• SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111
  • SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111
  • SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111
  • SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111
  • SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111
SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111

SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής: Κίνα
Μάρκα: ZMSH
Αριθμό μοντέλου: ΣΥΡΙΖΑ

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Χρόνος παράδοσης: 2-4 εβδομάδες
Όροι πληρωμής: Τ/Τ, Τ/Τ
Καλύτερη τιμή Επικοινωνία

Λεπτομερής ενημέρωση

Διάμετρος: 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες Dopant: 100 111
Τύπος: SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut Πάχος (um): 0.2-150
Η ομοιομορφία: <5> Τμήμα BOX: Μονάδα πάχους (μm) 0,4-3
Ομοιομορφία: <2> Αντίσταση: 0.001-20000 ωμ-εκατ.
Επισημαίνω:

100 111 SOI Wafer

,

ΠΟΥΣΙΚΗ ΚΑΤΑΣΙΑ ΕΠΙΣΤΡΟΠΗΣ SOI Wafer

,

0.4-3 SOI Wafer

Περιγραφή προϊόντων

SOI Wafer Silicon On Isolator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111

Σύνοψη SOI wafer

SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111 0

Τα πλακάκια SOI (Silicon-On-Insulator) είναι ένας τύπος τεχνολογίας υλικών ημιαγωγών που χρησιμοποιείται κυρίως στη βιομηχανία μικροηλεκτρονικών.Αυτά τα πλακάκια κατασκευάζονται με την εισαγωγή ενός λεπτού στρώματος μονωτικού υλικούΑυτή η διαμόρφωση παρέχει αρκετά πλεονεκτήματα έναντι των συμβατικών πλακών πυριτίου χύδην.

 

Φωτογραφία του SOI wafer

SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111 1SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111 2

SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111 3SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111 4

Ιδιότητες των κυψελών SOI

Τα πλακάκια SOI (Silicon-On-Insulator) παρουσιάζουν ένα σύνολο διακριτών ιδιοτήτων που τα καθιστούν ιδιαίτερα πολύτιμα σε διάφορες εφαρμογές μικροηλεκτρονικών συσκευών υψηλών επιδόσεων και εξειδικευμένων εφαρμογών.Εδώ είναι μερικές από τις βασικές ιδιότητες των κυψελών SOI:

  1. Ηλεκτρική μόνωση: Το στρώμα οξειδίου (BOX) που είναι θαμμένο σε πλακίδια SOI παρέχει εξαιρετική ηλεκτρική μόνωση μεταξύ του ανώτερου στρώματος πυριτίου στο οποίο είναι κατασκευασμένες οι συσκευές και του υποκείμενου υποστρώματος.Αυτή η απομόνωση βοηθά στη μείωση της παρασιτικής χωρητικότητας, βελτιώνοντας έτσι τις επιδόσεις των κυκλωμάτων υψηλών ταχυτήτων.

  2. Μειωμένη κατανάλωση ενέργειας: Λόγω της μειωμένης παρασιτικής χωρητικότητας και των ρευστών διαρροών, οι συσκευές που κατασκευάζονται σε πλακίδια SOI καταναλώνουν λιγότερη ενέργεια σε σύγκριση με εκείνες που κατασκευάζονται σε χύδην πυρίτιο.Αυτή η ιδιότητα είναι ιδιαίτερα ωφέλιμη για φορητές συσκευές και συσκευές που λειτουργούν με μπαταρία.

  3. Υψηλή απόδοση: Το λεπτό ανώτερο στρώμα πυριτίου μπορεί να εξαντληθεί πλήρως, γεγονός που οδηγεί σε καλύτερο έλεγχο του καναλιού και στη μείωση των επιπτώσεων βραχείων καναλιών στα τρανζίστορ.Αυτό έχει ως αποτέλεσμα τα τρανζίστορ που μπορούν να λειτουργούν σε χαμηλότερες κατώτατες τάσεις με υψηλότερα ρεύματα κίνησης, που επιτρέπει ταχύτερες ταχύτητες εναλλαγής και υψηλότερες επιδόσεις.

  4. Θερμική μόνωση: Το μονωτικό στρώμα παρέχει επίσης ένα βαθμό θερμικής μόνωσης μεταξύ του ενεργού στρώματος και του υποστρώματος.Αυτό μπορεί να είναι επωφελές σε εφαρμογές όπου η θερμότητα που παράγεται από τη συσκευή πρέπει να περιορίζεται στο ανώτερο στρώμα, βοηθώντας στην αποτελεσματικότερη διαχείριση των θερμικών επιπτώσεων.

  5. Ανοσοποιητική άμυνα: Η τεχνολογία SOI παρέχει εγγενή ανοσία στο latch-up, που είναι ένας τύπος βραχυκυκλώματος που μπορεί να συμβεί σε συσκευές πυριτίου χύδην.Αυτό οφείλεται στην απουσία p-n σύνδεσης μεταξύ των περιοχών n-τύπου και p-τύπου που εκτείνονται στο υπόστρωμα, η οποία είναι μια τυπική αιτία κλειδώματος σε συσκευές χύδην.

