Ονομασία μάρκας:	ZMKJ
Αριθμός μοντέλου:	4 ίντσα - υψηλή αγνότητα
MOQ:	1pcs
τιμή:	1000-2000usd/pcs by FOB
Πληροφορίες συσκευασίας:	η ενιαία συσκευασία γκοφρετών σε 100 βαθμολογεί το καθαρίζοντας δωμάτιο
Όροι πληρωμής:	Μ / Τ, Western Union, MoneyGram

Πληροφορίες λεπτομέρειας

Περιγραφή προϊόντων

Πληροφορίες λεπτομέρειας

Τόπος καταγωγής:

Κίνα

Υλικό:

SiC High Purity Single Crystal 4H-Semi Type

Βαθμός:

Εικονικό / Έρευνα / Προϊόν

Thicnkss:

500 μm

Suraface:

CMP/MP

Εφαρμογή:

Συσκευή 5G

Διάμετρος:

100±0,3 mm

Δυνατότητα προσφοράς:

1-50pcs/month

Επισημαίνω:

υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου

γκοφρέτα SIC

Περιγραφή προϊόντων

Υψηλής καθαρότητας 4H-N 4inch 6inch διάμετρος 150mm καρβίδιο του πυριτίου μονοκρυστάλλιο (sic) υποστρώματα πλακίδια, σικ κρυστάλλιο ίνγκοσιδηροτροχιακά υποστρώματα,Κρυστάλλινη πλάκα από καρβίδιο του πυριτίου/Παρασκευασμένες κατά παραγγελία σαν κομματιασμένες πλάκες

Υψηλής καθαρότητας κύλινδροι καρβιδίου πυριτίου Prime/Dummy/Ultra Grade 4H-Semi SiC για συσκευή 5G

Σχετικά με το Κρυστάλλιο Καρβιδίου Σιλίου

Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC), επίσης γνωστό ως καρμπορούνδο, είναι ένα ημιαγωγός που περιέχει πυρίτιο και άνθρακα με χημικό τύπο SiC.Το SiC χρησιμοποιείται σε ηλεκτρονικές συσκευές ημιαγωγών που λειτουργούν σε υψηλές θερμοκρασίες ή υψηλές τάσεις, ή και τα δύο. Το SiC είναι επίσης ένα από τα σημαντικά συστατικά των LED, είναι ένα δημοφιλές υπόστρωμα για την ανάπτυξη συσκευών GaN και χρησιμεύει επίσης ως διαχέτης θερμότητας σε LED υψηλής ισχύος.

ΙΔΗΣΙΑ του μονοκρυστάλλου 4H-SiC

Παράμετροι πλέγματος: a=3.073Å c=10.053Å
Αλληλουχία στοίβωσης: ABCB
Σκληρότητα Μος: ≈9.2
Πυκνότητα: 3,21 g/cm3
Θερμικός συντελεστής διαστολής: 4-5×10-6/K
Δείκτης διάθλασης: no= 2,61 ne= 2.66
Διοξειδωτική σταθερά: 9.6
Θερμική αγωγιμότητα: α~4,2 W/cm·K@298K
(τύπος N, 0,02 ohm.cm) c~3,7 W/cm·K@298K
Θερμική αγωγιμότητα: α~4,9 W/cm·K@298K
(ημιμόνωση) c~3,9 W/cm·K@298K
Διάλειμμα ζώνης: 3,23 eV Διάλειμμα ζώνης: 3,02 eV
Ηλεκτρικό πεδίο διάσπασης: 3-5×10 6V/m
Ταχύτητα κυματισμού κορεσμού: 2,0 × 105 m/

Υψηλής καθαρότητας σφραγίδα καρβιδίου πυριτίου 0

Υψηλής καθαρότητας 4 ίντσες διάμετρος Καρβίδιο Σιλίου (SiC) Προδιαγραφή υποστρώματος

4 ίντσες Διαμέτρου υψηλής καθαρότητας 4H Silicon Carbide Υποστρώμα Προδιαγραφές

Ιδιότητα υποστρώματος	Κατηγορία παραγωγής	Ερευνητικός βαθμός	Αξία ψεύτικη
Διάμετρος	1000,0 mm+0.0/-0,5 mm
Προσανατολισμός επιφάνειας	{0001} ±0,2°
Πρωτογενής επίπεδος προσανατολισμός	< 11-20> ± 5,0 ̊
Δευτερογενής επίπεδης προσανατολισμός	90.0 ̊ CW από την Πρωτογενή ± 5.0 ̊, πυρίτιο ανάποδα
Πρωταρχικό επίπεδο μήκος	32.5 mm ± 2,0 mm
Δευτερογενές επίπεδο μήκος	180,0 mm ± 2,0 mm
Τμήμα της πλάκας	Τσάμφερ
Σφιχτότητα μικροσωλήνων	≤ 5 μικροσωλήνες/cm2	≤10 μικροσωλήνες/cm2	≤ 50μικροσωλήνες/cm2
Περιοχές πολυτύπου με υψηλής έντασης φωτισμού	Κανένας δεν επιτρέπεται		≤10% έκταση
Αντίσταση	≥1Ε5Ω·cm		(έκταση 75%)≥1E5Ω·cm
Δάχος	3500,0 μm ± 25,0 μmή 5000,0 μm ± 25,0 μm
TTV	Επικεφαλής10 μm		Επικεφαλής15 μm
Υποκλίνεσαι.(απόλυτη αξία)	Επικεφαλής25 μm		Επικεφαλής30 μm
Δύση.	Επικεφαλής45μm
Τελεία επιφάνειας	Διπλή πλάτη, Si Face CMP(χημική γυάλωση)
Επεξεργασία	CMP Si Face Ra≤0,5 nm		Α/Χ
Τρύπες από φωτισμό υψηλής έντασης	Κανένας δεν επιτρέπεται
Σφραγίδες/εμβρύες με διάχυτο φωτισμό	Κανένας δεν επιτρέπεται	Τι ώρα;2<1.0 mm πλάτος και βάθος	Τι ώρα;2<1.0 mm πλάτος και βάθος
Συνολική χρήσιμη έκταση	≥ 90%	≥ 80%	Α/Χ

