MOCVD

Κρυσταλλική δομή: 6Η, 4Η, 6Η(a=3,073 Α c=15,117 Α), 4Η(α=3,076 Α c=10,053 Α)

Ακολουθία στοίβαξης: 6H: ABCACB, 4H: ABCB

Βαθμός: Βαθμός Παραγωγής, Βαθμός Έρευνας, Ομοίωμα Βαθμού

Τύπος αγωγιμότητας: N-τύπου ή Ημιμονωτικό

Διάκενο ζώνης: 3,23 eV

Σκληρότητα: 9,2 (mohs)

Θερμική αγωγιμότητα @300K: 3,2~4,9 W/cm.K

Διηλεκτρικές σταθερές: e(11)=e(22)=9,66 e(33)=10,33

Αντίσταση: 4H-SiC-N: 0,015~0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0,02~0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: >1E7 Ω·cm

Συσκευασία: Class 100 clean bag, class 1000 clean room.

 

Εφαρμογές:

Η γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου (Γκοφρέτα SiC) είναι μια ιδανική επιλογή για ηλεκτρονικά αυτοκίνητα, οπτοηλεκτρονικές συσκευές και βιομηχανικές εφαρμογές.Αυτές οι γκοφρέτες περιλαμβάνουν τόσο υποστρώματα SiC τύπου 4H-N όσο και ημιμονωτικά υποστρώματα SiC, τα οποία είναι και τα δύο βασικά συστατικά διαφόρων συσκευών.

Τα υποστρώματα SiC τύπου 4H-N παρέχουν ανώτερες ιδιότητες, όπως ένα μεγάλο διάκενο ζώνης, το οποίο επιτρέπει την πολύ αποτελεσματική εναλλαγή στα ηλεκτρονικά ισχύος.Επιπλέον, είναι εξαιρετικά ανθεκτικά στη μηχανική φθορά και τη χημική οξείδωση, καθιστώντας τα ιδανικά για συσκευές υψηλής θερμοκρασίας και χαμηλών απωλειών.

Τα ημιμονωτικά υποστρώματα SiC παρέχουν επίσης εξαιρετικές ιδιότητες, όπως υψηλή σταθερότητα και θερμική αντίσταση.Η ικανότητά τους να παραμένουν σταθερά σε συσκευές υψηλής ισχύος τα καθιστά ιδανικά για διάφορες οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές.Επιπλέον, μπορούν επίσης να χρησιμοποιηθούν ως συγκολλημένες γκοφρέτες, οι οποίες είναι σημαντικά συστατικά σε μικροηλεκτρονικές συσκευές υψηλής απόδοσης.

Αυτά τα χαρακτηριστικά της γκοφρέτας SiC τα καθιστούν κατάλληλα για διάφορες εφαρμογές, ειδικά στους τομείς της αυτοκινητοβιομηχανίας, της οπτοηλεκτρονικής και της βιομηχανίας.Οι γκοφρέτες SiC αποτελούν ουσιαστικό μέρος της σημερινής τεχνολογίας και συνεχίζουν να γίνονται όλο και πιο δημοφιλείς σε μια ποικιλία βιομηχανιών.

 

Υποστήριξη και Υπηρεσίες:

Τεχνική Υποστήριξη & Υπηρεσίες Wafer Carbide Silicon

Προσφέρουμε ολοκληρωμένη τεχνική υποστήριξη και υπηρεσίες για γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου.Η ομάδα των ειδικών μας είναι διαθέσιμη για να παρέχει καθοδήγηση σχετικά με την επιλογή προϊόντων, να απαντήσει σε τυχόν τεχνικές ερωτήσεις και να σας βοηθήσει με το σχεδιασμό και την υλοποίηση του έργου σας.

Τεχνική υποστήριξη

Η έμπειρη ομάδα τεχνικής υποστήριξης μας είναι διαθέσιμη για να απαντήσει σε οποιεσδήποτε ερωτήσεις ή ανησυχίες μπορεί να έχετε σχετικά με τη γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου.Παρέχουμε σε βάθος πληροφορίες για το προϊόν, υποστήριξη εφαρμογών και βοήθεια για την αντιμετώπιση προβλημάτων.