  6. Σκληρότητα από ακτινοβολία: Η δομική διαμόρφωση των πλακών SOI καθιστά τις συσκευές που κατασκευάζονται πάνω τους πιο ανθεκτικές στις ακτινοβολίες, όπως η συνολική ιονίζουσα δόση (TID) και οι στρεβλώσεις μεμονωμένου γεγονότος (SEU).Αυτή η ιδιότητα είναι κρίσιμη για εφαρμογές στο διάστημα και άλλα περιβάλλοντα που εκτίθενται σε υψηλά επίπεδα ακτινοβολίας.

  7. Δυνατότητα κλιμακώσεωςΗ τεχνολογία SOI είναι εξαιρετικά κλιμακώσιμη, επιτρέποντας την κατασκευή συσκευών με πολύ μικρά μεγέθη χαρακτηριστικών.

  8. Συμφωνία με τις συνήθεις διαδικασίες κατασκευής: Παρόλο που προσφέρουν μοναδικά πλεονεκτήματα, οι πλάκες SOI μπορούν να μεταποιηθούν χρησιμοποιώντας πολλές από τις ίδιες τεχνικές παραγωγής με την παραδοσιακή σάπια πυρίτιο,που διευκολύνει την ενσωμάτωση σε υφιστάμενες γραμμές παραγωγής.

- Δεν ξέρω.

Διάμετρος 4 5 ¢ 6 ̇ 8 ¢

 

 

 

Τοπίο συσκευής

Δοπτικό Βόριο, φωσφορικό, αρσενικό, αντιμόνιο, μη ντοπιζόμενο
Προσανατολισμός Επικαιροποίηση
Τύπος SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut
Αντίσταση 0.001-20000 Ωμ-cm
Δάχος (μm) 0.2-150
Η Ομοιομορφία < 5%

 

Τμήμα BOX

Δάχος (μm) 0.4-3
Ομοιομορφία < 2,5%

 

 

Υπόστρωμα

Προσανατολισμός Επικαιροποίηση
Τύπος/Δοπάντης Τύπος P/Βόριο, Τύπος N/Φωσ, Τύπος N/As, Τύπος N/Sb
Δάχος (μm) 300-725
Αντίσταση 0.001-20000 Ωμ-cm
Τελειωμένη επιφάνεια Α/Π, Α/Ε
Σωματίδια < 10@.0.3um

Τα πλακάκια SOI (Silicon-On-Insulator) είναι ένας τύπος τεχνολογίας υλικών ημιαγωγών που χρησιμοποιείται κυρίως στη βιομηχανία μικροηλεκτρονικών.Αυτά τα πλακάκια κατασκευάζονται με την εισαγωγή ενός λεπτού στρώματος μονωτικού υλικούΑυτή η διαμόρφωση παρέχει αρκετά πλεονεκτήματα έναντι των συμβατικών πλακών πυριτίου χύδην.

Εφαρμογές κυψελών SOI

Τα πλακάκια SOI (Silicon-On-Insulator) χρησιμοποιούνται σε διάφορες εφαρμογές υψηλής τεχνολογίας λόγω των μοναδικών ιδιοτήτων τους, όπως μειωμένη παρασιτική χωρητικότητα, βελτιωμένη απόδοση σε υψηλές συχνότητες,χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειαςΠαρακάτω παρατίθενται μερικές από τις σημαντικότερες εφαρμογές των πλακών SOI:

  1. Μικροεπεξεργαστές υψηλών επιδόσεωνΗ τεχνολογία SOI χρησιμοποιείται ευρέως στην παραγωγή μικροεπεξεργαστών για υπολογιστές και διακομιστές.που είναι κρίσιμο για εφαρμογές υπολογιστών υψηλής απόδοσης.

  2. Σύνδεσμοι ραδιοσυχνοτήτων (RF): Τα πλακάκια SOI είναι ιδιαίτερα ευνοϊκά για εφαρμογές ραδιοσυχνοτήτων λόγω των εξαιρετικών ιδιότητών τους απομόνωσης, οι οποίες μειώνουν την διασταυρούμενη ομιλία και βελτιώνουν τις επιδόσεις στην εναλλαγή ραδιοσυχνοτήτων και την επεξεργασία σήματος.Αυτό τα κάνει ιδανικά για χρήση σε κινητά τηλέφωνα., ασύρματα δίκτυα και άλλες συσκευές επικοινωνίας.

  3. Ηλεκτρονικά οχήματα: Η βελτιωμένη αντοχή και λειτουργική σταθερότητα των συσκευών που βασίζονται σε SOI υπό υψηλές θερμοκρασίες και συνθήκες ακτινοβολίας τα καθιστούν κατάλληλα για εφαρμογές στον τομέα της αυτοκινητοβιομηχανίας,συμπεριλαμβανομένων των μονάδων ελέγχου κινητήρα, αισθητήρες αυτοκινήτων και συστήματα διαχείρισης ενέργειας.

