Υπόστρωμα ημιαγωγών εργοστάσιο, αγοράστε καλής ποιότητας Υπόστρωμα ημιαγωγών προϊόντα από την Κίνα

Παρακαλούμε αφήστε το σωστό ηλεκτρονικό σας ταχυδρομείο και τις λεπτομερείς απαιτήσεις (20-3000 χαρακτήρες).

Εντάξει

Κατηγορίες

Επαφές

Επαφές:	Mr. Wang
Τηλ.::	+8615801942596

Επικοινωνία

SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX στρώμα 0,4-3 Προσανατολισμός υποστρώματος 100 111
Καλύτερη τιμή
SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm Τύπος Ντόπαντος Β 220 Αντίσταση: 8,5-11,5 Ωμ-cm
Καλύτερη τιμή
Σιλικόνιο σε μονωτή SOI Wafer 6", 2,5 "m (P-doped) + 1,0 SiO2 + 625um Si (P-type /Boron Doped)
Καλύτερη τιμή
Σημείο CZ προσανατολισμού των κυψελών πυριτίου111 Αντίσταση: 1-10 (ohm.cm) μονομερή ή διπλή πλευρά γυάλισμα
Καλύτερη τιμή
Σιλικόνιο πλακάκι 4 ίντσες πάχος 500+/-20 Αντίσταση 1-10 Ωμ·cm Προσανατολισμός100 διπλό πλευρικό γυαλί
Καλύτερη τιμή
3inch InP Indium Phosphide Substrate N-Type Semiconductor μέθοδος ανάπτυξης VGF 111 100 προσανατολισμός
Καλύτερη τιμή
Επικαιροποιημένα 4 ιντσών InP Wafers N Type P Type EPF < 1000cm^2 με πάχος 325mm±50mm
Καλύτερη τιμή
Μοναδικό κρύσταλλο Si Wafer Ηλεκτρονική συσκευή Υπόστρωμα Φωτολιθογραφία στρώμα 2 "3" "4" 6 "8"
Καλύτερη τιμή
Υψηλής καθαρότητας κύλινδρος πυριτίου Ηλιακά κύτταρα Ηλεκτρικές ημιαγωγικές συσκευές
Καλύτερη τιμή
4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες SOI Wafers συμβατές με CMOS δομή τριών στρωμάτων
Καλύτερη τιμή
Θερμικό στρώμα οξειδίου SiO2 πάχος κυψελών 20um Σύστημα οπτικής επικοινωνίας MEMS
Καλύτερη τιμή
6 ίντσες 8 ίντσες SIO2 Διοξείδιο του πυριτίου πάχος σφαιρίδιο 10um-25um επιφάνειας μικροεπεξεργασία
Καλύτερη τιμή
Υψηλής καθαρότητας κυψέλες πυριτίου υψηλή θερμική αγωγιμότητα 3 ίντσες 4 ίντσες 6 ίντσες 8 ίντσες
Καλύτερη τιμή
GaP Wafer Gallium Phosphide Single Crystal Orientation (111)A 0°±0.2 Ηλιακά κύτταρα
Καλύτερη τιμή
2 ιντσών GaP Wafer με OF τοποθεσία / μήκος EJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD κινητικότητα Min 100
Καλύτερη τιμή