υπόστρωμα σαπφείρου

• 4inch 101.6mm ενιαίο γυαλισμένο πλευρά Al2O3 ενιαίου κρυστάλλου μεταφορέων υποστρωμάτων γκοφρετών σαπφείρου
• ενιαίο κρύσταλλο Γ Miscut υποστρωμάτων γκοφρετών σαπφείρου 2inch 4inch 6inch ένα αεροπλάνο βαθμού Μ
• Al2O3 99,999% υψηλής αγνότητας SSP μεταφορέων DSP γκοφρετών υποστρωμάτων σαπφείρου
• 6 SSP DSP γκοφρετών υποστρωμάτων μεταφορέων σαπφείρου ίντσας 350um 0.5mmt

Ο συνθετικός Stone πολύτιμων λίθων

• Μοϊσανίτης Ακατέργαστη πέτρα Σαμπάνια Colo Καρβίδιο πυριτίου μονοκρυστάλλιο κλίμακα Mohs 9,25 για τη βιομηχανία κοσμημάτων
• Η σκληρότητα της σαμπάνιας είναι 9,25 για δαχτυλίδια και αξεσουάρ.
• Μοϊσανίτης ακατέργαστη πολύτιμη πέτρα Σμαραγδινό Δάσος Πράσινο Υψηλή σκληρότητα Μονοκρυσταλλικό καρβίδιο πυριτίου για το Εβραϊκό
• Σμαραγδένιο πράσινο Moissanite SiC Μοναδικό κρύσταλλο σκληρότητα Mohs 9,25 Moissanite πρώτη ύλη για κοσμήματα

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

• Κυκλική διαφανής σαπφείρου οπτική γκοφρέτα φακών σαπφείρου παραθύρων προσαρμοσμένη χαλαζίας με την τρύπα
• Κυκλική διαφανής προσαρμοσμένη διάμετρος υλικού χαλαζία παραθύρων σαπφείρου οπτική
• Monocrystalline Al2O3 φακός ράβδων Crylinder σαπφείρου με το αυλάκι
• Η σκληρότητα 9,0 ροδοκόκκινα οπτικά παράθυρα σαπφείρου προσάρμοσε τις διαφανείς γκοφρέτες φακών σφαιρών

Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου

• 2 ιντσών SiC Wafer 4H N τύπου 6H-N τύπου 4H Semi τύπου 6H Semi τύπου Double Side γυαλισμένο
• Τύπος 4H N Τύπος Semi τύπου SiC Wafer 4 ιντσών DSP Έρευνα Παραγωγής
• 6H SiC Silicon Carbide Wafer Διπλή πλευρά γυαλισμένη 2 ίντσες <0001> Τύπος N Τύπος Semi
• Σιλικονικό καρβίδιο Wafer Προσαρμοσμένο μέγεθος Ημιμονωτικό SiC Wafers Σχεδόν άχρωμο Διαφανές Αντίσταση υψηλής πίεσης

Σωλήνας σαπφείρου

• Punching πιάτων γυαλιού χαλαζία/Borosilicate UV τρύπες 4,4 X 4,4 Χ 0.5mmt
• Monocrystalline Al2O3 διαφανής σωλήνων γυαλιού σαπφείρου που γυαλίζεται
• Γυαλισμένη ράβδος γυαλιού σαπφείρου επιφάνειας με την ευθεία φλάντζα 9,0 υψηλή αγνότητα σκληρότητας
• Monocrystalline Al2O3 διαφανής σωλήνων γυαλιού σαπφείρου που γυαλίζεται

Υπόστρωμα ημιαγωγών

• 2 ιντσών Σιλικόνιο Wafers τύπου P-τύπου N-τύπου CZ μέθοδος ανάπτυξης BOW ≤30 Για φωτισμό LED
• SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111
• SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm Τύπος Ντόπαντος Β 220 Αντίσταση: 8,5-11,5 Ωμ-cm
• Σιλικόνιο σε μονωτή SOI Wafer 6", 2,5 "m (P-doped) + 1,0 SiO2 + 625um Si (P-type /Boron Doped)

επιστημονικός εξοπλισμός εργαστηρίων

• Υφάσματα YAG για οπτικά δίκτυα επικοινωνίας Δυνατότητα τέντωσης > 2200 MPa Δια 25-500 μm Άξονας Α, Άξονας Γ
• Υλικό διαπερατότητας γκρανέτ υλικού υτρίου αλουμινίου οπτικών ινών YAG > 80% 400-3000 Nm Dia 25-500um
• Θερμομόνωση Πλατό μήκος Επιστημονικό εργαστήριο Εξοπλισμός Μόνιμος φακός εστίασης
• Δείκτης LCD θερμομονωμένοι σταθεροί φακοί εστίασης για εργαστηριακές δοκιμές