logo
Καλή τιμή  σε απευθείας σύνδεση

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. προϊόντα Created with Pixso.
επιστημονικός εξοπλισμός εργαστηρίων
Created with Pixso.

Μηχανή γυάλωσης ριζών ιόντων για SiC Sapphire Quartz YAG

Μηχανή γυάλωσης ριζών ιόντων για SiC Sapphire Quartz YAG

Ονομασία μάρκας: ZMSH
MOQ: 1
τιμή: by case
Πληροφορίες συσκευασίας: custom cartons
Όροι πληρωμής: T/T
Πληροφορίες λεπτομέρειας
Place of Origin:
China
Processing Method:
Ion sputtering material removal under vacuum
Processing Type:
Non-contact surface figuring & polishing
Available Materials:
Quartz, microcrystalline glass, K9, sapphire, YAG, silicon carbide, single-crystal silicon carbide, silicon, germanium, aluminum, stainless steel, titanium alloy, etc.
Max Workpiece Size:
Φ4000 mm
Motion Axes:
3-axis / 5-axis
Removal Stability:
≥95%
Supply Ability:
By case
Επισημαίνω:

Χωρηματοδοτική συσκευή για την επεξεργασία χημικών υλών

,

Μηχανή γυάλωσης ιχθύων για ημιαγωγούς

,

Επιστημονικό εργαστήριο με ακτίνα ιόντων

Περιγραφή προϊόντων

Μηχανή γυάλωσης ριζών ιόντων
Ατομική ακρίβεια · Επεξεργασία χωρίς επαφή · Υπερλεπτές επιφάνειες

 


Επισκόπηση του προϊόντος της μηχανής γυαλισμού ριζών ιόντων
 

Το μηχάνημα CNC για το σχηματισμό ή την γυάλωση ακτίνων ιόντων λειτουργεί με την αρχή:ιόντωνΥπό κενό, η πηγή ιόντων παράγει μια ακτίνα πλάσματος, η οποία επιταχύνεται σε ακτίνα ιόντων που βομβαρδίζει την επιφάνεια του εργαστηρίου για την αφαίρεση υλικού ατομικού επιπέδου.που επιτρέπουν την εξαιρετικά ακριβή κατασκευή οπτικών εξαρτημάτων.


Η τεχνολογία αυτή προσφέρειεπεξεργασία χωρίς επαφή, απαλλαγμένη από μηχανική πίεση ή υποεπιφανειακή βλάβη, και είναι ιδανική για οπτική υψηλής ακρίβειας στην αστρονομία, την αεροδιαστημική, τους ημιαγωγούς και την επιστημονική έρευνα.

 

Μηχανή γυάλωσης ριζών ιόντων για SiC Sapphire Quartz YAG 0    Μηχανή γυάλωσης ριζών ιόντων για SiC Sapphire Quartz YAG 1

 


Αρχή λειτουργίαςαπό μηχανή γυαλισμού ιχθύων ιόντων

  • Παραγωγή ιόντωνΤο αδιάβροχο αέριο (π.χ. αργόνιο) εισάγεται στον θάλαμο κενού και ιονίζεται με ηλεκτρικό πεδίο εκφόρτισης.

 

  • Επιτάχυνση ιόντων και σχηματισμός δέσμηςΤα ιόντα επιταχύνονται σε εκατοντάδες ή χιλιάδες ηλεκτρονιοβόλτ (eV) και σχηματίζονται σε ένα σταθερό σημείο δέσμης με εστίαση της οπτικής.

 

  • Απομάκρυνση υλικούΗ ακτίνα ιόντων φυσικά εκτοξεύει τα άτομα της επιφάνειας χωρίς χημικές αντιδράσεις.

 

  • Μέτρηση σφαλμάτων και σχεδιασμός διαδρομήςΤα σφάλματα της εικόνας της επιφάνειας μετρούνται μέσω παρεμβολαιομετρίας, στη συνέχεια χρησιμοποιούνται λειτουργίες αφαίρεσης για τον υπολογισμό των χρόνων διαμονής της δέσμης και τη δημιουργία διαδρομών επεξεργασίας.

