Προϊόντα

Σπίτι Προϊόντα Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου Προϊόντα on-line

Όλες οι κατηγορίες

υπόστρωμα σαπφείρου

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου

Σωλήνας σαπφείρου

Υπόστρωμα ημιαγωγών

Ο συνθετικός Stone πολύτιμων λίθων

Τμήματα κεραμικής

επιστημονικός εξοπλισμός εργαστηρίων

Περίπτωση ρολογιών κρυστάλλου σαπφείρου

Κιβώτιο μεταφορέων γκοφρετών

Υπεραγωγικό λεπτό Monocrystalline υπόστρωμα

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Μας ελάτε σε επαφή με

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Επαφή τώρα

Όλες οι κατηγορίες

υπόστρωμα σαπφείρου

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου

Σωλήνας σαπφείρου

Υπόστρωμα ημιαγωγών

Ο συνθετικός Stone πολύτιμων λίθων

Τμήματα κεραμικής

επιστημονικός εξοπλισμός εργαστηρίων

Περίπτωση ρολογιών κρυστάλλου σαπφείρου

Κιβώτιο μεταφορέων γκοφρετών

Υπεραγωγικό λεπτό Monocrystalline υπόστρωμα

Γκοφρέτα νιτριδίων γαλλίου

Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου

3C-N SiC wafer 4inch Silicon Carbide Prime Grade Dummy Grade Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων RF LED

Πάρτε την καλύτερη τιμή

4H SiC Σπόρος Wafer πάχος 600±50μm <1120> Προσαρμογή Ανάπτυξη καρβιδίου του πυριτίου

Πάρτε την καλύτερη τιμή

6inch SiC Wafer 4H/6H-P Silicon Carbide Substrate DSP (111) Ημιαγωγός RF μικροκυμάτων LED λέιζερ

Πάρτε την καλύτερη τιμή

6N Undoped HPSI αγνότητας DSP πλαστή πρωταρχική γκοφρέτα βαθμού SIC επιφάνειας

Πάρτε την καλύτερη τιμή

4Inch υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου, πρωταρχικός πλαστός υπερβολικός βαθμός ημι SIC γκοφρέτες υψηλής αγνότητας 4H-

Πάρτε την καλύτερη τιμή

4» πρωταρχικός βαθμός ν-ναρκωμένες 4H γκοφρέτες παραγωγής γκοφρετών πυριτίου στο σάπφειρο SIC

Πάρτε την καλύτερη τιμή

4H/6H P-Type Sic Wafer 4inch 6inch Z Grade P Grade D Grade Off Axis 2.0°-4.0° Προς το P-type Doping

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Υπόστρωμα SiC Υπόστρωμα Καρβιδίου Σιλικίου Υπόστρωμα 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10mm P Βαθμός R Βαθμός D Βαθμός

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Υπόστρωμα SiC 4inch p-type 4H/6H-P n-type 3C-N μηδενική ποιότητα παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

SiC Wafer 4H N Τύπος 8inch Κατηγορία παραγωγής Κατηγορία Dummy Προσαρμοσμένη Διπλή πλευρά γυαλισμένη Silicon Carbide Wafer

Πάρτε την καλύτερη τιμή

5×5mm 10×10mm SiC Wafer 4H-P 6H-P 3C-N τύπου Προϊόντος Κατηγορία Έρευνας Κατηγορία Dummy Κατηγορία

Πάρτε την καλύτερη τιμή

2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες 4H P Τύπος 6H P Τύπος 3C N Τύπος SiC Wafer Silicon Carbide Wafer Ημιαγωγός

Πάρτε την καλύτερη τιμή

SiC Wafer 4H τύπου N Καρβιδίου Σίλικον 2 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών DSP Προσαρμοσμένο

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Ημιμονωτικά σύνθετα υπόστρωμα SiC Epi έτοιμα 6 ιντσών 150 mm για οπτοηλεκτρονικές συσκευές

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Διοχετικό υπόστρωμα SiC τύπου N σύνθετο υπόστρωμα 6 ιντσών για Epitaxy MBE CVD LPE

Πάρτε την καλύτερη τιμή

SIC τετραγωνικό υπόστρωμα 5×5 10×10 350um εκτός άξονα: 2,0°-4,0° προς το βαθμό παραγωγής

Πάρτε την καλύτερη τιμή

1 2 3 4 5 6 7 8