Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου εργοστάσιο, αγοράστε καλής ποιότητας Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου προϊόντα από την Κίνα

Παρακαλούμε αφήστε το σωστό ηλεκτρονικό σας ταχυδρομείο και τις λεπτομερείς απαιτήσεις (20-3000 χαρακτήρες).

Εντάξει

Κατηγορίες

Επαφές

Επαφές:	Mr. Wang
Τηλ.::	+8615801942596

Επικοινωνία

5×5mm 10×10mm SiC Wafer 4H-P 6H-P 3C-N τύπου Προϊόντος Κατηγορία Έρευνας Κατηγορία Dummy Κατηγορία
Καλύτερη τιμή
2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες 4H P Τύπος 6H P Τύπος 3C N Τύπος SiC Wafer Silicon Carbide Wafer Ημιαγωγός
Καλύτερη τιμή
SiC Wafer 4H τύπου N Καρβιδίου Σίλικον 2 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών DSP Προσαρμοσμένο
Καλύτερη τιμή
Ημιμονωτικά σύνθετα υπόστρωμα SiC Epi έτοιμα 6 ιντσών 150 mm για οπτοηλεκτρονικές συσκευές
Καλύτερη τιμή
Διοχετικό υπόστρωμα SiC τύπου N σύνθετο υπόστρωμα 6 ιντσών για Epitaxy MBE CVD LPE
Καλύτερη τιμή
SIC τετραγωνικό υπόστρωμα 5×5 10×10 350um εκτός άξονα: 2,0°-4,0° προς το βαθμό παραγωγής
Καλύτερη τιμή
350um πάχος 4h-N 4H-SEMI SIC Silicon Carbide Wafer για επικάσια
Καλύτερη τιμή
2 ιντσών SiC Wafer 4H N τύπου 6H-N τύπου 4H Semi τύπου 6H Semi τύπου Double Side γυαλισμένο
Καλύτερη τιμή
Τύπος 4H N Τύπος Semi τύπου SiC Wafer 4 ιντσών DSP Έρευνα Παραγωγής
Καλύτερη τιμή
6H SiC Silicon Carbide Wafer Διπλή πλευρά γυαλισμένη 2 ίντσες <0001> Τύπος N Τύπος Semi
Καλύτερη τιμή
Σιλικονικό καρβίδιο Wafer Προσαρμοσμένο μέγεθος Ημιμονωτικό SiC Wafers Σχεδόν άχρωμο Διαφανές Αντίσταση υψηλής πίεσης
Καλύτερη τιμή
4H-N HPSI 100um Καρβιδίου Σίλικον Αβραστική σκόνη για την ανάπτυξη κρυστάλλων SIC
Καλύτερη τιμή
6H-N ημιμονωτικό υπόστρωμα SiC / Wafer για MOSFETs、JFETs BJTs υψηλής αντίστασης ευρείας ζώνης
Καλύτερη τιμή
Ημιμονωτικό 3 ιντσών κύλινδρο καρβιδίου πυριτίου 4H τύπου N προσανατολισμός CVD 4.0°±0.5°
Καλύτερη τιμή
9.4 Δυσκαρδία Σίλικονικό καρβίδιο Wafer Μονόκρυσταλτικά μέρη ρουλεμάνιο Προσαρμοσμένο σχήμα
Καλύτερη τιμή