Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου εργοστάσιο, αγοράστε καλής ποιότητας Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου προϊόντα από την Κίνα

Παρακαλούμε αφήστε το σωστό ηλεκτρονικό σας ταχυδρομείο και τις λεπτομερείς απαιτήσεις (20-3000 χαρακτήρες).

Εντάξει

Κατηγορίες

Επαφές

Επαφές:	Mr. Wang
Τηλ.::	+8615801942596

Επικοινωνία

SiC Substrate 4H/6H-P 3C-N 145,5 mm~150,0 mm Z βαθμός P βαθμός D βαθμός
Καλύτερη τιμή
Γυαλισμένο DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35mm 4h-ημι γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου SIC
Καλύτερη τιμή
2 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoelectronic High-Power RF LEDS
Καλύτερη τιμή
3C-N τύπου Silicon Carbide Wafers 2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες ή 5 * 5 10 * 10 mm Μέγεθος Προϊόντα βαθμό βαθμό Έρευνα
Καλύτερη τιμή
Σίλικον καρβίδιο Wafers 3C-N τύπου 5*5 10*10mm ίντσες Διαμέτρου πάχος 350 μm±25 μm
Καλύτερη τιμή
3C-N SiC wafer 4inch Silicon Carbide Prime Grade Dummy Grade Υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων RF LED
Καλύτερη τιμή
4H SiC Σπόρος Wafer πάχος 600±50μm <1120> Προσαρμογή Ανάπτυξη καρβιδίου του πυριτίου
Καλύτερη τιμή
6inch SiC Wafer 4H/6H-P Silicon Carbide Substrate DSP (111) Ημιαγωγός RF μικροκυμάτων LED λέιζερ
Καλύτερη τιμή
6N Undoped HPSI αγνότητας DSP πλαστή πρωταρχική γκοφρέτα βαθμού SIC επιφάνειας
Καλύτερη τιμή
4Inch υπόστρωμα καρβιδίου του πυριτίου, πρωταρχικός πλαστός υπερβολικός βαθμός ημι SIC γκοφρέτες υψηλής αγνότητας 4H-
Καλύτερη τιμή
4» πρωταρχικός βαθμός ν-ναρκωμένες 4H γκοφρέτες παραγωγής γκοφρετών πυριτίου στο σάπφειρο SIC
Καλύτερη τιμή
4H/6H P-Type Sic Wafer 4inch 6inch Z Grade P Grade D Grade Off Axis 2.0°-4.0° Προς το P-type Doping
Καλύτερη τιμή
Υπόστρωμα SiC Υπόστρωμα Καρβιδίου Σιλικίου Υπόστρωμα 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10mm P Βαθμός R Βαθμός D Βαθμός
Καλύτερη τιμή
Υπόστρωμα SiC 4inch p-type 4H/6H-P n-type 3C-N μηδενική ποιότητα παραγωγής
Καλύτερη τιμή
SiC Wafer 4H N Τύπος 8inch Κατηγορία παραγωγής Κατηγορία Dummy Προσαρμοσμένη Διπλή πλευρά γυαλισμένη Silicon Carbide Wafer
Καλύτερη τιμή