υπόστρωμα σαπφείρου

• 2 ίντσα 3 ίντσα γκοφρέτες σαπφείρου 4 ιντσών για την οπτική SSP πάχους 400um DSP μηδέν βαθμός
• 3Inch SSP 0.5mm γκοφρετών DSP υποστρωμάτων σαπφείρου Al2O3 ενιαίο κρύσταλλο
• 430um 3 ίντσα υψηλή οπτική μετάδοση παραθύρων άξονα γκοφρετών Ρ υποστρωμάτων σαπφείρου DSP/SSP
• Το εξαιρετικά λεπτό υπόστρωμα 100um 0.1mm πάχος 2 3 παραθύρων σαπφείρου γκοφρετών σαπφείρου διπλή πλευρά 4 ίντσας γυάλισε τις γκοφρέτες

Ο συνθετικός Stone πολύτιμων λίθων

• Μικροδιαμετρικές κεραμικές σφαίρες από καρβίδιο του πυριτίου, προσαρμοσμένο μέγεθος 0,8 mm-30 mm για ρυμουλκούμενα
• Κρυστάλλοι Er:YAG Ερβίου Ντόπινγκ Υτρίου Αλουμινίου Γρανέτα Κρυστάλλος Paraiba Blue Lab Έκαναν Ακατέργαστο Πετράδι
• Κρυστάλλος οξυορθοσιλικικού λιθίου LSO Εξαιρετική χρονική ανάλυση για την έρευνα μοριακής απεικόνισης PET
• Χρωμικό αλουμινένιο γκρανέτ ιτρίου Cr:YAG ce+ doped yag laser crystal Laser Systems

Οπτικά παράθυρα σαπφείρου

• Υψηλής θερμοκρασίας αντίστασης σαπφείρου φέροντα μέρη σαπφείρου κοιλωμάτων τμημάτων τυφλά με την τρύπα
• Παράθυρο γυαλιού σαπφείρου παρατήρησης εξοπλισμού με την τρύπα βημάτων
• Monocrystalline συνθετικό γυαλί παραθύρων σαπφείρου οπτικό με το βήμα
• Σκληρότητα 9,0 ροδοκόκκινα ρουλεμάν σαπφείρου/ακροφύσια σαπφείρου/στόλισμα σαπφείρου/πλυντήριο σαπφείρου από το προσαρμοσμένο μέγεθος

Γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου

• Υψηλής αντίστασης 8 ιντσών 200 mm Silicon Carbide Wafer Παραγωγή βαθμού 4H-N
• 4H/6H ημιμονωτική πλάκα από καρβίδιο του πυριτίου για παραγωγή/ερευνήματα/κατάσταση ψεύτικη
• Ημι προσανατολισμός 0001 υποστρωμάτων γκοφρετών SIC καρβιδίου του πυριτίου μόνωσης τόξο/στρέβλωση ≤50um
• Υψηλής αντίστασης σφαιρίδια καρβιδίου πυριτίου ημιμονωτικά για εφαρμογές χαμηλών σωματιδίων

Σωλήνας σαπφείρου

• Τμήματα σαπφείρου αντίστασης διάβρωσης που αντέχουν το στόλισμα με την ανοχή ±0.03mm τρυπών
• Σκληρότητα 9,0 αντίσταση αέρα ακρίβειας αισθητήρων πίεσης ράβδων βαλβίδων Jewe τμημάτων σαπφείρου
• 1 Monocrystalline πολυκρυσταλλική βελόνα ηλεκτροδίων απαλλαγής ράβδων πυριτίου τμημάτων σαπφείρου *11mm

Υπόστρωμα ημιαγωγών

• 6 ίντσες 8 ίντσες SIO2 Διοξείδιο του πυριτίου πάχος σφαιρίδιο 10um-25um επιφάνειας μικροεπεξεργασία
• Υψηλής καθαρότητας κυψέλες πυριτίου υψηλή θερμική αγωγιμότητα 3 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες
• GaP Wafer Gallium Phosphide Single Crystal Orientation (111)A 0°±0.2 Ηλιακά κύτταρα
• 2 ιντσών GaP Wafer με OF τοποθεσία / μήκος EJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD κινητικότητα Min 100