  4. Συσκευές ισχύοςΗ τεχνολογία SOI είναι ευεργετική στις συσκευές ισχύος που χρησιμοποιούνται για τη μετατροπή τάσης και τη διαχείριση ισχύος σε διάφορα ηλεκτρονικά προϊόντα.Οι συσκευές αυτές επωφελούνται από την ικανότητα της SOI να χειρίζεται υψηλές τάσεις και πυκνότητες ισχύος με καλύτερη απόδοση και μειωμένη παραγωγή θερμότητας.

  5. MEMS (μικροηλεκτρομηχανικά συστήματα): Τα πλακάκια SOI παρέχουν μια ισχυρή πλατφόρμα για την ανάπτυξη συσκευών MEMS, όπως επιταχυνόμετρα και γυροσκόπια, τα οποία χρησιμοποιούνται σε αερόσακους αυτοκινήτων, έξυπνα τηλέφωνα και άλλα καταναλωτικά ηλεκτρονικά.Το στρώμα οξειδίου που είναι θαμμένο σε πλακίδια SOI προσφέρει εξαιρετική μηχανική και ηλεκτρική μόνωση, η οποία είναι κρίσιμη για τις συσκευές MEMS.

  6. Φωτονική και Οπτοηλεκτρονική: Οι ιδιότητες των κυκλωμάτων SOI διευκολύνουν την ενσωμάτωση οπτικών συστατικών, όπως κυματοδείκτες, διαμορφωτές και ανιχνευτές, σε ηλεκτρονικά κυκλώματα.Η ενσωμάτωση αυτή είναι ζωτικής σημασίας για την ανάπτυξη προηγμένων οπτοηλεκτρονικών συστημάτων που χρησιμοποιούνται στη μετάδοση δεδομένων, τηλεπικοινωνιών και εφαρμογών αισθητήρων.

  7. Κβαντικά Υπολογιστικά: Οι πλακέτες SOI διερευνούνται επίσης ως υποστρώματα για την ανάπτυξη κβαντικών bits (qubits) για κβαντικές υπολογιστικές,λόγω της ικανότητάς τους να λειτουργούν σε κρυογενείς θερμοκρασίες και της συμβατότητάς τους με τις υφιστάμενες διεργασίες ημιαγωγών.

  8. Διαστημικές και στρατιωτικές εφαρμογές: Οι συσκευές που κατασκευάζονται με πλακίδια SOI είναι πιο ανθεκτικές στις επιδράσεις της ακτινοβολίας, καθιστώντας τις κατάλληλες για εφαρμογές στο διάστημα και στον στρατιωτικό εξοπλισμό, όπου η έκθεση σε ακτινοβολία αποτελεί ανησυχία.

Η τεχνολογία SOI συνεχίζει να εξελίσσεται, αντιμετωπίζοντας ολοένα και πιο περίπλοκες προκλήσεις σε αυτές τις εφαρμογές, οδηγώντας στην πρόοδο του ηλεκτρονικού τομέα και διευκολύνοντας νέες καινοτομίες σε πολλούς τομείς.

Ερωτήσεις και απαντήσεις

Τι είναι το SOI σιλικόνιο;

 

Η πλάκα πυριτίου SOI (Silicon-On-Insulator) είναι ένας τύπος υλικού ημιαγωγών που χρησιμοποιείται κυρίως στη βιομηχανία μικροηλεκτρονικών.Αποτελείται από ένα λεπτό στρώμα πυριτίου το οποίο διαχωρίζεται από ένα παχύτερο υπόστρωμα πυριτίου από ένα στρώμα μονωτικού υλικούΗ δομή αυτή επιτυγχάνεται μέσω εξειδικευμένων διαδικασιών κατασκευής, όπως ο διαχωρισμός με εμφύτευση οξυγόνου (SIMOX) ή η τεχνική Smart Cut.

Το κύριο πλεονέκτημα των πλακών πυριτίου SOI έναντι των παραδοσιακών πλακών πυριτίου χύδην είναι η παρουσία του μονωτικού στρώματος, το οποίο μειώνει σημαντικά την παρασιτική χωρητικότητα,βελτιώνει τις επιδόσεις με ελαχιστοποίηση της ηλεκτρικής διαρροήςΑυτό οδηγεί σε βελτιώσεις στην ταχύτητα, την αποδοτικότητα ενέργειας και τη συνολική απόδοση των ηλεκτρονικών συσκευών.Οι πλάκες SOI χρησιμοποιούνται ευρέως σε διάφορες εφαρμογές, συμπεριλαμβανομένων μικροεπεξεργαστών υψηλών επιδόσεων, κυκλωμάτων ραδιοσυχνοτήτων (RF), ηλεκτρονικής ισχύος και MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems), μεταξύ άλλων.Οι ιδιότητές τους τις καθιστούν ιδιαίτερα κατάλληλες για περιβάλλοντα όπου οι υψηλές ταχύτητες, η χαμηλή κατανάλωση ενέργειας και η αντοχή σε σκληρές συνθήκες είναι απαραίτητες.

Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν
Ik ben geïnteresseerd SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111 θα μπορούσατε να μου στείλετε περισσότερες λεπτομέρειες όπως τύπος, μέγεθος, ποσότητα, υλικό κ.λπ.
Ευχαριστώ!
Wachten op je antwoord.