Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου εργοστάσιο, αγοράστε καλής ποιότητας Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου προϊόντα από την Κίνα

Παρακαλούμε αφήστε το σωστό ηλεκτρονικό σας ταχυδρομείο και τις λεπτομερείς απαιτήσεις (20-3000 χαρακτήρες).

Εντάξει

Κατηγορίες

Επαφές

Επαφές:	Mr. Wang
Τηλ.::	+8615801942596

Επικοινωνία

Διαμέτρος Κρυστάλλου Σπόρων SiC 153mm 155mm 203mm 205mm 208mm PVT
Καλύτερη τιμή
Κρυστάλλοι σπόρων SiC ειδικά εκείνοι με διάμετρο 153, 155, 205, 203 και 208 mm
Καλύτερη τιμή
Υψηλής καθαρότητας ημιμονωτική HPSI SiC Powder/99.9999% καθαρότητα Κρυστάλλινη ανάπτυξη
Καλύτερη τιμή
6 ιντσών μονοκρυσταλλικό SIC σε πολυκρυσταλλικό SIC σύνθετο υπόστρωμα
Καλύτερη τιμή
SiC Wafer 12inch 300mm πάχος 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade για ημιαγωγούς
Καλύτερη τιμή
4h-N 100um Σιδηροσφαιρίνη Σιδηροσφαιρίνης Αβραστική σκόνη για την ανάπτυξη των κρυστάλλων SIC
Καλύτερη τιμή
12 ιντσών SiC Wafer Silicon Carbide Wafer 300mm Υπόστρωμα 750±25um 4H-N Τύπος Προσανατολισμός 100 Ερευνητικός βαθμός παραγωγής
Καλύτερη τιμή
4H N τύπου Semi τύπου SiC Wafer 6inch 12inch SiC Wafer SiC υπόστρωμα ((0001) Διπλή πλευρά γυαλισμένη Ra≤1 nm Προσαρμογή
Καλύτερη τιμή
SiC Wafer 4 ιντσών 12 ιντσών 4H N τύπου Semi τύπου Προϊόντος ποιότητας Έρευνας ποιότητας Φανταστικό DSP προσαρμογή
Καλύτερη τιμή
8 ιντσών 12 ιντσών 4H-N τύπου SiC πάχος κυψελών 500±25um 1000±50 N Ντόπινγκ Dummy Prime Research Grade
Καλύτερη τιμή
Σι-Σι-Οφέλες 2/3/4/6/8 /12 ίντσες 4H-N Τύπος Z/P/D/R
Καλύτερη τιμή
12 ιντσών SiC Wafer 4H-N Dummy Research DSP SSP SiC υποστρώματα Silicon Carbide Wafer
Καλύτερη τιμή
8 ιντσών 4H-N SiC πάχος βάθους Wafer 500±25μm ή προσαρμοσμένο N-Doped Dummy Production Research Grade
Καλύτερη τιμή
Υψηλής ποιότητας σφαιρίδια SiC 2/3/4/6/8 ιντσών 4H-N τύπου Z/P/D/R
Καλύτερη τιμή
SiC Epitaxial Wafer Silicon Carbide 4H 4inch 6inch Ανώτατη Αντίσταση ημιαγωγός Βιομηχανία
Καλύτερη τιμή