4H N τύπου Semi τύπου SiC Wafer 6inch 12inch SiC Wafer SiC υπόστρωμα ((0001) Διπλή πλευρά γυαλισμένη Ra≤1 nm Προσαρμογή

4H N τύπου Semi τύπου SiC Wafer 6inch ((0001) Διπλή πλευρά γυαλισμένη Ra≤1 nm Προσαρμογή

Περιγραφή της κυψέλης SiC 12 ιντσών 4H τύπου N κυψέλης SiC ημιτύπου:

12 ιντσών 6 ιντσών SiC πλακέτα Silicon Carbide (SiC) πλακέτες και υποστρώματα είναι εξειδικευμένα υλικά που χρησιμοποιούνται στην τεχνολογία ημιαγωγών που κατασκευάζονται από καρβίδιο του πυριτίου,ένα συστατικό γνωστό για την υψηλή θερμική του αγωγιμότηταΕξαιρετικά σκληρές και ελαφρές, οι πλάκες και τα υποστρώματα SiC παρέχουν μια ισχυρή βάση για την κατασκευή υψηλής ισχύος,ηλεκτρονικές συσκευές υψηλής συχνότητας, όπως ηλεκτρονικά ισχύος και συστατικά ραδιοσυχνοτήτων.

Τα χαρακτηριστικά του 12 ιντσών 6 ιντσών SiC Wafer 4H N-type Semi-type SiC Wafer:

1.12 ιντσών 6 ιντσών SiC πλακίδαςΑντοχή σε υψηλή τάση: Το σφαιρίδιο SiC έχει πάνω από 10 φορές την αντοχή του πεδίου διάσπασης σε σύγκριση με το υλικό Si.Αυτό επιτρέπει να επιτευχθούν υψηλότερες τάσεις διάσπασης μέσω χαμηλότερης αντίστασης και λεπτότερων στρωμάτων παρασύνδεσηςΓια την ίδια αντοχή τάσης, η αντίσταση/μέγεθος των μονάδων ισχύος σε κατάσταση λειτουργίας των κυψελών SiC είναι μόνο το 1/10 του Si, γεγονός που οδηγεί σε σημαντικά μειωμένες απώλειες ισχύος.
2.12 ιντσών 6 ιντσών SiC πλακίδαςΥψηλής συχνότητας αντοχή: το κύλινδρο SiC δεν παρουσιάζει το φαινόμενο του ρεύματος ουράς, βελτιώνοντας την ταχύτητα εναλλαγής των συσκευών.το οποίο το καθιστά κατάλληλο για υψηλότερες συχνότητες και ταχύτερες ταχύτητες εναλλαγής.
3.12 ιντσών 6 ιντσών SiC πλακίδαςΑντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες: Το πλάτος ζώνης του κυψελού SiC ((~ 3.2 eV) είναι τρεις φορές μεγαλύτερο από αυτό του Si, με αποτέλεσμα ισχυρότερη αγωγιμότητα.και η ταχύτητα κορεσμού ηλεκτρονίων είναι 2-3 φορές μεγαλύτερη από αυτή του SiΜε υψηλό σημείο τήξης (2830 °C, περίπου διπλάσιο από αυτό του Si στους 1410 °C),Οι συσκευές κυψελών SiC βελτιώνουν σημαντικά τη θερμοκρασία λειτουργίας, ενώ μειώνουν τις διαρροές ρεύματος.

Μορφή 12 ιντσών 6 ιντσών SiC Wafer 4H N-type Semi-type SiC Wafer:

Φυσική φωτογραφία από 12 ιντσών 6 ιντσών SiC Wafer 4H N-type Semi-type SiC Wafer:

Εφαρμογή του 12 ιντσών 6 ιντσών 4H τύπου N Semi τύπου SiC Wafer:

• Συσκευή επιταξίας GaN

• Οπτοηλεκτρονική συσκευή

• Συσκευή υψηλής συχνότητας

• Συσκευή υψηλής ισχύος

• Συσκευή υψηλής θερμοκρασίας

• Διόδους εκπομπής φωτός

Φωτογραφία εφαρμογής του 12 ιντσών 6 ιντσών 4H N-type Semi-type SiC Wafer:

Προσαρμογή:

Οι υπηρεσίες εξατομίκευσης προϊόντων μας σας επιτρέπουν να προσαρμόσετε το Silicon Carbide Wafer στις ειδικές σας ανάγκες.Μπορούμε να προσαρμόσουμε το στρώμα του Καρβιδίου του Σιλικονίου για να ανταποκριθούμε στις απαιτήσεις αγωγιμότητας σας και να παρέχουμε ένα Carbide Silicon Wafer που πληροί τις ακριβείς προδιαγραφές σαςΕπικοινωνήστε μαζί μας σήμερα για να μάθετε περισσότερα για τις υπηρεσίες προσαρμογής προϊόντων μας.

Ερωτήσεις και Απαντήσεις:

Ε: Ποιο είναι το μέγεθος των κυψελών SiC;
Α: Οι τυπικές διαμέτρους των πλακών κυμαίνονται από 25,4 mm (1 ίντσες) έως 300 mm (11,8 ίντσες) σε μέγεθος.οι πλάκες μπορούν να παράγονται σε διάφορα πάχους και προσανατολισμούς με γυαλισμένες ή μη πλευρές και μπορούν να περιλαμβάνουν συμπληρωματικά
Ε: Γιατί;SiCΑκριβές βάφλες;
Α:Η διαδικασία υπολίμανσης για την παραγωγή SiC απαιτεί σημαντική ενέργεια για να φτάσει τους 2.200 ̊C, ενώ η τελική χρήσιμη σφαίρα δεν έχει μήκος μεγαλύτερο των 25 mm και οι χρόνοι ανάπτυξης είναι πολύ μεγάλοι.
Ε:Πώς γίνεται μια πλάκα SiC;Α:Η διαδικασία περιλαμβάνει τη μετατροπή πρώτων υλών όπως η άμμος πυριτίου σε καθαρό πυρίτιο.Η ανάπτυξη κρυστάλλων πυριτίου με τη διαδικασία Czochralski,το κόψιμο των κρυστάλλων σε λεπτό, επίπεδοι δίσκοι, καθώς και ο καθαρισμός και η προετοιμασία των πλακών για χρήση σε συσκευές ημιαγωγών.

Σύσταση για το προϊόν:

1.SIC Silicon Carbide Wafer 4H - N Τύπος Για συσκευή MOS 2 ιντσών διάμετρος 50,6 mm
 


2.Σιλικονικό καρβίδιο Wafer Προσαρμοσμένο μέγεθος Ημιμονωτικές σφαιρίδες SiC