*Οι άλλες προδιαγραφές μπορούν να προσαρμοστούν σύμφωνα με τον πελάτηΕπικεφαλήςΟι απαιτήσεις

6 ίντσες Υψηλής καθαρότητας ημιμονωτικά υποστρώματα 4H-SiC Προδιαγραφές

Ιδιοκτησία	U (Ultra) βαθμός	Π(Παραγωγή)Αξία	R(Έρευνα)Αξία	D(Ηλίθιε.)Αξία
Διάμετρος	1500,0 mm±0,25 mm
Προσανατολισμός επιφάνειας	{0001} ± 0,2°
Πρωτογενής επίπεδος προσανατολισμός	< 11-20> ± 5,0 ̊
Δευτερογενής επίπεδης προσανατολισμός	Α/Χ
Πρωταρχικό επίπεδο μήκος	47.5 mm ± 1,5 mm
Δευτερογενές επίπεδο μήκος	Κανένα
Τμήμα της πλάκας	Τσάμφερ
Σφιχτότητα μικροσωλήνων	≤ 1 /cm2	≤ 5 /cm2	≤ 10 /cm2	≤ 50 /cm2
Περιοχή πολυτύπου με φωτισμό υψηλής έντασης	Κανένα			≤ 10%
Αντίσταση	≥1E7 Ω·cm			(έκταση 75%)≥1E7 Ω·cm
Δάχος	350.0 μm ± 25,0 μm ή 500.0 μm ± 25,0 μm
TTV	Επικεφαλής10 μm
Κύκλος (απόλυτη αξία)	Επικεφαλής40 μm
Δύση.	Επικεφαλής60 μm
Τελεία επιφάνειας	Επικεφαλής C: Οπτικά γυαλισμένο, Επικεφαλής Si: CMP
Ακατέργαστη ύλημm×10μm)	CMP Si-face Ra<0.5 nm			Α/Χ
Ρίξιμο από υψηλής έντασης φως	Κανένα
Σφραγίδες/εμβέλειες με διάχυτο φωτισμό	Κανένα		Qty≤2, το μήκος και το πλάτος κάθε<1 mm
Ενεργός χώρος	≥ 90%		≥ 80%	Α/Χ

* Τα όρια ελαττωμάτων ισχύουν για ολόκληρη την επιφάνεια της πλακέτας, εκτός από την περιοχή αποκλεισμού της άκρης.

Για τις εφαρμογές των υποστρωμάτων SiC

ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ Γενικό μέγεθος

Τύπος 4H-N / SiC wafer υψηλής καθαρότητας/σφαιρίδια 2 ιντσών 4H SiC σφαιρίδιο τύπου N/σφαιρίδια 3 ιντσών 4H N-Type SiC πλακέτες 4 ίντσες 4H SiC σφαιρίδιο τύπου N/χάρτες 6 ιντσών 4H SiC σφαιρίδιο τύπου N/σφαιρίδια	4H ημιμόνωση / υψηλή καθαρότηταΠλακέτα SiC 2 ιντσών 4H ημιμονωτική πλάκα SiC 3 ιντσών 4H ημιμονωτική πλάκα SiC 4 ιντσών 4H ημιμονωτική πλάκα SiC 6 ιντσών 4H ημιμονωτική πλάκα SiC
6H N-τύπου SiC πλακάκια 2 ιντσών 6H N-Type SiC wafer/ingot	Προσαρμοσμένο μέγεθος για 2-6 ίντσες

Υψηλής καθαρότητας σφραγίδα καρβιδίου πυριτίου 1

Sαλ & Εξυπηρέτηση πελατών

Αγορά υλικών

Το τμήμα προμηθειών υλικών είναι υπεύθυνο για τη συλλογή όλων των πρώτων υλών που απαιτούνται για την παραγωγή του προϊόντος σας.συμπεριλαμβανομένων των χημικών και φυσικών αναλύσεων είναι πάντα διαθέσιμα.

Ποιότητα

Κατά τη διάρκεια και μετά την κατασκευή ή την επεξεργασία των προϊόντων σας, το τμήμα ελέγχου ποιότητας συμμετέχει στο να βεβαιωθεί ότι όλα τα υλικά και οι ανοχές πληρούν ή υπερβαίνουν τις προδιαγραφές σας.

Υπηρεσία

Είμαστε περήφανοι που έχουμε προσωπικό μηχανικών πωλήσεων με πάνω από 5 χρόνια εμπειρίας στη βιομηχανία ημιαγωγών.Είναι εκπαιδευμένοι να απαντούν σε τεχνικές ερωτήσεις και να παρέχουν έγκαιρα προσφορές για τις ανάγκες σας.

Είμαστε στο πλευρό σας οποτεδήποτε έχετε πρόβλημα και το λύνουμε σε 10 ώρες.

Ετικέτες:

υπόστρωμα σαπφείρου

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου

Σωλήνας σαπφείρου

Υπόστρωμα ημιαγωγών

Ο συνθετικός Stone πολύτιμων λίθων

Τμήματα κεραμικής

επιστημονικός εξοπλισμός εργαστηρίων

Περίπτωση ρολογιών κρυστάλλου σαπφείρου

Κιβώτιο μεταφορέων γκοφρετών

Υπεραγωγικό λεπτό Monocrystalline υπόστρωμα

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου