logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου
Created with Pixso.

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

Ονομασία μάρκας: ZMSH
Αριθμός μοντέλου: 4 ιντσών SiC Wafer
MOQ: 10 τεμάχια
Πληροφορίες συσκευασίας: Κοινή συσκευασία
Όροι πληρωμής: T/T
Πληροφορίες λεπτομέρειας
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
Πιστοποίηση:
RoHS
Τύπος:
4h-ν
Βαθμός:
Εικονικό / Έρευνα / Προϊόν
Πάχος:
350 μm±25 μm
Στημόνι:
≤40 μm
Τραχύτητα:
Ra≤1 nm
Διάμετρος:
4 ίντσες, 99,5 mm~ 100,0 mm
Περιγραφή προϊόντων
4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate 4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate What are Silicon Carbide (SiC) Wafers & Substrates? Silicon Carbide (SiC) wafers and substrates are specialized materials used in semiconductor technology made from silicon carbide, a compound known for its high thermal conductivity, excellent mechanical strength, and wide bandgap. Exceptionally hard and lightweight, SiC wafers and substrates provide a robust