Αγορά silicon carbide substrate, καλής ποιότητας silicon carbide substrate κατασκευαστής

Παρακαλούμε αφήστε το σωστό ηλεκτρονικό σας ταχυδρομείο και τις λεπτομερείς απαιτήσεις (20-3000 χαρακτήρες).

Εντάξει

Κατηγορίες

Επαφές

Επαφές:	Mr. Wang
Τηλ.::	15801942596
Φαξ:	86-021-63768822

Επικοινωνία

λέξεις-κλειδιά 「silicon carbide substrate」 αγώνας 105 προϊόντα.

Πρωταθλήματα κυψελών πυριτίου υψηλής καθαρότητας μονοκρυσταλλικές κυψέλες πυριτίου Προσαρμόσιμες επιλογές
Καλύτερη τιμή
Οπτικά τετραγωνικά τσιπ άνθρακα πυριτίου 40x3mmt 6h-ν SIC
Καλύτερη τιμή
9.4 οπτικές SIC γκοφρέτες άνθρακα πυριτίου τσιπ σκληρότητας
Καλύτερη τιμή
4H-N/Semi Τύπος SiC Πλίνθωμα και Υπόστρωμα Βιομηχανικό ομοίωμα 2 ιντσών 3 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών
Καλύτερη τιμή
5x5mmt οπτικός φακός άνθρακα πυριτίου υψηλής αγνότητας undoped 4h-ημι SIC
Καλύτερη τιμή
Συστήματα ανάπτυξης κρυστάλλων SiC PVT Lely TSSG & LPE για την παραγωγή καρβιδίου του πυριτίου
Καλύτερη τιμή
SiC Substrate 4H/6H-P 3C-N 145,5 mm~150,0 mm Z βαθμός P βαθμός D βαθμός
Καλύτερη τιμή
8 ιντσών GaN-on-Si Epitaxy Si Substrate 110 111 110 για αντιδραστήρες MOCVD ή εφαρμογή ενέργειας RF
Καλύτερη τιμή
2 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες 4H P Τύπος 6H P Τύπος 3C N Τύπος SiC Wafer Silicon Carbide Wafer Ημιαγωγός
Καλύτερη τιμή
12 ιντσών SiC Wafer 4H-N Dummy Research DSP SSP SiC υποστρώματα Silicon Carbide Wafer
Καλύτερη τιμή
Ημιμονωτικές πλάκες SiC 3 ιντσών 76,2 mm 4H τύπου SiC για ημιαγωγούς
Καλύτερη τιμή
6N Undoped HPSI αγνότητας DSP πλαστή πρωταρχική γκοφρέτα βαθμού SIC επιφάνειας
Καλύτερη τιμή
υπόστρωμα τύπων SIC γκοφρετών 4h-ν 6inch dia150mm SIC για τη συσκευή MOS
Καλύτερη τιμή
Υψηλή γκοφρέτα σαπφείρου σκληρότητας 4Inch για την οπτικοηλεκτρονική διόδων λέιζερ Leds
Καλύτερη τιμή
6H-N ημιμονωτικό υπόστρωμα SiC / Wafer για MOSFETs、JFETs BJTs υψηλής αντίστασης ευρείας ζώνης
Καλύτερη τιμή

silicon carbide substrate διαδικτυακός κατασκευαστής