Name: GaAs τύπων VGF 2 ίντσα 4Inch Ν/Π υπόστρωμα ημιαγωγών γκοφρετών για την κρυσταλλική αύξηση
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: GaAs υπόστρωμα
Price: 150.00 USD
Availability: InStock

Ονομασία μάρκας:	ZMSH
Αριθμός μοντέλου:	GaAs υπόστρωμα
MOQ:	3PCS
τιμή:	BY case
Πληροφορίες συσκευασίας:	ενιαίο εμπορευματοκιβώτιο γκοφρετών κάτω από το καθαρίζοντας δωμάτιο
Όροι πληρωμής:	T/T, Western Union

Πληροφορίες λεπτομέρειας

Περιγραφή προϊόντων

Πληροφορίες λεπτομέρειας

Τόπος καταγωγής:

ΣΟ

Πιστοποίηση:

ROHS

Υλικό:

GaAs γκοφρέτα υποστρωμάτων

Μέγεθος:

2inch 3inch 4inch 6inch

Μέθοδος αύξησης:

VGF

EPD:

<500>

Dopant:

Si-ναρκωμένου ZN-ναρκωμένου undoped

TTV DDP:

5um

SSP TTV:

10um

προσανατολισμός:

100+/0.1 βαθμός

Επισημαίνω:

Κρυσταλλικό υπόστρωμα ημιαγωγών αύξησης

GaAs τύπων Π γκοφρέτα

GaAs υπόστρωμα ημιαγωγών γκοφρετών

Περιγραφή προϊόντων

GaAs τύπων τύπων Π ίντσας 4Inch Ν VGF 2 υπόστρωμα ημιαγωγών γκοφρετών για την κρυσταλλική αύξηση

GaAs βαθμού ν-τύπων VGF 2inch 4inch 6inch πρωταρχική γκοφρέτα για την κρυσταλλική αύξηση

Το αρσενίδιο γαλλίου μπορεί να γίνει στα ημιμονωτικά υλικά υψηλός-αντίστασης με την ειδική αντίσταση περισσότερα από 3 μεγέθη υψηλότερα από το πυρίτιο και το γερμάνιο, τα οποία χρησιμοποιούνται για να κάνουν τα υποστρώματα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, τους υπέρυθρους ανιχνευτές, τους ανιχνευτές φωτονίων γάμμα, κ.λπ. Επειδή η κινητικότητα ηλεκτρονίων της είναι 5 έως 6 φορές μεγαλύτερο από αυτό του πυριτίου, έχει τις σημαντικές εφαρμογές κατασκευή των συσκευών μικροκυμάτων και των μεγάλων ψηφιακών κυκλωμάτων. Το αρσενίδιο γαλλίου φιαγμένο από αρσενίδιο γαλλίου μπορεί να γίνει στα ημιμονωτικά υλικά υψηλός-αντίστασης με την ειδική αντίσταση περισσότερων από 3 μεγεθών υψηλότερων από το πυρίτιο και το γερμάνιο, τα οποία χρησιμοποιούνται για να κάνουν τα υποστρώματα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων και τους υπέρυθρους ανιχνευτές.

1. Εφαρμογή του αρσενίδιου γαλλίου στην οπτικοηλεκτρονική

2. Εφαρμογή του αρσενίδιου γαλλίου στη μικροηλεκτρονική

3. Εφαρμογή του αρσενίδιου γαλλίου στην επικοινωνία

4. Εφαρμογή του αρσενίδιου γαλλίου στο μικρόκυμα

5. Εφαρμογή του αρσενίδιου γαλλίου στα ηλιακά κύτταρα

GaAs προδιαγραφή γκοφρετών

Τύπος/υλικό πρόσμιξης	Ημι-μονωμένος	Π-Type/Zn	Ν-Type/Si	Ν-Type/Si
Εφαρμογή	Μικροϋπολογιστής Eletronic	Οδηγήσεις		Δίοδος λέιζερ
Μέθοδος αύξησης	VGF
Διάμετρος	2», 3», 4», 6»
Προσανατολισμός	(100) ±0.5°
Πάχος (µm)	350-625um±25um
OF/IF	ΗΠΑ EJ ή εγκοπή
Συγκέντρωση μεταφορέων	-	(0.5-5) *1019	(0.4-4) *1018	(0.4-0.25) *1018
Ειδική αντίσταση (ωμ-εκατ.)	>107	(1.2-9.9) *10-3	(1.2-9.9) *10-3	(1.2-9.9) *10-3
Κινητικότητα (cm2/V.S.)	>4000	50-120	>1000	>1500
Χαράξτε την πυκνότητα πισσών (/cm2)	<5000>	<5000>	<5000>	<500>
TTV [P/P] (µm)	<5>
TTV [P/E] (µm)	<10>
Στρέβλωση (µm)	<10>
Επιφάνεια που τελειώνουν	P/P, P/E, E/E

Σημείωση: Άλλες προδιαγραφές μπορούν να είναι διαθέσιμες κατόπιν αιτήματος

Το αρσενίδιο γαλλίου είναι το σημαντικότερο και ευρέως χρησιμοποιημένο υλικό ημιαγωγών στους σύνθετους ημιαγωγούς, και είναι επίσης το ωριμότερο και μεγαλύτερο σύνθετο υλικό ημιαγωγών στην παραγωγή αυτή τη στιγμή.