 

  • Διόρθωση κλειστού βρόχουΟι κύκλοι επεξεργασίας και μέτρησης επαναλαμβάνονται έως ότου επιτευχθούν οι στόχοι RMS/PV.

 Μηχανή γυάλωσης ριζών ιόντων για SiC Sapphire Quartz YAG 2

 

 


Χαρακτηριστικά εξοπλισμούαπό μηχανή γυαλισμού ιχθύων ιόντων

  • Επεξεργασία χωρίς επαφήΔυνατότητα χειρισμού όλων των μορφών επιφάνειας

  • Σταθερό ποσοστό αφαίρεσηςΑκριβότητα διόρθωσης υπονανομετρικών αριθμών

  • Καμία υποεπιφανειακή βλάβηΔιατηρεί την οπτική ακεραιότητα

  • Υψηλή συνέπεια∆ Ελάχιστη διακύμανση μεταξύ υλικών διαφορετικής σκληρότητας

  • Διόρθωση χαμηλής/μέσης συχνότηταςΧωρίς παραγωγή σφάλματος μεσαίας υψηλής συχνότητας

  • Χαμηλό κόστος συντήρησης∆ Μακροχρόνια συνεχή λειτουργία με ελάχιστο χρόνο στάσης

 


Δυναμικό επεξεργασίας εξοπλισμούαπό μηχανή γυαλισμού ιχθύων ιόντων

Διαθέσιμες επιφάνειες:

  • Απλές οπτικές συνιστώσες: επίπεδο, σφαίρα, πρίσμα

  • Σύνθετα οπτικά εξαρτήματα: Συμμετρική/ασυμμετρική ασφαίρα, ασφαίρα εκτός άξονα, κυλινδρική επιφάνεια

  • Ειδικά οπτικά εξαρτήματα: Υπερτελή οπτική, οπτική πλάκας, ημισφαιρική οπτική, συμβατική οπτική, πλάκες φάσης, επιφάνειες ελεύθερης μορφής, άλλα προσαρμοσμένα σχήματα

Διαθέσιμα υλικά:

  • Συνηθισμένο οπτικό γυαλί: Κουάρτζ, μικροκρυσταλλικό, Κ9, κλπ.

  • Υποκόκκινη οπτική: Σιλικόνιο, Γερμανίμιο κλπ.

  • Μεταλλικά: αλουμίνιο, ανοξείδωτο χάλυβα, κράμα τιτανίου κλπ.

  • Κρυσταλλικά υλικά: YAG, μονοκρυσταλλικό καρβίδιο πυριτίου κλπ.

  • Άλλα σκληρά/αδύναμα υλικά: Καρβίδιο του πυριτίου κλπ.

Ποιότητα / ακρίβεια επιφάνειας:

  • PV < 10 nm

  • RMS ≤ 0,5 nm

 


Πλεονεκτήματα του προϊόντοςαπό μηχανή γυαλισμού ιχθύων ιόντων

  • Ακριβότητα αφαίρεσης σε ατομικό επίπεδο∆ΕΙΤΙΚΗΣΕΙΣ ∆ΙΚΑΡΙΣΜΟΣ ∆ΙΚΑΡΙΣΜΟΣ ∆ΙΚΑΡΙΣΜΟΣ

  • Ευέλικτη συμβατότητα σχήματοςΑπό την επίπεδη οπτική στις σύνθετες ελεύθερες μορφές

  • Ευρεία προσαρμοστικότητα του υλικούΑπό κρυστάλλους ακριβείας σε σκληρή κεραμική και μέταλλα

  • Μεγάλη ικανότητα διαφάνειαςΟπτική επεξεργασίας έως Φ4000 mm

  • Διευρυμένη σταθερή λειτουργίαΔραστηριάζει 3-5 εβδομάδες χωρίς συντήρηση του θαλάμου κενού.

