Υψηλής ποιότητας σφαιρίδια SiC 2/3/4/6/8 ιντσών 4H-N τύπου Z/P/D/R

SiC Wafers 8 ιντσών 4H-N τύπου DSP/SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy Research Grade Υψηλής ποιότητας χωρίς ντόπινγκ

1. Αποκλειστικό

Τα υψηλής ποιότητας SiC Wafers 8 ιντσών 4H-N τύπου DSP / SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy Research Grade Undoped,διατίθενται σε μεγέθη που κυμαίνονται από 2 έως 8 ίντσες, ειδικά για διάμετρο 8',Είμαστε ένας από τους λίγους κατασκευαστές που είναι ικανό να παράγει πλακίδια SiC μήκους 8 ιντσώνΕστιάζουμε στην παραγωγή υψηλής ποιότητας για τους πελάτες μας.

2Περιγραφή προϊόντος και εταιρείας

2.1 Περιγραφή του προϊόντος:

Η δική μαςυψηλής ποιότητας σφαιρίδια SiC 8 ιντσών 4H-N τύπου DSP/SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy Research Grade Undopedέχουν σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές ημιαγωγών αιχμής. Τα πλακάκια αυτά διαθέτουν εξαιρετικά ηλεκτρικά και θερμικά χαρακτηριστικά, τα οποία τα καθιστούν κατάλληλα για ηλεκτρονική ισχύ, συσκευές ραδιοσυχνοτήτων,και περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας.

2.2 Περιγραφή εταιρείας:

Η εταιρεία μας (ZMSH)Επικεντρώνεται στο πεδίο του σαφείρου γιαάνω των 10 ετώνΈχουμε μεγάλη εμπειρία στην κατασκευή και την πώληση.Προσαρμοσμένα προϊόνταΕπίσης αναλαμβάνουμε προσαρμοσμένο σχεδιασμό και μπορούμε να είμαστε OEM.ZMSHθα είναι η καλύτερη επιλογή, λαμβάνοντας υπόψη την τιμή και την ποιότητα.Αισθάνεστε ελεύθεροι να φτάσετε!

3Εφαρμογές

Αποκτήστε το δυναμικό των ερευνητικών και αναπτυξιακών σας έργων μεΗ δική μας SiC Wafers 8 ιντσών 4H-N τύπου DSP/SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy Research Grade Υψηλής ποιότητας χωρίς ντόπινγκΜε εύρος ζώνης περίπου 3,3 eV, τα πλακάκια αυτά επιτρέπουν λειτουργίες υψηλής τάσης και υψηλής συχνότητας.βελτιώνοντας έτσι την αποτελεσματικότητα και την αξιοπιστία σε αυστηρές εφαρμογές.

• Λάιζερ: Τα υποστρώματα SiC επιτρέπουν την παραγωγή διόδων λέιζερ υψηλής ισχύος που λειτουργούν αποτελεσματικά στις περιοχές του υπεριώδους και του μπλε φωτός.Η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και αντοχή τους τις καθιστούν ιδανικές για εφαρμογές που απαιτούν αξιόπιστη απόδοση σε ακραίες συνθήκες.
• Καταναλωτικά Ηλεκτρονικά: Τα υποστρώματα SiC βελτιώνουν τα IC διαχείρισης ενέργειας, επιτρέποντας πιο αποτελεσματική μετατροπή ενέργειας και μεγαλύτερη διάρκεια ζωής της μπαταρίας.επιτρέποντας μικρότερες και ελαφρύτερες φορτιστές, διατηρώντας παράλληλα υψηλές επιδόσεις.
• Ηλεκτρικές μπαταρίες εσωτερικού οχήματος: Η εφαρμογή τους στις υποδομές ταχείας φόρτισης υποστηρίζει ταχύτερους χρόνους φόρτισης, βελτιώνοντας την ευκολία για τους χρήστες EV.

4Εμφάνιση προϊόντος - ZMSH

5. Προδιαγραφές κυψελών SiC

6Συχνές ερωτήσεις

6.1 Q:Τι μεγέθη από πλακίδια SiC μπορούμε να παράγουμε;

Α: Είμαστε ειδικά ικανοί να παράγουμε 8 ίντσες. Τα υπόστρωμα SiC είναι διαθέσιμα σε διάφορα μεγέθη, 2/3/4/6/8 ίντσες σε διάμετρο.Άλλα μεγέθη προσαρμογής μπορεί επίσης να είναι διαθέσιμα με βάση τις ειδικές απαιτήσεις εφαρμογής.

6.2 Q:Ποιες βιομηχανίες επωφελούνται από αυτές τις πλάκες;

Α: Οι βασικές βιομηχανίες περιλαμβάνουν την αυτοκινητοβιομηχανία, τις τηλεπικοινωνίες, την αεροδιαστημική βιομηχανία και την ανανεώσιμη ενέργεια.

6.3 Q:Μπορώ να έχω τις σάλτσες μου προσαρμοσμένες;

Α: Βεβαίως! Έχουμε παράγει εξατομικευμένα προϊόντα για πάνω από 10 χρόνια. Παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας για να μοιραστείτε τις απαιτήσεις σας.

7Προσφέρουμε περισσότερα υλικά ημιαγωγών.

Επεξεργαζόμαστε επίσης πλακίδια SiC-HPSI, υποστρώματα σαφφείρου και άλλα υλικά ημιαγωγών.

Ετικέτα:Σι-Κι-Βάφρα, Σι-Κι-Υπόστρωμα, Ημιαγωγικά υλικά.