Επιλογή προϊόντος

Μπορούμε να σας βοηθήσουμε να επιλέξετε το καλύτερο προϊόν Wafer καρβιδίου πυριτίου για την εφαρμογή σας.Η ομάδα των ειδικών μας μπορεί να παρέχει συστάσεις, δείγματα και υποστήριξη για να διασφαλίσει ότι θα κάνετε την τέλεια επιλογή.

Σχεδιασμός & Υλοποίηση

Η ομάδα έμπειρων μηχανικών μας μπορεί να σας βοηθήσει να σχεδιάσετε και να εφαρμόσετε την τέλεια λύση Wafer καρβιδίου πυριτίου.Μπορούμε να παρέχουμε λεπτομερή σχέδια, προσομοιώσεις και υποστήριξη για να διασφαλίσουμε ότι το έργο σας είναι επιτυχές.

2 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών Βιομηχανική χρήση Σίλικον Καρβιδίου Wafer με επιφανειακή τραχύτητα ≤ 0,2nm 02 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών Βιομηχανική χρήση Σίλικον Καρβιδίου Wafer με επιφανειακή τραχύτητα ≤ 0,2nm 12 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών Βιομηχανική χρήση Σίλικον Καρβιδίου Wafer με επιφανειακή τραχύτητα ≤ 0,2nm 22 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών Βιομηχανική χρήση Σίλικον Καρβιδίου Wafer με επιφανειακή τραχύτητα ≤ 0,2nm 3

Συσκευασία και αποστολή:

Συσκευασία και αποστολή για γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου

Οι γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου είναι εύθραυστες και απαιτούν ειδικό χειρισμό και προστασία κατά την αποστολή.Θα πρέπει να ακολουθούνται οι ακόλουθες διαδικασίες για να διασφαλιστεί η ασφαλής παράδοση στον πελάτη.

  • Οι γκοφρέτες πρέπει να τοποθετούνται σε συσκευασίες με αντιστατικό αφρό.
  • Οι γκοφρέτες πρέπει να σφραγίζονται σε σακούλα φραγμού υγρασίας για να προστατεύονται από περιβαλλοντικούς ρύπους.
  • Η συσκευασία πρέπει να σφραγίζεται σε κουτί με προστατευτικό υλικό για προστασία από κραδασμούς και κραδασμούς.
  • Το κουτί θα πρέπει να φέρει ετικέτα με τις ακόλουθες πληροφορίες: τη διεύθυνση του πελάτη, το περιεχόμενο της συσκευασίας και το βάρος της συσκευασίας.
  • Η συσκευασία θα πρέπει να αποσταλεί με κατάλληλο μεταφορέα και να είναι ασφαλισμένη για την πλήρη αξία του περιεχομένου.
 

FAQ:

Ε1: Τι είναι η γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου;
A1: Η γκοφρέτα καρβιδίου πυριτίου είναι μια γκοφρέτα κατασκευασμένη από υλικό καρβιδίου του πυριτίου, το οποίο είναι ένα ημιαγώγιμο υλικό με μεγάλο διάκενο ζώνης και υψηλή θερμική αγωγιμότητα.Είναι κατάλληλο για ηλεκτρονικά ισχύος και άλλες εφαρμογές υψηλής θερμοκρασίας.

Ε2: Ποια είναι η επωνυμία αυτού του προϊόντος;
A2: Η επωνυμία αυτού του προϊόντος είναι ZMSH.

Ε3: Ποιος είναι ο αριθμός μοντέλου αυτού του προϊόντος;
A3: Ο αριθμός μοντέλου αυτού του προϊόντος είναι Καρβίδιο του πυριτίου.

Q4: Ποια είναι η ελάχιστη ποσότητα παραγγελίας;
A4: Η ελάχιστη ποσότητα παραγγελίας είναι 5.

Q5: Πόσο καιρό είναι ο χρόνος παράδοσης;
A5: Ο χρόνος παράδοσης είναι 2 εβδομάδες.

Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν
Ik ben geïnteresseerd 2 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών Βιομηχανική χρήση Σίλικον Καρβιδίου Wafer με επιφανειακή τραχύτητα ≤ 0,2nm θα μπορούσατε να μου στείλετε περισσότερες λεπτομέρειες όπως τύπος, μέγεθος, ποσότητα, υλικό κ.λπ.
Ευχαριστώ!
Wachten op je antwoord.