• 8 γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου ίντσας AlGaN/GaN για τις οδηγήσεις μικροϋπολογιστών
  • 8 γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου ίντσας AlGaN/GaN για τις οδηγήσεις μικροϋπολογιστών
  • 8 γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου ίντσας AlGaN/GaN για τις οδηγήσεις μικροϋπολογιστών
  • 8 γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου ίντσας AlGaN/GaN για τις οδηγήσεις μικροϋπολογιστών
8 γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου ίντσας AlGaN/GaN για τις οδηγήσεις μικροϋπολογιστών

8 γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου ίντσας AlGaN/GaN για τις οδηγήσεις μικροϋπολογιστών

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής: ΚΙΝΑ
Μάρκα: zmkj
Αριθμό μοντέλου: Si HEMT--ωρ. Epiwafer 8inch 6inch AlGaN/GaN

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min: 1pcs
Τιμή: 1200~2500usd/pc
Συσκευασία λεπτομέρειες: ενιαία περίπτωση γκοφρετών από vacuum package
Χρόνος παράδοσης: 1-5weeks
Όροι πληρωμής: T/T
Δυνατότητα προσφοράς: 50PCS το μήνα
Καλύτερη τιμή Επικοινωνία

Λεπτομερής ενημέρωση

Υλικό: στρώμα GaN στο υπόστρωμα sI Μέγεθος: 8 ίντσες/6 ίντσες
Δάχος GaN: 2-5UM Τύπος: Ν-ΤΥΠΟΣ
Εφαρμογή: Συσκευή ημιαγωγών
Υψηλό φως:

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου GaN

,

Γκοφρέτα νιτριδίων αργιλίου για τις οδηγήσεις μικροϋπολογιστών

,

8 γκοφρέτα αρσενίδιων γαλλίου ίντσας

Περιγραφή προϊόντων

 

8 ιντσών 6 ιντσών AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer για μικρο-LED για εφαρμογή RF

 

Χαρακτηριστικά των Wafer GaN

  1. ΙΙΙ-νιτρίδιο ((GaN,AlN,InN)

Το νιτρικό γάλλιο είναι ένα είδος σύνθετων ημιαγωγών με μεγάλο κενό.

Είναι κατασκευασμένο με την αρχική μέθοδο HVPE και την τεχνολογία επεξεργασίας πλακών, η οποία έχει αρχικά αναπτυχθεί για 10+ χρόνια στην Κίνα.Τα χαρακτηριστικά είναι πολύ κρυσταλλικά.Τα υποστρώματα GaN χρησιμοποιούνται για πολλά είδη εφαρμογών, για λευκά LED και LD ((αιθυοειδές, μπλε και πράσινο).Η ανάπτυξη έχει προχωρήσει για εφαρμογές ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος και υψηλής συχνότητας.

 

Το απαγορευμένο εύρος ζώνης (εκπομπή και απορρόφηση φωτός) καλύπτει το υπεριώδες, το ορατό και το υπέρυθρο φως.

Εφαρμογή

Το GaN μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε πολλούς τομείς, όπως οθόνες LED, ανίχνευση υψηλής ενέργειας και απεικόνιση,
Δείκτης προβολής λέιζερ, συσκευή ισχύος κλπ.

  • Δείκτης προβολής λέιζερ, συσκευή ισχύος κλπ. Αποθήκευση δεδομένων
  • Ενεργειακά αποδοτικό φωτισμό Πλήρης χρωματική οθόνη
  • Προβολές λέιζερ Ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής απόδοσης
  • Υψηλής συχνότητας συσκευές μικροκυμάτων Υψηλής ενέργειας Ανίχνευση και φαντασία
  • Νέα ενέργεια ή τεχνολογία υδρογόνου Περιβάλλον Ανίχνευση και βιολογική ιατρική
  • Διάταξη τεραχέρτζης φωτεινής πηγής

8 γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου ίντσας AlGaN/GaN για τις οδηγήσεις μικροϋπολογιστών 0

Προδιαγραφή του προϊόντος

Άρθρα Αξίες/πεδίο εφαρμογής
Υπόστρωμα Ναι.
Διάμετρος πλάκας 4/ 6 ̇ / 8Επικεφαλής
Μέγεθος της επιστρώσης 4-5μm
Πλάκα από πλάκες < 30μmΤυπικό
Μορφολογία επιφάνειας RMS < 0,5 nm σε 5 × 5 μm²
Εμπορικό σύστημα ΑλXΓκα1-XN, 0
Τάξη κάλυψης In-situSiNή GaN (D-mode), p-GaN (E-mode)
Πληθυσμός 2DEG > 9E12/cm2(20nm Al0.25ΓΑΝ)
Κινητικότητα ηλεκτρονίων > 1800 cm2/Vs(20nm Al0.25ΓΑΝ)

8 γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου ίντσας AlGaN/GaN για τις οδηγήσεις μικροϋπολογιστών 1

Προδιαγραφή του προϊόντος

Άρθρα Αξίες/πεδίο εφαρμογής
Υπόστρωμα HR_Si/SiC
Διάμετρος πλάκας 4/6/ γιαSiC, 4 ∆/ 6 ∆/ 8HR_Si
Εpi- πάχος στρώματος 2-3μm
Πλάκα από πλάκες < 30μmΤυπικό
Μορφολογία επιφάνειας RMS < 0,5 nm σε 5 × 5 μm²
Εμπορικό σύστημα AlGaNήAlNήInAlN
Τάξη κάλυψης In-situSiNή GaN

8 γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου ίντσας AlGaN/GaN για τις οδηγήσεις μικροϋπολογιστών 2

 

Άρθρα GaN-on-Si GaN-on-Sapphire (Ανθρακικό νάτριο στο ζαφείρι)
4/ 6/ 8Επικεφαλής 2/ 4/ 6
Δάχος της επιστρώσης < 4μm < 7μm
Μέσος Διοικητικός/ ΠύργοςΔιάστημα κύματος 400-420nm, 440-460nm,510-530 nm 270-280nm, 440-460nm,510-530 nm
FWHM

< 20nm για το μπλε/κοντά των υπεριώδεις ακτίνων

< 40nm για το πράσινο

< 15nm για τις ακτινοβολίες UVC

< 25nm για το μπλε

< 40nm για το πράσινο

Πύργος βάφλου < 50μm < 180μm

 

 

Σχετικά με το εργοστάσιο OEM μας

8 γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου ίντσας AlGaN/GaN για τις οδηγήσεις μικροϋπολογιστών 3

 

Το όραμά μας για την επιχείρηση Factroy
Θα παρέχουμε υψηλής ποιότητας υπόστρωμα GaN και τεχνολογία εφαρμογής για τη βιομηχανία με το εργοστάσιό μας.
Το υψηλής ποιότητας υλικό GaN είναι ο περιοριστικός παράγοντας για την εφαρμογή III- νιτρικών, π.χ. μακρά διάρκεια ζωής
και υψηλής σταθερότητας LDs, υψηλής ισχύος και υψηλής αξιοπιστίας συσκευές μικροκυμάτων, υψηλή φωτεινότητα
και υψηλής απόδοσης, εξοικονόμησης ενέργειας LED.

-Συχνές Ερωτήσεις
Ε: Τι μπορείτε να προσφέρετε για την εφοδιαστική και το κόστος;
(1) Δεχόμαστε DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF κλπ.
(2) Αν έχετε το δικό σας ταχυδρομικό αριθμό, είναι υπέροχο.
Αν όχι, μπορούμε να σας βοηθήσουμε να παραδώσετε.

Ε: Ποιος είναι ο χρόνος παράδοσης;
(1) Για τα τυποποιημένα προϊόντα, όπως οι πλακέτες 2 ιντσών 0,33 mm.
Για τα αποθέματα: η παράδοση είναι 5 εργάσιμες ημέρες μετά την παραγγελία.
Για προϊόντα προσαρμοσμένα: η παράδοση είναι 2 ή 4 εργάσιμες εβδομάδες μετά την παραγγελία.

Ε: Πώς να πληρώσετε;
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, ασφαλής πληρωμή και εγγύηση εμπορίου.

Ε: Ποιο είναι το MOQ;
(1) Για το απόθεμα, η MOQ είναι 5pcs.
(2) Για τα εξατομικευμένα προϊόντα, το MOQ είναι 5pcs-10pcs.
Εξαρτάται από την ποσότητα και την τεχνική.

Ε: Έχετε έκθεση επιθεώρησης για το υλικό;
Μπορούμε να παρέχουμε αναφορά ROHS και να φτάσουμε αναφορές για τα προϊόντα μας.

 

 

Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν
Ik ben geïnteresseerd 8 γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου ίντσας AlGaN/GaN για τις οδηγήσεις μικροϋπολογιστών θα μπορούσατε να μου στείλετε περισσότερες λεπτομέρειες όπως τύπος, μέγεθος, ποσότητα, υλικό κ.λπ.
Ευχαριστώ!
Wachten op je antwoord.