Υπόστρωμα ημιαγωγών εργοστάσιο, αγοράστε καλής ποιότητας Υπόστρωμα ημιαγωγών προϊόντα από την Κίνα

Παρακαλούμε αφήστε το σωστό ηλεκτρονικό σας ταχυδρομείο και τις λεπτομερείς απαιτήσεις (20-3000 χαρακτήρες).

Εντάξει

Κατηγορίες

Επαφές

Επαφές:	Mr. Wang
Τηλ.::	+8615801942596

Επικοινωνία

InP DFB Epiwafer μήκος κύματος 1390nm InP υποστρώμα 2 4 6 ίντσες για 2.5 ~ 25G DFB διόδη λέιζερ
Καλύτερη τιμή
2 ιντσών 3 ιντσών InP Laser Επιταξιακή Wafer Ινδίου Φωσφιδίου epi Wafer Ημιαγωγός Προσαρμόστε FP λέιζερ διόδη
Καλύτερη τιμή
FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrate Dia 2 3 4 6 ίντσες πάχος 350-650um InGaAs ντόπινγκ
Καλύτερη τιμή
MgO Wafer 111 100 γυαλισμένο μονοκρυσταλλικό ημιαγωγό οξειδίου μαγνησίου
Καλύτερη τιμή
InP wafer 2inch 3inch 4inch VGF P τύπου N τύπου Depant Zn S Fe Undoped Prime Grade Testing Grade
Καλύτερη τιμή
Monocrystal ενιαίου κρυστάλλου υπόστρωμα InAs αρσενίδιων ίνδιου υποστρωμάτων ημιαγωγών
Καλύτερη τιμή
Ημιμονωτικά σύνθετα υποστρώματα SiC-On-Si 4H παρουσιάζουν υψηλής αντίστασης LED
Καλύτερη τιμή
GaP Wafer 2inch N Type Undoped S Doped 100 DSP SSP CZ Υψηλή καθαρότητα 5N 99,999%
Καλύτερη τιμή
Σι πλακέτα 4 ιντσών Λουστρωμένο CZ Ντόπαντος Αρσενικό (Σ) Βόριο (Β) Φώσφορος (Σ) Φ) (100) Ημιαγωγός
Καλύτερη τιμή
Οπτικό λιωμένο σωλήνα σιδήρου SiO2 Κρυστάλλινο γυαλί Προσαρμοσμένο Διαφανές και τα δύο άκρα ανοιχτά ένα άκρο κλειστό
Καλύτερη τιμή
8 ιντσών GaN-on-Si Epitaxy Si Substrate 110 111 110 για αντιδραστήρες MOCVD ή εφαρμογή ενέργειας RF
Καλύτερη τιμή
GaN-on-Si ((111) N/P T υποστρώμα τύπου Epitaxy 4inch 6inch 8inch Για συσκευή LED ή ισχύος
Καλύτερη τιμή
Τύπος N SiC σε σύνθετο κύλινδρο Si 6inch 150mm SiC τύπου 4H-N Si τύπου N ή P
Καλύτερη τιμή
Σιλικόνιο Wafer N Type P Dopant 2 ιντσών 4 ιντσών 6 ιντσών 8 ιντσών Αντίσταση 0-100 Ωμ-cm Μία πλευρά γυαλισμένη
Καλύτερη τιμή
2 ιντσών Σιλικόνιο Wafers τύπου P-τύπου N-τύπου CZ μέθοδος ανάπτυξης BOW ≤30 Για φωτισμό LED
Καλύτερη τιμή