3 πλαστό πρωταρχικό υπόστρωμα ημιαγωγών κρυστάλλου InP ίντσας

οι γκοφρέτες υποστρωμάτων ημιαγωγών InP ΤΎΠΩΝ γκοφρετών 3inch 4inch N/P 2inch InP νάρκωσαν S+/Zn+ το /Fe +

η αύξηση (τροποποιημένη μέθοδος VFG) χρησιμοποιείται για να τραβήξει ένα ενιαίο κρύσταλλο μέσω μιας βορικής υγρής encapsulant έναρξης οξειδίων από έναν σπόρο.

Το υλικό πρόσμιξης (Φε, S, Sn ή ZN) προστίθεται στη χοάνη μαζί με το polycrystal. Η υψηλή πίεση εφαρμόζεται μέσα στην αίθουσα για να αποτρέψει αποσύνθεση της επιχείρησης ίνδιου Phosphide.he έχει αναπτύξει μια διαδικασία για να παραγάγει την πλήρως στοιχειομετρική, υψηλή αγνότητα και το χαμηλό κρύσταλλο πυκνότητας εξάρθρωσης ενιαίο inP.

Η τεχνική VFG βελτιώνεται επάνω στη μέθοδο LEC χάρι σε μια θερμική τεχνολογία διαφραγμάτων σχετικά με έναν αριθμητικό

διαμόρφωση των θερμικών όρων αύξησης. tCZ είναι μια οικονομικώς αποδοτική ώριμη τεχνολογία με υψηλό - ποιοτική δυνατότητα αναπαραγωγής από το boule στο boule.

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα:
1. Το κρύσταλλο αυξάνεται από την υγρός-σφραγισμένη τεχνολογία ευθύς-σχεδιασμού (LEC), με την ώριμη τεχνολογία και τη σταθερή ηλεκτρική απόδοση.

2, χρησιμοποιώντας το κατευθυντικό όργανο ακτίνας X για τον ακριβή προσανατολισμό, η απόκλιση προσανατολισμού κρυστάλλου είναι μόνο ±0.5°

3, η γκοφρέτα γυαλίζονται από τη χημική μηχανική τεχνολογία στίλβωσης (CMP), τραχύτητα επιφάνειας <0>

4, για να επιτύχουν το «ανοικτό κιβώτιο έτοιμο να χρησιμοποιήσει» τις απαιτήσεις

5, σύμφωνα με τις απαιτήσεις χρηστών, ειδική επεξεργασία προϊόντων προδιαγραφών

Εφαρμογές:
Το IIt έχει τα πλεονεκτήματα της υψηλής ηλεκτρονικής ταχύτητας κλίσης ορίου, της καλής αντίστασης ακτινοβολίας και της καλής διεξαγωγής θερμότητας. Κατάλληλος για την κατασκευή υψηλής συχνότητας, τη μεγάλη ταχύτητα, τις υψηλής ισχύος συσκευές μικροκυμάτων και τα ολοκληρωμένα κυκλώματα.

ναρκωμένες InP s-γ-N/S ΓΚΟΦΡΈΤΕΣ 2inch

ναρκωμένες InP s-γ-N/Fe+ ΓΚΟΦΡΈΤΕΣ 2inch