Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου εργοστάσιο, αγοράστε καλής ποιότητας Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου προϊόντα από την Κίνα

Παρακαλούμε αφήστε το σωστό ηλεκτρονικό σας ταχυδρομείο και τις λεπτομερείς απαιτήσεις (20-3000 χαρακτήρες).

Εντάξει

Κατηγορίες

Επαφές

Επαφές:	Mr. Wang
Τηλ.::	+8615801942596

Επικοινωνία

SiC Wafer 12inch 300mm πάχος 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade για ημιαγωγούς
Καλύτερη τιμή
4h-N 100um Σιδηροσφαιρίνη Σιδηροσφαιρίνης Αβραστική σκόνη για την ανάπτυξη των κρυστάλλων SIC
Καλύτερη τιμή
12 ιντσών SiC Wafer 300mm Silicon Carbide Wafer Conductive Dummy Grade N-Type Ερευνητικό βαθμό
Καλύτερη τιμή
12 ιντσών SiC Wafer Silicon Carbide Wafer 300mm Υπόστρωμα 750±25um 4H-N Τύπος Προσανατολισμός 100 Ερευνητικός βαθμός παραγωγής
Καλύτερη τιμή
4H N τύπου Semi τύπου SiC Wafer 6inch 12inch SiC Wafer SiC υπόστρωμα ((0001) Διπλή πλευρά γυαλισμένη Ra≤1 nm Προσαρμογή
Καλύτερη τιμή
SiC Wafer 4 ιντσών 12 ιντσών 4H N τύπου Semi τύπου Προϊόντος ποιότητας Έρευνας ποιότητας Φανταστικό DSP προσαρμογή
Καλύτερη τιμή
8 ιντσών 12 ιντσών 4H-N τύπου SiC πάχος κυψελών 500±25um 1000±50 N Ντόπινγκ Dummy Prime Research Grade
Καλύτερη τιμή
Σι-Σι-Οφέλες 2/3/4/6/8 /12 ίντσες 4H-N Τύπος Z/P/D/R
Καλύτερη τιμή
12 ιντσών SiC Wafer 4H-N Dummy Research DSP SSP SiC υποστρώματα Silicon Carbide Wafer
Καλύτερη τιμή
8 ιντσών 4H-N SiC πάχος βάθους Wafer 500±25μm ή προσαρμοσμένο N-Doped Dummy Production Research Grade
Καλύτερη τιμή
Υψηλής ποιότητας σφαιρίδια SiC 2/3/4/6/8 ιντσών 4H-N τύπου Z/P/D/R
Καλύτερη τιμή
SiC Epitaxial Wafer Silicon Carbide 4H 4inch 6inch Ανώτατη Αντίσταση ημιαγωγός Βιομηχανία
Καλύτερη τιμή
SiC Substrate 4H/6H-P 3C-N 145,5 mm~150,0 mm Z βαθμός P βαθμός D βαθμός
Καλύτερη τιμή
Γυαλισμένο DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35mm 4h-ημι γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου SIC
Καλύτερη τιμή
2 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoelectronic High-Power RF LEDS
Καλύτερη τιμή