 |
InP wafer 2inch 3inch 4inch VGF P τύπου N τύπου Depant Zn S Fe Undoped Prime Grade Testing Grade
Λεπτομέρειες:
| Place of Origin: | China |
| Μάρκα: | ZMSH |
| Model Number: | InP wafer |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
| Χρόνος παράδοσης: | 2-4weeks |
|---|---|
| Όροι πληρωμής: | Τ/Τ |
|
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
| Υποκλίνεσαι.: | <10 μμ, <15 μμ | TTV: | <10 μμ, <15 μμ |
|---|---|---|---|
| Χωρισμένα: | SSP ή dsp | προσανατολισμός: | <100>, <111> |
| Ακρίβεια επαναπροσανατολισμού: | ±0.5° | Αρχικό επίπεδο μήκος: | 16±2 mm, 22±2 mm, 32,5±2 mm |
| Σκανδαλώδες επίπεδο μήκος: | 8±1 mm, 11±1 mm, 18±1 mm | Δύση.: | < 15 μm |
| Μέγεθος: | 2 ίντσες 3 ίντσες 4 ίντσες (προσαρμοσμένα μεγέθη είναι διαθέσιμα) | Δάχος: | 00,35 mm, 0,6 mm |
| Επισημαίνω: | 2 ιντσών InP wafer,3 ιντσών InP wafer,4 ιντσών InP wafer |
||
Περιγραφή προϊόντων
InP wafer 2inch 3inch 4inch VGF P τύπου N τύπου Depant Zn S Fe Undoped Prime Grade Testing Grade
Περιγραφή του InP Wafer:
Τα πλακάκια φωσφοριδίου ινδίου (InP wafers) παρασκευάζονται από φωσφορίδιο ινδίου το οποίο είναι διπλός ημιαγωγός.InP waferΗ υψηλή ταχύτητα των ηλεκτρονίων το καθιστά την πιο χρήσιμη ένωση για οπτοηλεκτρονικές εφαρμογές.ταχεία τρανζίστορεςΗ πιο συνηθισμένη χρήσηΠλακέτες InPείναι σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος.InP waferΧρησιμοποιείται επίσης ευρέως στην υψηλής ταχύτητας επικοινωνία με οπτικές ίνες, επειδή το φωσφορικό ίνδιο εκπέμπει και ανιχνεύει μήκη κύματος άνω των 1000nm.InP waferΗ τεχνολογία αυτή χρησιμοποιείται επίσης ως υπόστρωμα για λέιζερ και φωτοδιόδους σε εφαρμογές Datacom και Telecom.InP waferΗ αγορά θα αγγίξει την κορυφή.Πλακέτες InPθα είναι τα πιο επιθυμητά πλακίδια για χρήση σε συνδέσεις οπτικών ινών, δίκτυα πρόσβασης μετρό, δίκτυα εταιρειών, κέντρα δεδομένων, κλπ. Προσφέρουμε μια 99,99% καθαρήInP waferΑυτό θα είναι το πιο αποτελεσματικό και αποτελεσματικό.
Ο χαρακτήρας του InP Wafer:
1. Bandgap: Το InP έχει ένα στενό bandgap περίπου 1,35 eV σε θερμοκρασία δωματίου, καθιστώντας το κατάλληλο για εφαρμογές σε οπτοηλεκτρονικά όπως φωτοανιχνευτές, λέιζερ και ηλιακά κύτταρα.
2Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων: Το InP έχει υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων σε σύγκριση με άλλα υλικά ημιαγωγών,η οποία είναι ευεργετική για ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής ταχύτητας όπως τρανζίστορες υψηλής συχνότητας και ολοκληρωμένα κυκλώματα.
3Υψηλή θερμική αγωγιμότητα: Το InP έχει σχετικά υψηλή θερμική αγωγιμότητα, επιτρέποντας την αποτελεσματική διάχυση θερμότητας σε ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής ισχύος.
4Οπτικές ιδιότητες: Τα πλακάκια InP έχουν εξαιρετικές οπτικές ιδιότητες, συμπεριλαμβανομένης της υψηλής διαφάνειας στην περιοχή του υπέρυθρου, καθιστώντας τα ιδανικά για οπτική επικοινωνία και εφαρμογές αισθητήρων.
5Ιδιότητες χαμηλού θορύβου: Το InP παρουσιάζει χαρακτηριστικά χαμηλού θορύβου, καθιστώντας το κατάλληλο για ενισχυτές και δέκτες χαμηλού θορύβου σε συστήματα επικοινωνίας.
