Ονομασία μάρκας: | ZMSH |
Αριθμός μοντέλου: | SiC Wafers 2/3/4/6/8 ίντσες 4H-N Τύπος Παραγωγή Νάμι |
Όροι πληρωμής: | Τ/Τ |
SiC Wafers 2/3/4/6/8 ίντσες 4H-N Τύπος Z/P/D/R Αξία Υψηλής Ποιότητας
Οι υψηλής ποιότητας πλακέτες SiC τύπου 4H-NΕίναι διαθέσιμα σε μεγέθη από 2 έως 12 ίντσες, σχεδιασμένα για προηγμένες εφαρμογές ημιαγωγών.Είμαστε ένας από τους λίγους κατασκευαστές που είναι ικανό να παράγει πλακίδια SiC μήκους 8 ιντσώνΗ δέσμευσή μας για υψηλή ποιότητα και προηγμένη τεχνολογία μας ξεχωρίζει στη βιομηχανία των ημιαγωγών.
2.1 Περιγραφή του προϊόντος:
Η δική μαςSiC Wafers 2/3/4/6/8 ίντσες 4H-N Τύπος Z/P/D/R Αξία Υψηλής ΠοιότηταςΕίναι σχεδιασμένο για να ανταποκρίνεται στα αυστηρά πρότυπα των ερευνητικών εργαστηρίων και των εργοστασίων ημιαγωγών.
2.2 Περιγραφή εταιρείας:
Η εταιρεία μας (ZMSH)Επικεντρώνεται στο πεδίο του σαφείρου γιαάνω των 10 ετώνΈχουμε μεγάλη εμπειρία στην κατασκευή και την πώληση.Προσαρμοσμένα προϊόνταΕπίσης αναλαμβάνουμε προσαρμοσμένο σχεδιασμό και μπορούμε να είμαστε OEM.ZMSHθα είναι η καλύτερη επιλογή, λαμβάνοντας υπόψη την τιμή και την ποιότητα.Αισθάνεστε ελεύθεροι να φτάσετε!
Αποκτήστε το δυναμικό των ερευνητικών και αναπτυξιακών σας έργων μεΗ δική μας Υψηλής ποιότητας σφραγίδες SiC 2/3/4/6/8 ιντσών 4H-N Τύπος Z/P/D/RΣχεδιασμένα ειδικά για προηγμένες εφαρμογές ημιαγωγών, τα υποστρώματά μας ερευνητικής ποιότητας προσφέρουν εξαιρετική ποιότητα και αξιοπιστία.
4Εμφάνιση προϊόντος - ZMSH
5. Προδιαγραφές κυψελών SiC
Ιδιοκτησία | 4H-SiC, μονοκρυστάλλιο | 6H-SiC, μονοκρυστάλλιο |
Παράμετροι πλέγματος | α=3,076 Å c=10,053 Å | α=3,073 Å c=15,117 Å |
Αλληλουχία στοιβάσματος | ABCB | ABCACB |
Σκληρότητα Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Σφιχτότητα | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
Θερμικός συντελεστής διαστολής | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Δείκτης διάθλασης @750nm |
όχι = 2.61 ne = 2.66 |
όχι = 2.60 ne = 2.65 |
Διορθωτική σταθερά | c~9.66 | c~9.66 |
Θερμική αγωγιμότητα (τύπου N, 0,02 ohm.cm) |
α~4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K |
|
Θερμική αγωγιμότητα (ημιμονωτική) |
α~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K |
α~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K |
Τραπεζικό κενό | 3.23 eV | 30,02 eV |
Ηλεκτρικό πεδίο κατάρρευσης | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
Ταχύτητα άτρησης κορεσμού | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
6.1 Α:Σε ποια μεγέθη είναι διαθέσιμα τα σφαιρίδια SiC;
Ε: Τα υποστρώματα SiC είναι διαθέσιμα σε διάφορεςΟι συσκευές αυτές είναι διαθέσιμες σε όλα τα μεγέθη, που κυμαίνονται από 2 ίντσες έως 12 ίντσες σε διάμετρο.
6.2 Α:Σε ποιες εφαρμογές χρησιμοποιούνται συνήθως οι πλάκες SiC;
Ε: Υψηλότερη τάση διακοπής, καλύτερη θερμική αγωγιμότητα, ευρύτερο εύρος ζώνης.
6.3 Α:Μπορώ να έχω SiC βάφλες προσαρμοσμένες στον πελάτη;
Ε: Βεβαίως! Έχουμε παράγει εξατομικευμένα προϊόντα για πάνω από 10 χρόνια. Παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας για να μοιραστείτε τις απαιτήσεις μαζί μας.