Ονομασία μάρκας:	zmkj
Αριθμός μοντέλου:	Si HEMT--ωρ. Epiwafer 8inch 6inch AlGaN/GaN
MOQ:	1pcs
τιμή:	1200~2500usd/pc
Πληροφορίες συσκευασίας:	ενιαία περίπτωση γκοφρετών από vacuum package
Όροι πληρωμής:	T/T

Πληροφορίες λεπτομέρειας

Περιγραφή προϊόντων

Πληροφορίες λεπτομέρειας

Τόπος καταγωγής:

ΚΙΝΑ

Υλικό:

στρώμα GaN στο υπόστρωμα sI

Μέγεθος:

8 ίντσες/6 ίντσες

Δάχος GaN:

2-5UM

Τύπος:

Ν-ΤΥΠΟΣ

Εφαρμογή:

Συσκευή ημιαγωγών

Δυνατότητα προσφοράς:

50PCS το μήνα

Επισημαίνω:

Dia 200mm γκοφρέτα Si EPI

6 γκοφρέτα Si EPI ίντσας

Γκοφρέτα αρσενίδιων γαλλίου AlGaN

Περιγραφή προϊόντων

8 ιντσών 6 ιντσών AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer για μικρο-LED για εφαρμογή RF

Χαρακτηριστικά των Wafer GaN

ΙΙΙ-νιτρίδιο ((GaN,AlN,InN)

Το νιτρικό γάλλιο είναι ένα είδος σύνθετων ημιαγωγών με μεγάλο κενό.

Είναι κατασκευασμένο με την αρχική μέθοδο HVPE και την τεχνολογία επεξεργασίας πλακών, η οποία έχει αρχικά αναπτυχθεί για 10+ χρόνια στην Κίνα.Τα χαρακτηριστικά είναι πολύ κρυσταλλικά.Τα υποστρώματα GaN χρησιμοποιούνται για πολλά είδη εφαρμογών, για λευκά LED και LD ((αιθυοειδές, μπλε και πράσινο).Η ανάπτυξη έχει προχωρήσει για εφαρμογές ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος και υψηλής συχνότητας.

Για εφαρμογή ισχύος

Dia 200mm τύπος γκοφρετών Ν Si EPI AlGaN για 6 ίντσα των οδηγήσεων μικροϋπολογιστών 0

Προδιαγραφή του προϊόντος

Άρθρα	Αξίες/πεδίο εφαρμογής
Υπόστρωμα	Ναι.
Διάμετρος πλάκας	4/ 6 ̇ / 8Επικεφαλής
Μέγεθος της επιστρώσης	4-5μm
Πλάκα από πλάκες	< 30μmΤυπικό
Μορφολογία επιφάνειας	RMS < 0,5 nm σε 5 × 5 μm²
Εμπορικό σύστημα	ΑλXΓκα1-XN, 0
Τάξη κάλυψης	In-situSiNή GaN (D-mode), p-GaN (E-mode)
Πληθυσμός 2DEG	> 9E12/cm2(20nm Al0.25ΓΑΝ)
Κινητικότητα ηλεκτρονίων	> 1800 cm2/Vs(20nm Al0.25ΓΑΝ)

Για εφαρμογή ραδιοσυχνοτήτων

Dia 200mm τύπος γκοφρετών Ν Si EPI AlGaN για 6 ίντσα των οδηγήσεων μικροϋπολογιστών 1

Dia 200mm τύπος γκοφρετών Ν Si EPI AlGaN για 6 ίντσα των οδηγήσεων μικροϋπολογιστών 2

Προδιαγραφή του προϊόντος

Άρθρα	Αξίες/πεδίο εφαρμογής
Υπόστρωμα	HR_Si/SiC
Διάμετρος πλάκας	4/6/ γιαSiC, 4 ∆/ 6 ∆/ 8HR_Si
Εpi- πάχος στρώματος	2-3μm
Πλάκα από πλάκες	< 30μmΤυπικό
Μορφολογία επιφάνειας	RMS < 0,5 nm σε 5 × 5 μm²
Εμπορικό σύστημα	AlGaNήAlNήInAlN
Τάξη κάλυψης	In-situSiNή GaN

Για εφαρμογή LED

Dia 200mm τύπος γκοφρετών Ν Si EPI AlGaN για 6 ίντσα των οδηγήσεων μικροϋπολογιστών 3

Σχετικά με το εργοστάσιο OEM μας

Dia 200mm τύπος γκοφρετών Ν Si EPI AlGaN για 6 ίντσα των οδηγήσεων μικροϋπολογιστών 4

Το όραμά μας για την επιχείρηση Factroy
Θα παρέχουμε υψηλής ποιότητας υπόστρωμα GaN και τεχνολογία εφαρμογής για τη βιομηχανία με το εργοστάσιό μας.
Το υψηλής ποιότητας υλικό GaN είναι ο περιοριστικός παράγοντας για την εφαρμογή III- νιτρικών, π.χ. μακρά διάρκεια ζωής
και υψηλής σταθερότητας LDs, υψηλής ισχύος και υψηλής αξιοπιστίας συσκευές μικροκυμάτων, υψηλή φωτεινότητα
και υψηλής απόδοσης, εξοικονόμησης ενέργειας LED.

-Συχνές Ερωτήσεις
Ε: Τι μπορείτε να προσφέρετε για την εφοδιαστική και το κόστος;
(1) Δεχόμαστε DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF κλπ.
(2) Αν έχετε το δικό σας ταχυδρομικό αριθμό, είναι υπέροχο.
Αν όχι, μπορούμε να σας βοηθήσουμε να παραδώσετε.

Ε: Ποιος είναι ο χρόνος παράδοσης;
(1) Για τα τυποποιημένα προϊόντα, όπως οι πλακέτες 2 ιντσών 0,33 mm.
Για τα αποθέματα: η παράδοση είναι 5 εργάσιμες ημέρες μετά την παραγγελία.
Για προϊόντα προσαρμοσμένα: η παράδοση είναι 2 ή 4 εργάσιμες εβδομάδες μετά την παραγγελία.

Ε: Πώς να πληρώσετε;
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, ασφαλής πληρωμή και εγγύηση εμπορίου.

Ετικέτες:

υπόστρωμα σαπφείρου

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου

Σωλήνας σαπφείρου

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Υπόστρωμα ημιαγωγών

Ο συνθετικός Stone πολύτιμων λίθων

Τμήματα κεραμικής

επιστημονικός εξοπλισμός εργαστηρίων

Περίπτωση ρολογιών κρυστάλλου σαπφείρου

Κιβώτιο μεταφορέων γκοφρετών

Υπεραγωγικό λεπτό Monocrystalline υπόστρωμα