6Χημική σταθερότητα: Το InP είναι χημικά σταθερό, γεγονός που συμβάλλει στην αξιοπιστία του σε διάφορα περιβάλλοντα.
7Το InP συνδυάζεται με το αρκενικό αρκενικό (InGaAs), επιτρέποντας την ανάπτυξη υψηλής ποιότητας ετεροδομών για οπτοηλεκτρονικές συσκευές.
8Υψηλή τάση διάσπασης: Τα πλακάκια InP έχουν υψηλή τάση διάσπασης, καθιστώντας τα κατάλληλα για εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.
9. Αύξητη ταχύτητα κορεσμού ηλεκτρονίων: Το InP παρουσιάζει υψηλή ταχύτητα κορεσμού ηλεκτρονίων, η οποία είναι ευεργετική για τις υψηλής ταχύτητας ηλεκτρονικές συσκευές.
10- Ντόπινγκ: Τα πλακάκια InP μπορούν να ντόπιζονται για να δημιουργηθούν περιοχές τύπου n και τύπου p, επιτρέποντας την κατασκευή διαφόρων τύπων ηλεκτρονικών και οπτοηλεκτρονικών συσκευών.
Η μορφή της InP Wafer:
| Υλικό | Επενδύσεις |
|---|---|
| Μέθοδος ανάπτυξης | Ειδικότερα, οι ενδείξεις που αναφέρονται στην παράγραφο 1 πρέπει να λαμβάνονται υπόψη για την αξιολόγηση της συμμόρφωσης. |
| Δίκτυο (Α) | Α=5.869 |
| Δομή | M3 |
| Σημείο τήξης | 1600°C |
| Πυκνότητα ((g/cm3) | 40,79 g/cm3 |
| Υλικό με ντόπινγκ |
Μη ντοπιζόμενα S-ντοπιζόμενα Zn-ντοπιζόμενα Fe-ντοπιζόμενα
|
| Τύπος |
Α Α Α Α
|
| Συγκέντρωση φορέα (cm-3) |
(0,4-2) x 1016 (0,8-3) x 1018 (4-6) x 1018
(0,6-2) x 1018
|
| Κινητικότητα (cm2v-1s-1) |
(3.5-4) x 103 (2.2-2.4) x 103 (1.3-1.6) x 103
|
| ΕΠΔ (μέσος όρος) |
3 x 104. cm2 2 x 103/cm2. 2 x 104/cm2. 3 x 104/cm2
|
Η φυσική φωτογραφία του InP Wafer:
Εφαρμογή InP Wafer:
1Φωτονική:
Λέιζερ και ανιχνευτές: Με το στενό εύρος ζώνης (~ 1,35 ηλεκτρονιοβόλτ), το InP είναι κατάλληλο για συσκευές όπως λέιζερ και ανιχνευτές σε εφαρμογές φωτονικής.
Οπτική επικοινωνία: Τα πλακάκια InP διαδραματίζουν κρίσιμο ρόλο στα συστήματα οπτικής επικοινωνίας, που χρησιμοποιούνται σε εξαρτήματα όπως λέιζερ και διαμορφωτές για οπτικές ίνες.
2Ημιαγωγικές συσκευές:
Τρανζίστορα υψηλής ταχύτητας: Η υψηλή κινητικότητα των ηλεκτρονίων του InP το καθιστά ιδανικό υλικό για την κατασκευή τρανζίστορων υψηλής ταχύτητας.
Ηλιακά κύτταρα: Τα πλακάκια InP παρουσιάζουν καλές επιδόσεις στα ηλιακά κύτταρα, επιτρέποντας την αποτελεσματική μετατροπή σε φωτοβολταϊκά.
3Ηλεκτρονικές συσκευές μικροκυμάτων και ραδιοσυχνοτήτων:
Ενσωματωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων (MICs): Τα πλακάκια InP χρησιμοποιούνται στην κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων και RF, παρέχοντας απόκριση υψηλής συχνότητας και απόδοση.
Ενισχυτές χαμηλού θορύβου: Τα πλακάκια InP βρίσκουν σημαντικές εφαρμογές σε ενισχυτές χαμηλού θορύβου σε συστήματα επικοινωνίας.
4Φωτοβολταϊκές συσκευές:
Φωτοβολταϊκά κύτταρα: Τα πλακάκια InP χρησιμοποιούνται στην κατασκευή φωτοβολταϊκών κυψελών υψηλής απόδοσης για συστήματα ηλιακής ενέργειας.
