8/6/4/2Inch LPCVD Οξειδωτικός φούρνος πλήρης αυτοματισμός Λιγός έλεγχος οξυγόνου

Επισκόπηση προϊόντος

Αυτός ο εξοπλισμός είναι ένας υψηλής απόδοσης, πλήρως αυτοματοποιημένος φούρνος LPCVD κάθετης οξείδωσης 8 ιντσών, σχεδιασμένος για μαζική παραγωγή. Προσφέρει εξαιρετική ομοιομορφία φιλμ και επαναληψιμότητα, υποστηρίζει διάφορες διαδικασίες οξείδωσης, ανόπτησης και LPCVD. Το σύστημα διαθέτει αυτόματη μεταφορά 21 κασετών με απρόσκοπτη ενσωμάτωση MES, ιδανικό για την κατασκευή ημιαγωγών.

Αρχή λειτουργίας

Ο φούρνος διαθέτει κάθετη δομή σωλήνα και προηγμένο έλεγχο μικρο-περιβάλλοντος χαμηλής οξείδωσης. Επιτρέπει την ακριβή οξείδωση ή εναπόθεση φιλμ σε γκοφρέτες πυριτίου υπό συγκεκριμένες ατμόσφαιρες. Η διαδικασία LPCVD (Εναπόθεση Χημικών Ατμών Χαμηλής Πίεσης) θερμαίνει αέρια πρόδρομες ουσίες σε χαμηλή πίεση για να εναποθέσει υψηλής ποιότητας λεπτά φιλμ όπως πολυπυρίτιο, νιτρίδιο πυριτίου ή προσμίξεις οξειδίων πυριτίου.

Στη κατασκευή τσιπ, η Εναπόθεση Χημικών Ατμών Χαμηλής Πίεσης (LPCVD) χρησιμοποιείται ευρέως για τη δημιουργία διαφόρων λεπτών φιλμ για διαφορετικούς σκοπούς. Η LPCVD μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την εναπόθεση φιλμ οξειδίου πυριτίου και νιτριδίου πυριτίου. Χρησιμοποιείται επίσης για την παραγωγή προσμίξεων φιλμ για την τροποποίηση της αγωγιμότητας του πυριτίου. Επιπλέον, η LPCVD χρησιμοποιείται για την κατασκευή μεταλλικών φιλμ, όπως βολφράμιο ή τιτάνιο, τα οποία είναι απαραίτητα για τη δημιουργία δομών διασύνδεσης σε ολοκληρωμένα κυκλώματα.

Αρχή διαδικασίας

Η αρχή λειτουργίας της LPCVD (Εναπόθεση Χημικών Ατμών Χαμηλής Πίεσης) μπορεί να γίνει κατανοητή ως μια ελεγχόμενη χημική αντίδραση που λαμβάνει χώρα σε χαμηλή πίεση και περιλαμβάνει την αντίδραση αέριων πρόδρομων ουσιών στην επιφάνεια μιας γκοφρέτας.

Παροχή αερίου:
Μία ή περισσότερες αέριες πρόδρομες ουσίες (χημικά αέρια) εισάγονται στον θάλαμο αντίδρασης. Αυτό το

βήμα εκτελείται υπό μειωμένη πίεση, συνήθως κάτω από την ατμοσφαιρική. Η χαμηλότερη πίεση βοηθά στην αύξηση των ρυθμών αντίδρασης, στη βελτίωση της ομοιομορφίας και στην ενίσχυση της ποιότητας του φιλμ. Η ροή και η πίεση των αερίων ελέγχονται με ακρίβεια από εξειδικευμένους ελεγκτές και βαλβίδες. Η επιλογή του αερίου καθορίζει τις ιδιότητες του παραγόμενου φιλμ. Για παράδειγμα, για την εναπόθεση φιλμ πυριτίου, μπορεί να χρησιμοποιηθεί σιλάνιο (SiH₄) ή διχλωροσιλάνιο (SiCl₂H₂) ως πρόδρομες ουσίες. Διαφορετικά αέρια επιλέγονται για άλλους τύπους φιλμ, όπως οξείδιο πυριτίου, νιτρίδιο πυριτίου ή μέταλλα.

Προσρόφηση:
Αυτή η διαδικασία περιλαμβάνει την προσρόφηση μορίων αερίου πρόδρομης ουσίας στην επιφάνεια του υποστρώματος (π.χ. γκοφρέτα πυριτίου). Η προσρόφηση αναφέρεται στην αλληλεπίδραση όπου τα μόρια προσκολλώνται προσωρινά στην στερεή επιφάνεια από την αέρια φάση, χωρίς να ενσωματώνονται πλήρως στο στερεό. Αυτό μπορεί να περιλαμβάνει φυσική προσρόφηση ή χημική προσρόφηση.

Αντίδραση:
Στην καθορισμένη θερμοκρασία, οι προσροφημένες πρόδρομες ουσίες υφίστανται χημικές αντιδράσεις στην επιφάνεια του υποστρώματος, σχηματίζοντας ένα λεπτό φιλμ. Αυτές οι αντιδράσεις μπορεί να περιλαμβάνουν αποσύνθεση, υποκατάσταση ή αναγωγή, ανάλογα με τον τύπο των αέριων πρόδρομων ουσιών και τις συνθήκες της διαδικασίας.

Εναπόθεση:
Τα προϊόντα της αντίδρασης σχηματίζουν ένα λεπτό φιλμ που εναποτίθεται ομοιόμορφα στην επιφάνεια του υποστρώματος.

Απομάκρυνση υπολειμματικών αερίων:
Μη αντιδράσασες πρόδρομες ουσίες και αέρια υποπροϊόντα (π.χ. υδρογόνο που παράγεται κατά την αποσύνθεση σιλανίου) απομακρύνονται από τον θάλαμο αντίδρασης. Αυτά τα υποπροϊόντα πρέπει να εκκενώνονται για να αποφευχθεί η παρεμβολή στη διαδικασία ή η μόλυνση του φιλμ.

Πεδία εφαρμογής

• Ο εξοπλισμός LPCVD χρησιμοποιείται για την εναπόθεση ομοιόμορφων λεπτών φιλμ σε υψηλές θερμοκρασίες και χαμηλές πιέσεις, ιδανικός για επεξεργασία γκοφρετών σε παρτίδες.

• Ικανός για εναπόθεση ευρέος φάσματος υλικών, συμπεριλαμβανομένου του πολυπυριτίου, του νιτριδίου πυριτίου και του οξειδίου πυριτίου.

Ερωτήσεις & Απαντήσεις

Ε1: Πόσες γκοφρέτες μπορούν να επεξεργαστούν ανά παρτίδα;
Α1: Το σύστημα υποστηρίζει 150 γκοφρέτες ανά παρτίδα, κατάλληλο για παραγωγή υψηλού όγκου.

Ε2: Υποστηρίζει το σύστημα πολλαπλές μεθόδους οξείδωσης;
Α2: Ναι, υποστηρίζει ξηρή και υγρή οξείδωση (συμπεριλαμβανομένων DCE και HCL), προσαρμόσιμο σε ποικίλες απαιτήσεις διαδικασίας.

Ε3: Μπορεί το σύστημα να διασυνδεθεί με το MES του εργοστασίου;
Α3: Υποστηρίζει πρωτόκολλα επικοινωνίας SECS II/HSMS/GEM για απρόσκοπτη ενσωμάτωση MES και λειτουργίες έξυπνου εργοστασίου.

Ε4: Ποιες συμβατές διαδικασίες υποστηρίζονται;
Α4: Εκτός από την οξείδωση, υποστηρίζει ανόπτηση N₂/H₂, RTA, κράματα και LPCVD για πολυπυρίτιο, SiN, TEOS, SIPOS και άλλα.