 


Τυπικά μοντέλα μηχανής γυάλωσης με ακτίνα ιόντων

  • ΙΒF350 / ΙΒF750 / ΙΒF1000 / ΙΒF1600 / ΙΒF2000 / ΙΒF4000

  • Άξονες κίνησης: 3-άξονας / 5-άξονας

  • Μέγιστο μέγεθος εργαστηρίου: έως Φ4000 mm

 

Άρθρο Προδιαγραφές
Μέθοδος επεξεργασίας Απομάκρυνση υλικού ψεκασμού ιόντων υπό κενό
Τύπος επεξεργασίας Χωρίς επαφή διαμόρφωση επιφάνειας και γυαλισμός
Διαθέσιμες επιφάνειες Επίπεδο, σφαίρα, πρίσμα, ασφαίρα, ασφαίρα εκτός άξονα, κυλινδρική επιφάνεια, επιφάνεια ελεύθερης μορφής
Διαθέσιμα υλικά Κουαρτς, μικροκρυσταλλικό γυαλί, Κ9, ζαφείρι, YAG, καρβίδιο του πυριτίου, μονοκρυσταλλικό καρβίδιο του πυριτίου, πυριτίου, γερμανίου, αλουμινίου, ανοξείδωτου χάλυβα, κράμα τιτανίου κλπ.
Μέγιστο μέγεθος εργαστηρίου Φ4000 mm
Άξονες κίνησης 3 άξονες / 5 άξονες
Σταθερότητα αφαίρεσης ≥ 95%
Ακριβότητα επιφάνειας Δοκιμαστικό μέγεθος
Δυνατότητα επεξεργασίας Διορθώνει τα λάθη χαμηλής μέσης συχνότητας χωρίς να εισάγει λάθη μεσαίας υψηλής συχνότητας
Συνεχή λειτουργία 3-5 εβδομάδες χωρίς συντήρηση του θαλάμου κενού
Κόστος συντήρησης Χαμηλά
Τυπικά μοντέλα ΙΒF350 / ΙΒF750 / ΙΒF1000 / ΙΒF1600 / ΙΒF2000 / ΙΒF4000

 


 

Υπόθεση 1 Standard Flat Mirror (Κλασικός επίπεδος καθρέφτης)

  • Εργασιακό κομμάτι: D630 mm Quartz flat

  • Αποτελέσματα: PV 46,4 nm, RMS 4,63 nm

- Δεν ξέρω.Μηχανή γυάλωσης ριζών ιόντων για SiC Sapphire Quartz YAG 3

Υπόθεση 2 ∆ακτυλοεισφαιριστής ακτίνων Χ

 

  • Εργασιακό κομμάτι: 150 × 30 mm Σιλικόνιο επίπεδο

  • Αποτελέσματα: PV 8,3 nm, RMS 0,379 nm, κλίση 0,13 μrad

- Δεν ξέρω.Μηχανή γυάλωσης ριζών ιόντων για SiC Sapphire Quartz YAG 4

Υπόθεση 3 ∆ίγμα εκτός άξονα

  • Εργασιακό κομμάτι: D326 mm Ανεξάρτητος άξονας καθρέφτης εδάφους

  • Αποτελέσματα: PV 35,9 nm, RMS 3,9 nm

Μηχανή γυάλωσης ριζών ιόντων για SiC Sapphire Quartz YAG 5


Πεδία εφαρμογής της μηχανής γυαλισμού με ακτίνα ιόντων

  • Αστρονομική οπτικήΠρωτογενείς/δευτερεύοντες καθρέφτες μεγάλων τηλεσκοπίων

  • Διαστημική οπτική∆ημοκρατία της Κίνας

  • Συστήματα λέιζερ υψηλής ισχύοςΟπτική ICF, διαμόρφωση δέσμης

  • Οπτική ημιαγωγών∆αντίες και καθρέφτες λιθογραφίας

  • Επιστημονικά όργανα∆ανεικτές ακτίνων Χ/νευτρονίων, βασικά κατασκευαστικά στοιχεία μετρολογίας