Οι συσκευές αρσενίδιων γαλλίου που έχουν χρησιμοποιηθεί είναι:

Δίοδος μικροκυμάτων, δίοδος του Gunn, varactor δίοδος, κ.λπ.
Κρυσταλλολυχνίες μικροκυμάτων: κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων (FET), υψηλή κρυσταλλολυχνία κινητικότητας ηλεκτρονίων (HEMT), διπολική κρυσταλλολυχνία ετεροεπαφής (HBT), κ.λπ.
Ολοκληρωμένο κύκλωμα: μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα μικροκυμάτων (MMIC), υπερβολικα υψηλός ολοκληρωμένο κύκλωμα ταχύτητας (VHSIC), κ.λπ.
Τμήματα αιθουσών, κ.λπ.

Υπέρυθρη εκπέμπουσα φως δίοδος (οδηγήσεις IR) Ορατή εκπέμπουσα φως δίοδος (οδηγήσεων, που χρησιμοποιούνται ως υπόστρωμα)
Δίοδος λέιζερ (LD)
Ελαφρύς ανιχνευτής
Υψηλής απόδοσης ηλιακό κύτταρο

GaAs τύπων VGF 2 ίντσα 4Inch Ν/Π υπόστρωμα ημιαγωγών γκοφρετών για την κρυσταλλική αύξηση 0

Ετικέτες:

υπόστρωμα σαπφείρου

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου

Σωλήνας σαπφείρου

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Υπόστρωμα ημιαγωγών

Ο συνθετικός Stone πολύτιμων λίθων

Τμήματα κεραμικής

επιστημονικός εξοπλισμός εργαστηρίων

Περίπτωση ρολογιών κρυστάλλου σαπφείρου

Κιβώτιο μεταφορέων γκοφρετών

Υπεραγωγικό λεπτό Monocrystalline υπόστρωμα

υπόστρωμα σαπφείρου

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου

Σωλήνας σαπφείρου

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Υπόστρωμα ημιαγωγών

Ο συνθετικός Stone πολύτιμων λίθων

Τμήματα κεραμικής

επιστημονικός εξοπλισμός εργαστηρίων

Περίπτωση ρολογιών κρυστάλλου σαπφείρου

Κιβώτιο μεταφορέων γκοφρετών

Υπεραγωγικό λεπτό Monocrystalline υπόστρωμα

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

GaAs τύπων VGF 2 ίντσα 4Inch Ν/Π υπόστρωμα ημιαγωγών γκοφρετών για την κρυσταλλική αύξηση

υπόστρωμα σαπφείρου

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου

Σωλήνας σαπφείρου

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Υπόστρωμα ημιαγωγών

Ο συνθετικός Stone πολύτιμων λίθων

Τμήματα κεραμικής

επιστημονικός εξοπλισμός εργαστηρίων

Περίπτωση ρολογιών κρυστάλλου σαπφείρου

Κιβώτιο μεταφορέων γκοφρετών

Υπεραγωγικό λεπτό Monocrystalline υπόστρωμα

υπόστρωμα σαπφείρου

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου

Σωλήνας σαπφείρου

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Υπόστρωμα ημιαγωγών

Ο συνθετικός Stone πολύτιμων λίθων

Τμήματα κεραμικής

επιστημονικός εξοπλισμός εργαστηρίων

Περίπτωση ρολογιών κρυστάλλου σαπφείρου

Κιβώτιο μεταφορέων γκοφρετών

Υπεραγωγικό λεπτό Monocrystalline υπόστρωμα

GaAs τύπων VGF 2 ίντσα 4Inch Ν/Π υπόστρωμα ημιαγωγών γκοφρετών για την κρυσταλλική αύξηση

Κρυσταλλικό υπόστρωμα ημιαγωγών αύξησης

GaAs τύπων Π γκοφρέτα

GaAs υπόστρωμα ημιαγωγών γκοφρετών

GaAs βαθμού ν-τύπων VGF 2inch 4inch 6inch πρωταρχική γκοφρέτα για την κρυσταλλική αύξηση

GaAs προδιαγραφή γκοφρετών

Οι συσκευές αρσενίδιων γαλλίου που έχουν χρησιμοποιηθεί είναι: