8/6/4/2Inch LPCVD Οξειδωτικός φούρνος πλήρης αυτοματισμός Λιγός έλεγχος οξυγόνου

Επισκόπηση του προϊόντος

Ο εξοπλισμός αυτός είναι ένας υψηλής απόδοσης, πλήρως αυτοματοποιημένος φούρνος LPCVD κάθετης οξείδωσης 8 ιντσών που έχει σχεδιαστεί για μαζική παραγωγή.υποστηρίζει διάφορες οξείδωσειςΤο σύστημα διαθέτει αυτόματη μεταφορά 21 κασετών με απρόσκοπτη ενσωμάτωση MES, ιδανική για την κατασκευή ημιαγωγών.

Αρχή λειτουργίας

Ο φούρνος διαθέτει κατακόρυφη δομή σωλήνων και προηγμένο έλεγχο μικροπεριβάλλοντος χαμηλού οξυγόνου.Η διαδικασία LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) θερμαίνει τα πρόδρομα αέρια σε χαμηλή πίεση για να αποθηκεύσει λεπτές ταινίες υψηλής ποιότητας, όπως το πολυπυρίλιο, νιτρίδιο του πυριτίου, ή οξείδια του πυριτίου με ντόπινγκ.

Στην κατασκευή τσιπ, η χημική αποσύνθεση ατμών χαμηλής πίεσης (LPCVD) χρησιμοποιείται ευρέως για τη δημιουργία διαφόρων λεπτών ταινιών για διαφορετικούς σκοπούς.Το LPCVD μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την κατάθεση ταινιών οξειδίου του πυριτίου και νιτρικού πυριτίουΕπίσης, το LPCVD χρησιμοποιείται για την κατασκευή μεταλλικών ταινιών, όπως το βολφραμάνιο ή το τιτάνιο,που είναι απαραίτητα για τη δημιουργία δομών διασύνδεσης σε ολοκληρωμένα κυκλώματα.

Αρχή της διαδικασίας

The working principle of LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) can be understood as a controlled chemical reaction process that takes place at low pressure and involves the reaction of gaseous precursors on the surface of a wafer.

Παροχή αερίου:
Ένα ή περισσότερα αέρια πρόδρομα (χημικά αέρια) εισάγονται στον θάλαμο αντίδρασης.

Η χαμηλότερη πίεση συμβάλλει στην ενίσχυση των ρυθμών αντίδρασης, τη βελτίωση της ομοιομορφίας και την βελτίωση της ποιότητας του φιλμ.Η ροή και η πίεση των αερίων ελέγχονται με ακρίβεια από εξειδικευμένους ελεγκτές και βαλβίδεςΗ επιλογή του αερίου καθορίζει τις ιδιότητες του προερχόμενου φιλμ. Για παράδειγμα, για την εναπόθεση φιλμ πυριτίου, μπορεί να χρησιμοποιηθεί ως πρόδρομο το σιλάνιο (SiH4) ή το διχλωροσιλάνιο (SiCl2H2).Διαφορετικά αέρια επιλέγονται για άλλους τύπους ταινιών, όπως οξείδιο του πυριτίου, νιτρικό πυριτίου ή μέταλλα.

Απορρόφηση:
Η διαδικασία αυτή περιλαμβάνει την προσρόφηση των μορίων αερίου-προωθητή στην επιφάνεια του υποστρώματος (π.χ. πλακέτα πυριτίου).Η προσρόφηση αναφέρεται στην αλληλεπίδραση όπου τα μόρια προσκολλούνται προσωρινά στην στερεή επιφάνεια από την αέρια φάσηΑυτό μπορεί να περιλαμβάνει φυσική ή χημική προσρόφηση.

Αντιδράσεις:
Στις ρυθμιζόμενες θερμοκρασίες, οι προσρόφητοι πρόδρομοι υποβάλλονται σε χημικές αντιδράσεις στην επιφάνεια του υποστρώματος, σχηματίζοντας ένα λεπτό στρώμα.ανάλογα με τον τύπο των αερίων-προκαταστάτων και τις συνθήκες της διαδικασίας.

Απολογία:
Τα προϊόντα της αντίδρασης σχηματίζουν ένα λεπτό φιλμ που αποθηκεύεται ομοιόμορφα στην επιφάνεια του υποστρώματος.

Απομάκρυνση των υπολειπόμενων αερίων:
Οι μη αντιδρούμενοι πρόδρομοι και τα αέρια υποπροϊόντα (π.χ. υδρογόνο που παράγεται κατά την αποσύνθεση του σιλανού) απομακρύνονται από τον θάλαμο αντίδρασης.Τα υποπροϊόντα αυτά πρέπει να απομακρύνονται για να αποφεύγεται η παρεμβολή στη διαδικασία ή η μόλυνση του φιλμ..

Πεδία εφαρμογής

• Ο εξοπλισμός LPCVD χρησιμοποιείται για την κατάθεση ομοιόμορφων λεπτών ταινιών σε υψηλές θερμοκρασίες και χαμηλές πιέσεις, ιδανικό για την επεξεργασία παρτίδων πλακών.

• Δυνατότητα αποθήκευσης ενός ευρέος φάσματος υλικών, συμπεριλαμβανομένου του πολυπυριδίου, του νιτρικού πυριτίου και του διοξειδίου του πυριτίου.

Ερωτήσεις και απαντήσεις

Ε1: Πόσες πλάκες μπορούν να μεταποιηθούν ανά παρτίδα;
Α1: Το σύστημα υποστηρίζει 150 πλάκες ανά παρτίδα, κατάλληλες για μεγάλης παραγωγής.

Ε2: Υποστηρίζει το σύστημα πολλαπλές μεθόδους οξείδωσης;
Α2: Ναι, υποστηρίζει ξηρή και υγρή οξείδωση (συμπεριλαμβανομένων των DCE και HCL), προσαρμόζεται στις διαφορετικές απαιτήσεις της διαδικασίας.

Ε3: Μπορεί το σύστημα να συνδεθεί με το εργοστασιακό MES;
Α3: Υποστηρίζει τα πρωτόκολλα επικοινωνίας SECS II/HSMS/GEM για την απρόσκοπτη ενσωμάτωση MES και τις έξυπνες εργοστασιακές λειτουργίες.

Ε4: Ποιες συμβατές διαδικασίες υποστηρίζονται;
Α4: Εκτός από την οξείδωση, υποστηρίζει την αναψύξη N2 / H2, RTA, κράμα και LPCVD για πολυπυρίλιο, SiN, TEOS, SIPOS και πολλά άλλα.