5Τεχνολογία αισθητήρων:
Οπτικοί αισθητήρες: Τα πλακάκια InP έχουν δυνατότητες σε εφαρμογές οπτικών αισθητήρων, που χρησιμοποιούνται σε διάφορες τεχνολογίες αισθητήρων και συστήματα απεικόνισης.
6Συμπληρωματικά κυκλώματα:
Οπτοηλεκτρονικά ολοκληρωμένα κυκλώματα: Τα πλακάκια InP χρησιμοποιούνται στην κατασκευή οπτοηλεκτρονικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων για εφαρμογές στην οπτική επικοινωνία και την ανίχνευση.
7Οπτικές συσκευές:
Ενισχυτές οπτικών ινών: Τα πλακάκια InP διαδραματίζουν κρίσιμο ρόλο στους ενισχυτές οπτικών ινών για την ενίσχυση και μετάδοση σήματος στις επικοινωνίες οπτικών ινών.
Οι εικόνες εφαρμογής του InP Wafer:
Προσαρμογή:
Παρακάτω παρατίθενται ορισμένες πτυχές της προσαρμογής πλακών InP:
1Μέγεθος κυψελών: Τα κυψέλες InP μπορούν να προσαρμοστούν σε ό,τι αφορά τη διάμετρο (2 ίντσες, 3 ίντσες, 4 ίντσες) και το πάχος για να ταιριάζουν στις ειδικές ανάγκες της εφαρμογής.
2Προσανατολισμός: Ο προσανατολισμός της πλάκας ((100), (111) Α, (111) Β) μπορεί να καθοριστεί με βάση τον επιθυμητό προσανατολισμό του κρυστάλλου για την προβλεπόμενη εφαρμογή.
3Προφίλ ντόπινγκ: Τα προφίλ ντόπινγκ μπορούν να δημιουργηθούν με τον έλεγχο της συγκέντρωσης και της κατανομής των ντόπινγκ (πυρίτιο,θείο) για την επίτευξη ειδικών ηλεκτρικών ιδιοτήτων που απαιτούνται για την κατασκευή συσκευής.
4. Ποιότητα επιφάνειας: Η ποιότητα επιφάνειας του πλακιδίου μπορεί να προσαρμοστεί για να ανταποκριθεί στις απαιτούμενες προδιαγραφές τραχύτητας, εξασφαλίζοντας βέλτιστη απόδοση σε εφαρμογές όπως η οπτοηλεκτρονική και η φωτονική.
5Επιταξιακά στρώματα: Τα πλακίδια InP μπορούν να προσαρμοστούν με επιταξιακά στρώματα άλλων υλικών όπως InGaAs, InAlGaAs ή InGaAsP για τη δημιουργία ετεροδομών για εξειδικευμένες συσκευές όπως λέιζερ,Φωτοανιχνευτές, και τα υψηλής ταχύτητας τρανζίστορες.
6Ειδικές επικαλύψεις: Τα πλακίδια InP μπορούν να επικαλυφθούν με ειδικά υλικά ή φιλμ για να βελτιωθούν οι επιδόσεις τους σε συγκεκριμένες εφαρμογές, όπως οι αντιαντανάκλασεις για οπτικές συσκευές.
Γενικά ερωτήματα:
1.Π: Τι είναι ένας InP ημιαγωγός;
Α: Το φωσφορικό ίνδιο (InP) αναφέρεται σε ένα δυαδικό ημιαγωγό που αποτελείται από ίνδιο (In) και φωσφόρο (P).Το InP κατατάσσεται σε μια ομάδα υλικών που ανήκουν στους ημιαγωγούς III-V.
2.Π: Ποια είναι η χρήση του φωσφειρού ινδίου;
Α:Τα υποστρώματα φωσφειδίου ινδίου χρησιμοποιούνται κυρίως για την ανάπτυξη δομών που περιέχουν κράμα τριτογενών (InGaAs) και τεταρτογενών (InGaAsP), που χρησιμοποιούνται για την κατασκευή δομών μεγάλου μήκους κύματος (1.3 και 1.4).55 μm) λέιζερ διόδων, LED και φωτοανιχνευτές.
3.Π: Ποια είναι τα πλεονεκτήματα του InP;
Α: Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων: Το InP παρουσιάζει κινητικότητα ηλεκτρονίων σχεδόν δέκα φορές μεγαλύτερη από το πυρίτιο, καθιστώντας το ιδανικό για τα υψηλής ταχύτητας τρανζίστορα και ενισχυτές σε τηλεπικοινωνίες και συστήματα ραντάρ.